Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

V alue

Unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Ic

Corrente del collettore @ TC=25℃

Corrente del collettore @ TC=80°C

5200

A

3600

ICM(1)

Corrente Collettore Impulsata tp= 1ms

7200

A

IF

Diodo di corrente continua in avanti

3600

A

IFM

Corrente Massima in Avanti della Diode @ TC=80℃

7200

A

PD

Dissipazione di Potenza Massima @ Tj=175℃

20

kw

Tj

Temperatura massima di giunzione

175

℃

TSTG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

℃

VISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Montaggio

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

N.M

Coppia

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V ((BR) CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

Tj=25°C

1700

V

ICES

Corrente di taglio del collettore

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello

corrente

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

VGE (th)

Limita di emissione della porta

Tensione

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

2.40

2.85

CdG

Importo della porta

VGE=-15...+15V

42.0

μC

RGint

Resistore Interno del Gate

Tj=25°C

0.4

Ω

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

NS

tr

Tempo di risalita

205

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

1510

NS

TF

Tempo di caduta

185

NS

EON

Perdita di Commutazione di Accensione

498

mJ

EOFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

1055

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

NS

tr

Tempo di risalita

225

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

1800

NS

TF

Tempo di caduta

325

NS

EON

Perdita di Commutazione di Accensione

746

mJ

EOFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

1451

mJ

- Cies

Capacità di ingresso

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Capacità di uscita

13.2

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

10.5

NF

Isc

Dati SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

14000

A

LCE

Induttanza di deflusso

10

nH

RCC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.12

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =3600A

t j = 25 ℃

1.80

2.20

V

t j = 125 ℃

1.90

2.30

Q r

Importo recuperato

Io F =3600A,

V r = 900V,

r Gon =0.4Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

836

μC

t j = 125 ℃

1451

Io RM

Ritorno al recupero corrente

t j = 25 ℃

2800

A

t j = 125 ℃

3300

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

590

mJ

t j = 125 ℃

1051