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Modulo IGBT 750V

Modulo IGBT 750V

Homepage/Prodotti/Modulo IGBT/Modulo IGBT 750V

Modulo IGBT GD820HFA75N6HY Starpower

750V 820A,Package:P6

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD820HFA75N6HY
  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Introduzione sintetica

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo .820V 750A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Basse perdite di cambio
  • capacità di cortocircuito di 6 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Baseplate di rame isolata con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Automobilistico applicazione
  • Veicolo ibrido ed elettrico
  • Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

750

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

ICN

Collettore Cu implementato renta

820

A

IC

Corrente del collettore @ T F =95o C T vj =175o C

450

A

ICRM

Ripetitiva Pico Collettore Corrente tp limitato di T vjop

1640

A

PD

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =65o C T vj =175o C

909

A

Diodo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

750

V

IFN

Collettore Cu implementato renta

820

A

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

450

A

IMF

Ripetitiva Pico In avanti Corrente tp limitato di T vjop

1640

A

Modulo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

d Creep

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

7.3 7.3

mm

d Chiaro

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

7.3 4.0

mm

IGBT Caratteristiche T F =25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=680A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.40

IC=820A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.30

IC=820A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.50

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=12.9mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

1.0

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C- Non

Capacità di uscita

1.51

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.32

nF

QG

Importo della porta

V CE =400V, IC=680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C= 450A, Barra G=2.4Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =25o C

483

nS

t barra

Tempo di risalita

60

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

664

nS

t f

Tempo di caduta

67

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

16.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

17.4

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C= 450A, Barra G=2.4Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =150o C

507

nS

t barra

Tempo di risalita

76

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

750

nS

t f

Tempo di caduta

125

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

26.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

22.1

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C= 450A, Barra G=2.4Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =175o C

509

nS

t barra

Tempo di risalita

79

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

764

nS

t f

Tempo di caduta

139

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

27.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

23.0

mJ

ISC

Dati SC

t P≤3μs, V GE = 15V,

T j =175o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

A

Diodo Caratteristiche T F =25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =680A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

IF =820A,V GE =0V,T vj =25o C

1.70

IF =820A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V GE = 8V, T vj =25o C

12.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

273

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

3.45

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V GE = 8V, T vj =150o C

27.7

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

319

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

6.51

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V GE = 8V, T vj =175o C

31.8

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

334

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

7.26

mJ

PTC Caratteristiche T F =25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra

Nominale Resistenza

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Coefficiente di Temperatura nt

0.38

%/K

T S

Auto Riscaldamento

T C=0 o C

Im =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Modulo Caratteristiche T F =25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

5

nH

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.5

barra

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per Di odo) V/ t=2.67 L/ mIN ,T F =65o C

0.105 0.157

0.121 0.181

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M

G

Peso di Modulo

220

g

Outline

Schema del circuito equivalente

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