Tutte le categorie
Richiedi un preventivo

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome e cognome
Nome dell’azienda
Messaggio
0/1000

Asymmetric IGCT (A-IGCT)

Asymmetric IGCT (A-IGCT)

Homepage /  Prodotti /  Modulo IGCT /  IGCT asimmetrico (A-IGCT)

Dispositivo IGCT asimmetrico, YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#

Moduli IGCT asimmetrici 6500 V, 4000 A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#
Appurtenance:

Scheda Prodotto:Scarica

  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Introduzione sintetica

I moduli IGCT asimmetrici (A-IGCT) sono dispositivi semiconduttori ad alta potenza e alta affidabilità progettati per applicazioni avanzate di conversione di potenza a media e alta tensione. Combinando l’elevata capacità di tensione e corrente della tecnologia GTO con le prestazioni di commutazione rapida della tecnologia IGCT, i moduli A-IGCT offrono una soluzione efficiente per sistemi elettronici di potenza industriali esigenti.

Caratterizzati da tecnologie avanzate di produzione su wafer e strutture di dispositivo ottimizzate, i moduli IGCT asimmetrici offrono basse perdite in conduzione, elevata capacità di interruzione, eccellenti prestazioni termiche e straordinaria affidabilità operativa. Sono progettati per garantire un funzionamento stabile e duraturo anche in condizioni industriali gravose.

I moduli IGCT asimmetrici sono ampiamente utilizzati negli inverter ad alta tensione, nelle alimentazioni a raddrizzatore industriali, nei sistemi di sollevamento minerario, nella trazione ferroviaria, nei sistemi di miglioramento della qualità dell’energia, nelle azionamenti per motori di grandi dimensioni e nei sistemi di conversione di potenza da fonti rinnovabili.

Caratteristiche principali:

Capacità ad alta tensione per applicazioni di potenza media e alta
Capacità ad alta corrente per sistemi di conversione di potenza su larga scala
Basse perdite di conduzione per un’efficienza del sistema migliorata
Prestazioni di spegnimento rapide per una risposta dinamica potenziata
Alta affidabilità per un funzionamento industriale continuo
Design ad alta densità di potenza per sistemi elettronici di potenza compatti

Con eccellenti prestazioni elettriche e affidabilità, i moduli IGCT asimmetrici forniscono una soluzione semiconduttore fondamentale per le prossime generazioni di sistemi elettronici di potenza ad alta efficienza e alta affidabilità.

YT-ASC40L6500IC

Parametri principali

V DRM

6500

V

S TGQM

4000

A

S TSM

26

kA

V A

1.88

V

barra T

0.56

mQ

V DClink

4000

V

Dati di blocco

Il simbolo

Condizioni

M in

Tipico

M ascia

V DRM

T Vj = 125°C, I D ≤ I DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

S DRM

T Vj = 125°C, V D =V DRM, t p = 10 ms

-

-

50

mA

d v /dt

T Vj = 125°C, V D = 0,67V DRM

-

-

1000

V/μs

V DClin K

Tensione DC permanente per un tasso di guasto di 100 FIT di GCT

-

-

4000

V

V RRM

\

-

-

17

V

Dati sullo Stato

Il simbolo

Condizioni

M in

Tipico

M ascia

S CC

T C = 85 , DC, Raffreddato su entrambi i lati

-

-

2000

A

S TSM

S 2t

T Vj = 125 , sin cE mezza onda , 10ms,

V D =V Barra =0

-

-

-

-

26

338

KA

104A 2 s

V TM

T Vj = 125℃, I T =4000A

-

3.75

4.11

V

V A

barra T

T Vj = 125℃, I T = 1000… 4000A

-

-

1.88

0.55

V

m ω

Dati di accensione

Il simbolo

Condizioni di prova

M in

Tipico

M ascia

di T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ s

t don

T Vj = 125 , I T = 5000A, V D = 4000V,

di /dt = V D /Ls , c CL =20μF, L s = 3μH, L CL = 0.3μH

-

-

3

μ s

t donSF

-

-

7

μ s

t barra

-

-

1

μ s

E su

-

-

3.3

J

Dati di spegnimento

Il simbolo

Condizioni

M in

Tipico

M ascia

S TGQM

T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0.3μH,

C CL = 20μF, R S = 0. 4ω f=0..300Hz

D Fwd = D CL = FY B 1100-60

-

-

4000

A

t - Non lo so.

T Vj = 125, S TGQ = 4000A, V D =4000V,

V Dm V DRM , C CL = 20μF, Barra S = 0.4 oh,

L s =3μH, L CL = 0.3μH

D Fwd = D CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t doffSF

-

-

7

μ s

t f

-

-

1

μ s

E oFF

-

442.5

46.3

J

Dati termici

Il simbolo

Condizioni di prova

M in

Tipico

M ascia

T Vj

T STG

/

0

-40

-

125

60

Barra ilJC

Barra thCH

Raffreddato su entrambi i lati

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

Unità di porta

Il simbolo

Condizioni di prova

M in

Tipico

M ascia

V Numero di identificazione RMS

Tensione DC o ampiezza dell'onda quadra AC (15kHz - 100kHz). Nessuna isolamento galvanico al circuito di alimentazione.

28

-

40

V

P Numero di identificazione Max

/

-

-

130

A

S GIN MIN

- Un minuto. Corrente necessaria per accendere l'unità di accensione

2

-

-

A

S GIN MAX

Corrente media rettificata limitata dal

unità di porta

-

-

8

A

Controllo ottico di ingresso/uscita

t in ((min)

t di fuori ((min)

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

P sul CS

P O ff CS

P sul SF

P oFF SF

Valido per la fibra ottica di plastica da 1 mm (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t Glitch

t ri-trig

Larghezza massima dell'impulso senza risposta

/

-

700

-

-

400

1100

nS

nS

CS

Agilent Tipo: HFBR-2521

SF

Agilent Tipo: HFBR-1521

Outline

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome e cognome
Nome dell’azienda
Messaggio
0/1000

Prodotto correlato

Hai domande su qualche prodotto?

Il nostro team professionale vendite è in attesa di ricevere la tua richiesta.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.

Richiedi un preventivo

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome e cognome
Nome dell’azienda
Messaggio
0/1000

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome e cognome
Nome dell’azienda
Messaggio
0/1000