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Asymmetric IGCT (A-IGCT)

Asymmetric IGCT (A-IGCT)

Homepage/Prodotti/Modulo IGCT/IGCT asimmetrico (A-IGCT)

Dispositivo IGCT asimmetrico, YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#

Moduli IGCT asimmetrici 6500 V, 4000 A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#
Appurtenance:

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Introduzione

Breve introduzione

I moduli IGCT asimmetrici (A-IGCT) sono dispositivi semiconduttori ad alta potenza e alta affidabilità progettati per applicazioni avanzate di conversione di potenza a media e alta tensione. Combinando l’elevata capacità di tensione e corrente della tecnologia GTO con le prestazioni di commutazione rapida della tecnologia IGCT, i moduli A-IGCT offrono una soluzione efficiente per sistemi elettronici di potenza industriali esigenti.

Caratterizzati da tecnologie avanzate di produzione su wafer e strutture di dispositivo ottimizzate, i moduli IGCT asimmetrici offrono basse perdite in conduzione, elevata capacità di interruzione, eccellenti prestazioni termiche e straordinaria affidabilità operativa. Sono progettati per garantire un funzionamento stabile e duraturo anche in condizioni industriali gravose.

I moduli IGCT asimmetrici sono ampiamente utilizzati negli inverter ad alta tensione, nelle alimentazioni a raddrizzatore industriali, nei sistemi di sollevamento minerario, nella trazione ferroviaria, nei sistemi di miglioramento della qualità dell’energia, nelle azionamenti per motori di grandi dimensioni e nei sistemi di conversione di potenza da fonti rinnovabili.

Caratteristiche principali:

Capacità ad alta tensione per applicazioni di potenza media e alta
Capacità ad alta corrente per sistemi di conversione di potenza su larga scala
Basse perdite di conduzione per un’efficienza del sistema migliorata
Prestazioni di spegnimento rapide per una risposta dinamica potenziata
Alta affidabilità per un funzionamento industriale continuo
Design ad alta densità di potenza per sistemi elettronici di potenza compatti

Con eccellenti prestazioni elettriche e affidabilità, i moduli IGCT asimmetrici forniscono una soluzione semiconduttore fondamentale per le prossime generazioni di sistemi elettronici di potenza ad alta efficienza e alta affidabilità.

YT-ASC40L6500IC

Parametri principali

V DRM

6500

V

Io TGQM

4000

A

Io TSM

26

kA

V A

1.88

V

r T

0.56

mQ

V DClink

4000

V

Dati di blocco

Il simbolo

Condizioni

Min

Tipico

Mascia

V DRM

T Vj = 125°C, I D≤ I DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

Io DRM

T Vj = 125°C, V D=V DRM, t p = 10 ms

-

-

50

mA

d v /dt

T Vj = 125°C, V D= 0,67V DRM

-

-

1000

V/μs

V DClin K

Tensione DC permanente per un tasso di guasto di 100 FIT di GCT

-

-

4000

V

V RRM

\

-

-

17

V

Dati sullo Stato

Il simbolo

Condizioni

Min

Tipico

Mascia

Io CC

T C= 85 ℃,DC, Raffreddato su entrambi i lati

-

-

2000

A

Io TSM

Io 2t

T Vj = 125 ℃,sin cE mezza onda , 10ms,

V D=V R =0

-

-

-

-

26

338

KA

104A2 s

V TM

T Vj = 125℃, I T =4000A

-

3.75

4.11

V

V A

r T

T Vj = 125℃, I T = 1000… 4000A

-

-

1.88

0.55

V

m ω

Dati di accensione

Il simbolo

Condizioni di prova

Min

Tipico

Mascia

di T /dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ s

t don

T Vj = 125 ℃, I T = 5000A, V D = 4000V,

di /dt = V D/Lio , c CL =20μF, L io = 3μH, L CL = 0.3μH

-

-

3

μ s

t donSF

-

-

7

μ s

t r

-

-

1

μ s

Eattivo

-

-

3.3

J

Dati di spegnimento

Il simbolo

Condizioni

Min

Tipico

Mascia

Io TGQM

T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0.3μH,

CCL = 20μF, R S = 0. 4ω ,f=0..300Hz

DFwd = D CL = FY B 1100-60

-

-

4000

A

t - Non lo so.

T Vj = 125℃,Io TGQ = 4000A, V D=4000V,

V Dm ≤ V DRM ,CCL = 20μF, R S = 0.4 oh,

L io =3μH, LCL = 0.3μH

DFwd = D CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t doffSF

-

-

7

μ s

t f

-

-

1

μ s

EoFF

-

442.5

46.3

J

Dati termici

Il simbolo

Condizioni di prova

Min

Tipico

Mascia

T Vj

T STG

/

0

-40

-

125

60

℃

℃

R ilJC

R thCH

Raffreddato su entrambi i lati

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

Unità di porta

Il simbolo

Condizioni di prova

Min

Tipico

Mascia

V Numero di identificazione RMS

Tensione DC o ampiezza dell'onda quadra AC (15kHz - 100kHz). Nessuna isolamento galvanico al circuito di alimentazione.

28

-

40

V

PNumero di identificazione Max

/

-

-

130

A

Io GIN MIN

- Un minuto. Corrente necessaria per accendere l'unità di accensione

2

-

-

A

Io GIN MAX

Corrente media rettificata limitata dal

unità di porta

-

-

8

A

Controllo ottico di ingresso/uscita

t in ((min)

t di fuori ((min)

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

Psul CS

POff CS

Psul SF

PoFF SF

Valido per la fibra ottica di plastica da 1 mm (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t Glitch

t ri-trig

Larghezza massima dell'impulso senza risposta

/

-

700

-

-

400

1100

nS

nS

CS

Agilent ,Tipo: HFBR-2521

SF

Agilent ,Tipo: HFBR-1521

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