MZx250,Module de diode à récupération rapide,TECHSEM

RRVM

Type & Contour

600V

800V

1000V

les autres

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx250-06-415F3

MZx250-08-415F3

MZx250-10-415F3

MZx250-12-415F3

MZx250-14-415F3

MZx250-16-415F3

MZx250-18-415F3

MZ250-18-415F3G

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

Valeur

Unité

Min

Type

Max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz

Refroidi par un seul côté, TC=85 ℃

140

250

Une

IF (RMS)

Courant direct RMS

392

Une

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

140

70

le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

140

6.2

kA

Je ²t

I2t pour coordination de fusion

192

10³Une ²s

VFO

Voltage de seuil

140

1.08

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.35

m

VFM

Tension directe de crête

IFM=750A

25

1.55

V. Le groupe

le

Temps de récupération inverse

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V

140

4

μs

25

3

μs

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

Refroidi par un seul côté par puce

0.150

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

Refroidi par un seul côté par puce

0.040

℃ /W

VISO

Tension d'isolement

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V. Le groupe

FM

Couple de connexion des bornes (M10)

10.0

12.0

N m

Couple de montage (M6)

4.5

6.0

N m

Tvj

Température de jonction

-40

140

℃

TSTG

Température de stockage

-40

125

℃

Wt

Poids

1260

g

Le schéma

415F3