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IGCT asymétrique (A-IGCT)

IGCT asymétrique (A-IGCT)

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Dispositif IGCT asymétrique, YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#

Modules IGCT asymétriques 6500 V, 4000 A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#
Appurtenance:

Brochure produit :Télécharger

  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Les modules IGCT asymétriques (A-IGCT) sont des dispositifs semi-conducteurs à haute puissance et haute fiabilité, conçus pour des applications avancées de conversion d’énergie électrique aux tensions moyenne et haute. En combinant les capacités élevées en tension et en courant de la technologie GTO avec les performances de commutation rapides de la technologie IGCT, les modules A-IGCT offrent une solution efficace pour les systèmes électroniques de puissance industriels exigeants.

Dotés d’une technologie avancée de fabrication de wafers et de structures optimisées, les modules IGCT asymétriques présentent de faibles pertes de conduction, une capacité élevée d’extinction, d’excellentes performances thermiques et une fiabilité opérationnelle remarquable. Ils sont conçus pour garantir un fonctionnement stable et durable dans des conditions industrielles sévères.

Les modules IGCT asymétriques sont largement utilisés dans les onduleurs haute tension, les alimentations électriques redresseuses industrielles, les systèmes de levage miniers, la traction ferroviaire, les systèmes d’amélioration de la qualité de l’énergie, les entraînements de moteurs de grande puissance et les systèmes de conversion d’énergie issus de sources renouvelables.

Caractéristiques principales :

Capacité haute tension pour les applications de puissance moyenne et élevée
Capacité haute intensité pour les systèmes de conversion d’énergie à grande échelle
Pertes de conduction faibles pour améliorer l’efficacité du système
Performances d’extinction rapides pour une réponse dynamique améliorée
Haute fiabilité pour un fonctionnement industriel continu
Conception à forte densité de puissance pour des systèmes électroniques de puissance compacts

Avec des performances électriques et une fiabilité exceptionnelles, les modules IGCT asymétriques offrent une solution semi-conductrice fondamentale pour les systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération, hautement efficaces et fiables.

YT-ASC40L6500IC

Paramètres Clés

V DRM

6500

V

E TGQM

4000

A

E TSM

26

kA

V À

1.88

V

barre T

0.56

mQ

V Le lien DC

4000

V

Données de blocage

Le symbole

Conditions

M sur

Typique

M le fer

V DRM

T Vj = 125°C, I D ≤ I DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

E DRM

T Vj = 125°C, V D =V DRM, t p = 10 ms

-

-

50

le nombre de

d v /dt

T Vj = 125°C, V D = 0,67V DRM

-

-

1000

V/μs

V Le DClin K

Voltage CC permanent pour un taux de défaillance de 100 FIT du GCT

-

-

4000

V

V RRM

\

-

-

17

V

Données sur les États

Le symbole

Conditions

M sur

Typique

M le fer

E CC

T C = 85 , Je suis à Washington. Déplacement de la chaudière

-

-

2000

A

E TSM

E 2t

T Vj = 125 , le péché cE demi-onde , 10 ms,

V D =V Barre =0

-

-

-

-

26

338

KA

104A 2 s

V TM

T Vj = 125℃, I T =4000A

-

3.75

4.11

V

V À

barre T

T Vj = 125℃, I T = 1000... Je suis désolé. 4000A

-

-

1.88

0.55

V

m oh

Données d'activation

Le symbole

Conditions d'essai

M sur

Typique

M le fer

di T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ s

t don

T Vj = 125 , Je T = 5000A, V D = 40une tension de 100 V ou plus,

di /dt = V D /Le , c CL =20μF, L e = 3μH, L CL = 0.3μH

-

-

3

μ s

t donSF

-

-

7

μ s

t barre

-

-

1

μ s

E sur

-

-

3.3

J

Données de débranchement

Le symbole

Conditions

M sur

Typique

M le fer

E TGQM

T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D = 4000V, L CL = 0.3μH,

C CL = 20μF, R S = 0. 4oh f=0..300 Hz

D Fwd = D CL = AN B 1100-60

-

-

4000

A

t - Je ne sais pas.

T Vj = 125, E TGQ = 4000A, V D =4000V,

V Dm V DRM , C CL = 20 μF, Barre S = 0.4 oh,

L e =3μH, L CL = 0.3μH

D Fwd = D CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t doffSF

-

-

7

μ s

t f

-

-

1

μ s

E éteint

-

442.5

46.3

J

Données thermiques

Le symbole

Conditions d'essai

M sur

Typique

M le fer

T Vj

T GST

/

0

-40

-

125

60

Barre le CJJ

Barre thCH

Déplacement de la chaudière

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

Unité de porte

Le symbole

Conditions d'essai

M sur

Typique

M le fer

V Nom de la marque RMS

"Télécommunications" qui sont des "communications" ou des "communications" qui sont des "communications" ou des "communications" qui sont des "communications" ou des "communications". Pas d'isolation galvanique du circuit électrique.

28

-

40

V

P Nom de la marque Max

/

-

-

130

L

E GIN MIN

Je ne sais pas. Courant nécessaire pour alimenter l'unité de la porte

2

-

-

A

E Nom de la marque

Le courant moyen rectifié limité par le

unité de porte

-

-

8

A

Entrée/sortie de commande optique

t sur ((min)

t à l'extérieur ((min)

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

P sur le CS

P O ff CS

P sur SF

P éteint SF

Valeur pour les fibres optiques en plastique de 1 mm (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t Le détecteur de détecteurs

t réinitialiser

Largeur maximale de l'impulsion sans réponse

/

-

700

-

-

400

1100

n.S.

n.S.

CS

Agilent Type : HFBR-2521: les produits de base sont les suivants:

SF

Agilent Type : HFBR-1521: les produits de base

Le schéma

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