module IGBT
Le module IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) représente une avancée révolutionnaire dans l'électronique de puissance, combinant les meilleures caractéristiques des technologies MOSFET et des transistors bipolaires. Ce dispositif semi-conducteur sophistiqué constitue un composant essentiel dans les applications modernes de contrôle de puissance, offrant des capacités de commutation exceptionnelles et une gestion efficace de l'énergie. Le module est composé de plusieurs circuits IGBT disposés selon diverses configurations, complétés par des diodes anti-parallèles et un emballage spécialisé conçu pour une gestion thermique optimale. Fonctionnant à des fréquences comprises entre 1 kHz et 100 kHz, les modules IGBT peuvent supporter des tensions allant de 600 V à 6500 V et des courants atteignant plusieurs milliers d'ampères. Ces modules excellent dans les applications nécessitant des capacités élevées de gestion de tension et de courant, les rendant indispensables dans les entraînements moteurs industriels, les systèmes d'énergie renouvelable et les groupes motopropulseurs des véhicules électriques. L'intégration de circuits de commande de grille avancés garantit un contrôle précis de la commutation, tandis que les fonctionnalités intégrées de protection protègent contre les surintensités, les courts-circuits et les dépassements de température. Les modules IGBT modernes intègrent également des solutions sophistiquées de gestion thermique, notamment des substrats en cuivre directement brasés (DCB) et des systèmes de refroidissement avancés, permettant un fonctionnement fiable même dans des conditions difficiles.