Ventajas clave
Capacidad integrada de bloqueo de tensión inversa para un diseño de sistema simplificado;
Capacidad de alta tensión y alta corriente para aplicaciones de conversión de potencia a gran escala;
Pérdidas de conducción ultra-bajas para una mayor eficiencia energética;
Capacidad de conmutación rápida con un excelente rendimiento de conmutación;
Diseño avanzado de empaque tipo press-pack con capacidad de refrigeración bilateral;
Alta fiabilidad bajo condiciones de esfuerzo eléctrico, térmico y mecánico .
Aplicaciones
Transmisión de corriente continua de alto voltaje (HVDC);
Sistemas flexibles de transmisión de corriente alterna (FACTS);
Convertidores de media y alta tensión;
Sistemas de alimentación para tracción ferroviaria;
Fuentes de alimentación industriales a gran escala;
Sistemas de conversión de energía renovable y conexión a la red;
Aplicaciones de almacenamiento de energía y conversión de alta potencia.
YT-RBC52L3300IC
Parámetros clave
V DRM |
V |
3300 |
V RRM |
V |
3300 |
ITGQM |
A |
5200 |
ITSM |
A |
27×103 |
V A |
V |
1.20 |
barra T |
mΩ |
0.26 |
V D |
V |
2000 |
Bloqueo Datos
Símbolo l |
UNIDAD |
Condición |
MIN |
Tipo |
Máx. |
V DRM |
V |
energización de la unidad de puerta , T j =90℃,I D ≤IDRM , tp=10 ms |
|
|
3300 |
V RRM |
V |
energización de la unidad de puerta , T j =90℃,I Barra ≤IRRM , tp=10 ms |
|
|
3300 |
IDRM |
el número de |
energización de la unidad de puerta , T j =90℃,V D=V DRM , tp=1 0 ms |
|
|
200 |
IRRM |
el número de |
energización de la unidad de puerta , T j =90℃,V Barra =V RRM , tp= 10ms |
|
|
200 |
V D |
V |
alimentación de la unidad de compuerta, T j = 90 ℃, I D ≤IDM |
|
|
2000 |
Datos de estado de encendido
Símbolo l |
UNIDAD |
Condición |
MIN |
Tipo |
Máx. |
ITAV |
A |
T c =70℃, ¿Qué es esto? refrigeración de doble cara |
|
1200 |
|
IT(RMS) |
A |
|
2500 |
|
ITSM |
A |
t p = 10 ms, T j =90℃ ¿Qué es esto?
sin tensión aplicada tras la sobretensión
|
|
|
27×103 |
I2t |
A2s |
3.92×106 |
V TM |
V |
ITM = 4000 A, T j =90℃ |
|
2.25 |
|
V A |
V |
T j =90℃
IT = 1000…7000 A
|
|
1.20 |
|
barra T |
mΩ |
|
0.26 |
|
Símbolo l |
UNIDAD |
Condición |
MIN |
Tipo |
Máx. |
|
di T /dt(Cr)
|
A/μs
|
f = 0…1000 Hz, T j =25℃ 、 90 °C, I T = 5200 A, V D= 2000 V, I TM ≤ 6000 A |
|
|
1000
|
t en el |
μs |
V D= 2000 V, T j =90℃
IT = 5200 A, di/dt = V D/Li Li = 3 μH
CCL = 10 μF, L CL = 0,3 μH DCL = D FWD
|
|
10 |
|
t d(on)SF |
μs |
|
7 |
|
t barra |
μs |
|
4 |
|
Eactivado |
J |
|
4 |
|
|
ITGQM
|
A
|
V D≤V DRM , T j =90℃
V D=2000 V, R S =0,35 Ω CCL = 10 μF, L CL ≤0,3 μH DCL = D FWD
|
|
|
5200
|
t d (off ) |
μs |
V D= 2000 V, T j =90℃ V D≤V DRM , r S =0,35 Ω ITGQ =5200 A, L i = 3 μH CCL = 10 μF, L CL = 0,3 μH DCL = D FWD |
|
50 |
|
t d(off)SF |
μs |
|
7 |
|
Eoff |
J |
|
50 |
|
EN
