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Módulo de Transistor IGBT TIM250PHM33-PSA011 para Inversor de Choppers Nuevo y Original Módulo de Potencia IGBT de CRRC Choppers

Módulo de Transistor IGBT TIM250PHM33-PSA011 para Inversor de Choppers Nuevo y Original Módulo de Potencia IGBT de CRRC Choppers

Introducción

Perfil de la empresa

Beijing World E To Technology Co., Ltd. es una empresa basada en la tecnología con calificaciones de importación y exportación, fundada sobre los principios de innovación y excelencia, se encuentra en la vanguardia de las soluciones alternativas y la tecnología de semiconductores. Especializada en el diseño de productos de semiconductor, personalización contractual y distribución. Tenemos requisitos estrictos en la elección de socios de cooperación, solo cooperamos con empresas tecnológicas y fabricantes con tecnología de diseño y fabricación de primera clase. La personalización de la optimización de las líneas de transmisión automática de la fábrica es otra parte importante de nuestra fabricación bajo contrato.

Nuestra productos

1	Modulo IGBT y Conductor
2	Módulo IGCT y Conductor
3	Módulo FRD
4	Modulo de diodo
5	Módulo de tiristores
6	Sensor de corriente
7	El condensador
8	Resistor
9	Rele de estado sólido
10	Robots industriales y componentes principales
11	Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales

Descripción de los productos

Características

(1) Base de AISiC
(2) Substratos de AIN
(3) Alta capacidad de ciclado térmico
(4) Resistencia a cortocircuitos de 10μs

Aplicaciones típicas

(1) Aparatos auxiliares de tracción
(2) Controladores de motores
(3) Choppers
(4)Inversor de Alta Fiabilidad

TIM250PHM33-PSA011

3300V/250A Puente Semi IGBT

Parámetros clave

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}		3300	V
V _{CE (sat)}	Es el tipo.	2.5	V
Yo _C	Máx.	250	A. El
Yo _C(RM)	IC ((RM)	500	A. El

Clasificaciones máximas absolutas

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}	Voltagem del colector-emittente	3300	V
V _{El GES}	Voltagem del emisor de la puerta	±20	V
Yo _C	Corriente Colectora @ T _C=100℃	250	A. El
Yo _C(PK)	Corriente Colectora Pulsada t _p=1 ms	500	A. El
P _máx	Disposición máxima de energía del transistor La temperatura de los gases de efecto invernadero se calculará en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero.	2600	W
Yo ²t	Diodo I ²t V _Rel valor de la presión de escape _P= 10ms, Tvj = 150 °C	20	kA ²s
V _sólo	Voltado de aislamiento por módulo (Bornes comunes conectados a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	W
¿Qué es? _PD	Descarga parcial por módulo IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	pC

Datos térmicos y mecánicos

El símbolo	Explicación	Valor	Unidad
Distancia de creepage	Terminal para el sumidero	33.0	mm
Distancia de creepage		Terminal a terminal	33.0	mm
Autorización	Terminal para el sumidero	20.0	mm
Autorización		Terminal a terminal	20.0	mm
CTI (Índice de seguimiento comparativo)	Corriente Directa Máxima del Diodo t _p=1 ms	＞600

Datos térmicos y mecánicos

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Máx.	Valor		Unidad
R _{th(J-C) IGBT}	Resistencia térmica – IGBT			48	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diodo}	Resistencia térmica – Diodo			80	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Resistencia térmica – de la carcasa al disipador de calor (IGBT)	Par de montaje 5Nm, con grasa de montaje 1W/m·°C		18	K / kW		℃

R _{th(C-H) Diodo}	Resistencia térmica – de la carcasa al disipador de calor (Diodo)	Par de montaje 5Nm, con grasa de montaje 1W/m·°C		36	K / kW		V
T _{vj op}	Temperatura de funcionamiento de las uniones	El IGBT	-40	150	°C
T _{vj op}	Temperatura de funcionamiento de las uniones			Diodo	-40	150	°C
M	Par de tornillo	Montaje –M6		5	nm
M			Conexiones eléctricas – M5		4	nm

Características Eléctricas

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad
Yo _{El CES}	Corriente de corte del colector	V _{El sector de la energía}= 0V, V _CE= V _{El CES}			1	el número de
				V _{El sector de la energía}= 0V, V _CE= V _{El CES}, T _C= 125 °C			15	el número de
				V _{El sector de la energía}= 0V, V _CE= V _{El CES}, T _C= 150 °C			25	el número de
Yo _{El GES}	Corriente de fuga de la puerta	V _{El sector de la energía}= ±20V, V ^CEel valor de la energía			1	mA
V _{GE (TH)}	Voltagem de umbral de la puerta	Yo _C= 20mA, V _{El sector de la energía}= VCE	5.5	6.1	7.0	V
VCE _(sat)	Tensión de saturación colector-emisor	VGE = 15V, IC = 250A
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
Yo _F	Corriente de diodo hacia adelante	CC		250		A. El
Yo _{El MFR}	Corriente de pico directa del diodo	t _P= 1ms		500		A. El
V _F	Voltado del diodo hacia adelante	Yo _F= 250A, V _{El sector de la energía}= 0		2.10	2.40	V
				Yo _F= 250A, V _{El sector de la energía}= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	V
				Yo _F= 250A, V _{El sector de la energía}= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	V
Yo _SC	Corriente de cortocircuito	T _vj= 150° C, V _CC= 2500V, V _{El sector de la energía}≤15V, tp≤10μs, V _CE(máx) = V _{El CES}– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		A. El
Las	Capacidad de entrada	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		nF (número de trabajo)
El número de	Cargo por puerta	±15		2.6		V
El Cres	Capacidad de transferencia inversa	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		nF (número de trabajo)
L _M	Inductancia del módulo			40		nH
R _INT	Resistencia interna del transistor			0.5		mΩ

Por qué elegirnos

1. Solo distribuimos productos de fabricantes chinos con tecnología de primera clase. Esta es nuestra medida clave.
2. Tenemos requisitos estrictos en la selección de fabricantes.
3. Tenemos la capacidad de proporcionar a los clientes soluciones alternativas desde China.
4. Contamos con un equipo responsable.

Envase del producto