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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD2400SGX170C4S,Módulo IGBT,Módulo IGBT de alta corriente,STARPOWER

1700V 2400A, C4

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD2400SGX170C4S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por STARPOWER. 1 7las demás 2400A ,C4 .

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de unión 175oC
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Placa base de AlSiC para la capacidad de ciclo de alta potencia
  • Sustrato de AlN para baja resistencia térmica cE

Aplicaciones típicas

  • Conversores de alta potencia
  • Accionamientos de motores

En absoluto Máximo Calificaciones El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1700

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I Do

Corriente Colectora @ T Do =100o Do

2400

A

I Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

4800

A

P D

Disipación de potencia máxima @ T j =175o Do

13.7

kW

Diodo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1700

V

I F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

2400

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

4800

A

I FSM

Corriente de Pico V R =0V,T p =10ms, @T j =25o Do @T j =150o Do

18.65 15.25

kA

I 2el

I 2el valor de t,V R =0V,T p =10m s,T j =25o Do I 2el valor de t,V R =0V,T p =10ms ,t j =150o Do

1739

1162

kA 2s

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

El jmax

Temperatura máxima de unión

175

o Do

El el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o Do

El El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o Do

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

4000

V

El IGBT Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

I Do =2400A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

1.85

2.30

V

I Do =2400A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =125o Do

2.25

I Do =2400A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =150o Do

2.35

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I Do =96.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , El j =25o Do

5.6

6.2

6.8

V

I El CES

El colector Corte -Off Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El j =25o Do

5.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25o Do

400

nA

R El ginto

Resistencia interna de puerta tancia

0.6

ω

Do ies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

285

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa Capacidad

7.13

nF (número de trabajo)

¿Qué es? GRAMO

Cargo por puerta

V El sector de la energía el valor de la carga de la corriente eléctrica

23.5

el valor de la concentración

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 900V,I Do =2400A, R GRAMO =0.82Ω, L S =32nH ,V El sector de la energía =-9V/+15V,

El j =25o Do

609

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

232

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

1676

el Consejo

el f

Tiempo de caída

192

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

784

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

785

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 900V,I Do =2400A, R GRAMO =0.82Ω, L S =32nH ,V El sector de la energía =-9V/+15V,

El j =125o Do

732

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

280

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

2171

el Consejo

el f

Tiempo de caída

243

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

1350

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

1083

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 900V,I Do =2400A, R GRAMO =0.82Ω, L S =32nH ,V El sector de la energía =-9V/+15V,

El j =150o Do

772

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

298

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

2294

el Consejo

el f

Tiempo de caída

298

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

1533

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

1126

mJ

I SC

Datos de la SC

el P ≤10μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

El j =150o C, V CC =1000V, V El CEM no más de 700 V

10.5

kA

Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

I F =2400A,V El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.80

2.25

V

I F =2400A,V El sector de la energía =0V,T j =125o Do

1.90

I F =2400A,V El sector de la energía =0V,T j =150o Do

1.95

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 900V,I F =2400A,

-di/dt=9570A/μs,V El sector de la energía =-9V, L S =32nH ,El j =25o Do

243

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

1656

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

274

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 900V,I F =2400A,

-di/dt=7500A/μs,V El sector de la energía =-9V, L S =32nH ,El j =125o Do

425

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

1692

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

438

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 900V,I F =2400A,

-di/dt=6990A/μs,V El sector de la energía =-9V, L S =32nH ,El j =150o Do

534

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

1809

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

563

mJ

Módulo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

L CE

Inductividad de alejamiento

6.0

nH

R CC+EE

Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip

0.10

R el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo)

10.9 20.9

K/kW

R el CH

Caso -a -Disipador de calor (perIGBT )Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo)

6.1 11.7 4.0

K/kW

d Deslizamiento

Terminal-a-Dissipador Terminal-a-Terminal

32.2 32.2

mmm

d Claro

Terminal-a-Dissipador Terminal-a-Terminal

19.1 19.1

mmm

METRO

El par de conexión de la terminal, Tornillo M4 El par de conexión de la terminal, El tornillo M8 Torque de montaje Tornillo M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Nuevo Méjico

GRAMO

Peso de Módulo

1500

gRAMO

Esquema

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