Introducción breve
Los módulos IGCT asimétricos (A-IGCT) son dispositivos semiconductores de alta potencia y alta fiabilidad, diseñados para aplicaciones avanzadas de conversión de potencia de media y alta tensión. Al combinar la capacidad de alta tensión y alta corriente de la tecnología GTO con el rendimiento de conmutación rápida de la tecnología IGCT, los módulos A-IGCT ofrecen una solución eficiente para sistemas electrónicos de potencia industriales exigentes.
Gracias a una tecnología avanzada de fabricación de obleas y estructuras de dispositivo optimizadas, los módulos IGCT asimétricos ofrecen bajas pérdidas de conducción, elevada capacidad de apagado, un excelente comportamiento térmico y una extraordinaria fiabilidad operativa. Están diseñados para garantizar una operación estable y duradera en condiciones industriales severas.
Los módulos IGCT asimétricos se utilizan ampliamente en inversores de alta tensión, fuentes de alimentación rectificadoras industriales, sistemas de izado minero, tracción ferroviaria, sistemas de mejora de la calidad de la energía, accionamientos de motores de gran tamaño y sistemas de conversión de potencia de energías renovables.
Características principales:
Capacidad de alta tensión para aplicaciones de potencia media y alta
Capacidad de alta corriente para sistemas de conversión de potencia a gran escala
Bajas pérdidas de conducción para mejorar la eficiencia del sistema
Rendimiento rápido de apagado para una respuesta dinámica mejorada
Alta fiabilidad para funcionamiento industrial continuo
Diseño de alta densidad de potencia para sistemas electrónicos de potencia compactos
Con un excelente rendimiento eléctrico y fiabilidad, los módulos IGCT asimétricos ofrecen una solución semiconductor fundamental para los sistemas electrónicos de potencia de próxima generación, de alta eficiencia y alta fiabilidad.
YT-ASC40L6500IC
Parámetros clave
V DRM |
6500 |
V |
I TGQM |
4000 |
A |
I TSM |
26 |
kA |
V A |
1.88 |
V |
barra T |
0.56 |
mQ |
V DClink |
4000 |
V |
Datos de bloqueo
El símbolo |
Condiciones |
Men |
Típico |
Max |
|
V DRM |
T Vj =125℃, I D≤I DRM, t p =10ms |
- |
- |
6500 |
V |
IDRM |
T Vj =125℃, V D=V DRM, t p =10ms |
- |
- |
50 |
el número de |
d v /dt |
T Vj =125℃, V D=0.67V DRM |
- |
- |
1000 |
V/μs |
V DClin K |
Voltaje DC permanente para una tasa de falla de 100 FIT de GCT |
- |
- |
4000 |
V |
V RRM |
\ |
- |
- |
17 |
V |
Datos de estado de encendido
El símbolo |
Condiciones |
Men |
Típico |
Max |
|
ICC |
T C= 85 ℃,DC, Enfriado por ambos lados |
- |
- |
2000 |
A |
|
ITSM
I 2t
|
T Vj = 125 ℃,sin cE media onda , 10ms,
V D=V Barra =0
|
-
-
|
-
-
|
26
338
|
KA
104A2 s
|
V TM |
T Vj = 125℃, I T =4000A |
- |
3.75 |
4.11 |
V |
|
V A
barra T
|
T Vj = 125℃, I T = 1000… 4000A |
- |
- |
1.88
0.55
|
V
m ω
|
Datos de encendido
El símbolo |
Condiciones de ensayo |
Men |
Típico |
Max |
|
di T /dt |
TVJ = 125 ℃, IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz |
- |
- |
5000 |
A/ μ s |
t don |
T Vj = 125 ℃, Yo T = 5000A, V D = 4000V,
di /dt = V D/Li , c CL =20μF, L i = 3μH, L CL = 0.3μH
|
- |
- |
3 |
μ s |
t donSF |
- |
- |
7 |
μ s |
t barra |
- |
- |
1 |
μ s |
Eactivado |
- |
- |
3.3 |
J |
Datos de apagado
El símbolo |
Condiciones |
Men |
Típico |
Max |
|
ITGQM |
T Vj = 125℃, V DM ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0.3μH,
CCL = 20μF, R S = 0. 4ω ，f=0..300Hz
DFWD = D CL = FY B 1100-60
|
- |
- |
4000 |
A |
t doff |
T Vj = 125℃,ITGQ = 4000A, V D=4000V,
V DM ≤ V DRM ,CCL = 20μF, Barra S = 0.4 ω,
L i =3μH, LCL = 0.3μH
DFWD = D CL = FYB 1100-60
|
- |
- |
8 |
μ s |
t doffSF |
- |
- |
7 |
μ s |
t f |
- |
- |
1 |
μ s |
Eoff |
- |
442.5 |
46.3 |
J |
Datos térmicos
El símbolo |
Condiciones de ensayo |
Men |
Típico |
Max |
|
|
T Vj
T El GST
|
/ |
0
-40
|
- |
125
60
|
℃
℃
|
|
Barra el JC
Barra el CH
|
Enfriado por ambos lados |
-
-
|
-
-
|
8.5
3
|
K/kW
K/kW
|
Unidad de puerta
El símbolo |
Condiciones de ensayo |
Men |
Típico |
Max |
|
V GIN RMS |
Voltaje DC o amplitud de onda cuadrada AC (15kHz - 100kHz). Sin aislamiento galvánico al circuito de potencia. |
28 |
- |
40 |
V |
PGIN Máx. |
/ |
- |
- |
130 |
A |
IGIN MIN |
Corriente mínima necesaria para encender la unidad de puerta |
2 |
- |
- |
A |
IGIN MAX |
Corriente promedio rectificada limitada por la
unidad de puerta
|
- |
- |
8 |
A |
Entrada/salida de control óptico
|
t on(min)
t off(min)
|
/ |
40
40
|
-
-
|
-
-
|
μ s
μ s
|
|
Pen CS
POfF CS
Pen SF
Poff SF
|
Válido para fibra óptica de plástico (POF) de 1 mm |
-15
-
-19
-
|
-
-
-
-
|
-1
-45
-1
-50
|
dBm
dBm
dBm
dBm
|
|
t GLITCH
t retrig
|
Ancho de pulso máximo sin respuesta
/
|
-
700
|
-
-
|
400
1100
|
el Consejo
el Consejo
|
CS |
Agilent ，Tipo: HFBR-2521 |
SF |
Agilent ，Tipo: HFBR-1521 |
EN
