Todas las categorías
Solicitar cotización

Solicitar un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Email
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000

IGCT asimétrico (A-IGCT)

IGCT asimétrico (A-IGCT)

Página de inicio /  Productos /  Módulo Igct /  IGCT asimétrico (A-IGCT)

Dispositivo IGCT asimétrico, YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#

Módulos IGCT asimétricos de 6500 V y 4000 A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#
Appurtenance:

Folleto del producto:Descargar

  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Introducción breve

Los módulos IGCT asimétricos (A-IGCT) son dispositivos semiconductores de alta potencia y alta fiabilidad, diseñados para aplicaciones avanzadas de conversión de potencia de media y alta tensión. Al combinar la capacidad de alta tensión y alta corriente de la tecnología GTO con el rendimiento de conmutación rápida de la tecnología IGCT, los módulos A-IGCT ofrecen una solución eficiente para sistemas electrónicos de potencia industriales exigentes.

Gracias a una tecnología avanzada de fabricación de obleas y estructuras de dispositivo optimizadas, los módulos IGCT asimétricos ofrecen bajas pérdidas de conducción, elevada capacidad de apagado, un excelente comportamiento térmico y una extraordinaria fiabilidad operativa. Están diseñados para garantizar una operación estable y duradera en condiciones industriales severas.

Los módulos IGCT asimétricos se utilizan ampliamente en inversores de alta tensión, fuentes de alimentación rectificadoras industriales, sistemas de izado minero, tracción ferroviaria, sistemas de mejora de la calidad de la energía, accionamientos de motores de gran tamaño y sistemas de conversión de potencia de energías renovables.

Características principales:

Capacidad de alta tensión para aplicaciones de potencia media y alta
Capacidad de alta corriente para sistemas de conversión de potencia a gran escala
Bajas pérdidas de conducción para mejorar la eficiencia del sistema
Rendimiento rápido de apagado para una respuesta dinámica mejorada
Alta fiabilidad para funcionamiento industrial continuo
Diseño de alta densidad de potencia para sistemas electrónicos de potencia compactos

Con un excelente rendimiento eléctrico y fiabilidad, los módulos IGCT asimétricos ofrecen una solución semiconductor fundamental para los sistemas electrónicos de potencia de próxima generación, de alta eficiencia y alta fiabilidad.

YT-ASC40L6500IC

Parámetros clave

V DRM

6500

V

I TGQM

4000

A

I TSM

26

kA

V A

1.88

V

barra T

0.56

mQ

V DClink

4000

V

Datos de bloqueo

El símbolo

Condiciones

M en

Típico

M ax

V DRM

T Vj =125℃, I D ≤I DRM, t p =10ms

-

-

6500

V

I DRM

T Vj =125℃, V D =V DRM, t p =10ms

-

-

50

el número de

d v /dt

T Vj =125℃, V D =0.67V DRM

-

-

1000

V/μs

V DClin K

Voltaje DC permanente para una tasa de falla de 100 FIT de GCT

-

-

4000

V

V RRM

\

-

-

17

V

Datos de estado de encendido

El símbolo

Condiciones

M en

Típico

M ax

I CC

T C = 85 , DC, Enfriado por ambos lados

-

-

2000

A

I TSM

I 2t

T Vj = 125 , sin cE media onda , 10ms,

V D =V Barra =0

-

-

-

-

26

338

KA

104A 2 s

V TM

T Vj = 125℃, I T =4000A

-

3.75

4.11

V

V A

barra T

T Vj = 125℃, I T = 1000… 4000A

-

-

1.88

0.55

V

m ω

Datos de encendido

El símbolo

Condiciones de ensayo

M en

Típico

M ax

di T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ s

t don

T Vj = 125 , Yo T = 5000A, V D = 4000V,

di /dt = V D /Li , c CL =20μF, L i = 3μH, L CL = 0.3μH

-

-

3

μ s

t donSF

-

-

7

μ s

t barra

-

-

1

μ s

E en

-

-

3.3

J

Datos de apagado

El símbolo

Condiciones

M en

Típico

M ax

I TGQM

T Vj = 125℃, V DM ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0.3μH,

C CL = 20μF, R S = 0. 4ω f=0..300Hz

D FWD = D CL = FY B 1100-60

-

-

4000

A

t doff

T Vj = 125, I TGQ = 4000A, V D =4000V,

V DM V DRM , C CL = 20μF, Barra S = 0.4 ω,

L i =3μH, L CL = 0.3μH

D FWD = D CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t doffSF

-

-

7

μ s

t f

-

-

1

μ s

E off

-

442.5

46.3

J

Datos térmicos

El símbolo

Condiciones de ensayo

M en

Típico

M ax

T Vj

T El GST

/

0

-40

-

125

60

Barra el JC

Barra el CH

Enfriado por ambos lados

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

Unidad de puerta

El símbolo

Condiciones de ensayo

M en

Típico

M ax

V GIN RMS

Voltaje DC o amplitud de onda cuadrada AC (15kHz - 100kHz). Sin aislamiento galvánico al circuito de potencia.

28

-

40

V

P GIN Máx.

/

-

-

130

A

I GIN MIN

Corriente mínima necesaria para encender la unidad de puerta

2

-

-

A

I GIN MAX

Corriente promedio rectificada limitada por la

unidad de puerta

-

-

8

A

Entrada/salida de control óptico

t on(min)

t off(min)

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

P en CS

P O fF CS

P en SF

P off SF

Válido para fibra óptica de plástico (POF) de 1 mm

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t GLITCH

t retrig

Ancho de pulso máximo sin respuesta

/

-

700

-

-

400

1100

el Consejo

el Consejo

CS

Agilent Tipo: HFBR-2521

SF

Agilent Tipo: HFBR-1521

Esquema

Solicitar un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Email
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000

Producto relacionado

¿Tiene preguntas sobre algún producto?

Nuestro equipo profesional de ventas lo espera para su consulta.
Puedes seguir su lista de productos y hacer cualquier pregunta que te interese.

Solicitar cotización

Solicitar un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Email
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000

Solicitar un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Email
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000