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SiC MOSFET

SiC MOSFET

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SiC MOSFET

SiC-MOSFET-Serie
SiC-MOSFET-Serie

SiC-MOSFET-Serie

650 V bis 3300 V

Brand:
SCE
Spu:
SiC-MOSFET-Serie
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  • Einleitung
Einleitung

Leistungsstarke Halbleiterlösungen der nächsten Generation

Unser SiC-MOSFET-Portfolio umfasst Spannungsbereiche von 650 V bis 3300 V , und bietet hervorragende Effizienz, hohe Leistungsdichte sowie überlegene Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Leistungswandlungsanwendungen.

Hauptmerkmale

  • Spannungsbereich: 650 V – 3300 V

  • Niedriger RDS(on)-Wert und extrem geringe Schaltverluste

  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit für den Betrieb mit hoher Frequenz

  • Maximale Sperrschichttemperatur bis zu 175°C

  • Hohe Leistungsdichte und vereinfachtes Thermomanagement

  • Erhöhte Systemeffizienz und reduzierte Betriebskosten

Anwendungen

  • Ladesysteme für Elektrofahrzeuge

  • Wechselrichter für Solarenergie und Energiespeichersysteme (ESS)

  • Industrielle Motorantriebe

  • USV-Systeme und Stromversorgungen für Rechenzentren

  • Schienenverkehr und Hochleistungs-Wandler

  • Intelligente Stromnetze und erneuerbare Energiesysteme

Warum SiC?

Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauelementen bieten SiC-MOSFETs höhere Effizienz, geringere Systemabmessungen, niedrigere Kühlungsanforderungen und verbesserte Zuverlässigkeit , was die Entwicklung kompakterer und energieeffizienterer leistungselektronischer Systeme ermöglicht.

Die Zukunft der hocheffizienten Leistungsumwandlung vorantreiben.
Spannungsbereich: 650 V | 1200 V | 1700 V | 2000 V | 3300 V

SiC MOSFET
650V
Produkt-Artikelnummer R DS(on) @25℃ W D V Gs Verpackung
SCE300N650MDSK 4 mΩ 300A 18 V SOT227
SCE100N650MT3 12MΩ 100A 18 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE100N650MT4 12MΩ 100A 18 V TO-247-4
SCER12N650MD02 12MΩ 100A 18 V Tribut
SCER35N650MD02 35 mΩ 60A 18 V Tribut
SCER35N650MD88 35 mΩ 60A 18 V PDFN8*8
SCE60N650MT3 30mΩ 60A 18 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE60N650MT4 30mΩ 60A 18 V TO-247-4
SCE60N650MDT7 30mΩ 60A 18 V DT3PAK
SCE60N650MT7 30mΩ 60A 18 V TO-263-7
SCE30N650MF3 60 mΩ 30A 18 V TO-220F
SCE30N650MT3 60 mΩ 36a 18 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE30N650MT4 60 mΩ 36a 18 V TO-247-4
SCE30N650MT7 60 mΩ 36a 18 V TO-263-7
SCER60N650MD88 60 mΩ 36a 18 V PDFN8*8
SCER90N650MD88PB 72 mΩ 25A 12 V PDFN8*8
SCE25N650MF3 88 mΩ 25A 12 V TO-220F
SCE20N650MF3C 180 mΩ 20A 12 V / 15 V / 18 V TO-220F
SCER180N650D52C 180 mΩ 20A 12 V / 15 V / 18 V Bis 252-3
SCE15N650MF3C 260 mΩ 15A 12 V / 15 V / 18 V TO220F
SCER260N650D52C 260 mΩ 15A 12 V / 15 V / 18 V Bis 252-3
SCER320N650MD56 320 mΩ 8A<br> 12 V PDFN5×6
SCER320N650MD56R 320 mΩ 8A<br> 12 V PDFN5×6
SCER320N650MD88 320 mΩ 8A<br> 12 V PDFN8*8
SCE8N650MF3C 360 mΩ 8A<br> 12 V / 15 V / 18 V TO220F
SCER380N650D52C 380 mΩ 8A<br> 12 V / 15 V / 18 V Bis 252-3
1200V
Produkt-Artikelnummer R DS(on) @25℃ W D V Gs Verpackung
SCE200N1200MDSK 7,5 mΩ 250A 18 V SOT227
SCE200N1200MT4X 7,5 mΩ 250A 18 V TO-247-4
SCE200N1200MT4 8 mΩ 200A 18 V TO-247-4
SCE150N1200MT4 10mΩ 150A 15 V/18 V TO-247-4
SCE150N1200MT4G 10mΩ 150A 15 V/18 V TO-247-4
SCE100N1200MDS 16 mΩ 100A 18 V SOT227
SCE100N1200MDSK 16 mΩ 100A 18 V SOT227
SCE100N1200MT3 16 mΩ 100A 18 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE100N1200MT4 16 mΩ 115A 18 V TO-247-4
SCE100N1200MT4X 16 mΩ 115A 15 V/18 V TO-247-4
SCER16N1200MD02 16 mΩ 100A 18 V Tribut
SCE100N1200MT4PB 20mΩ 100A 15V TO-247-4
SCER20N1200MD02PB 20mΩ 100A 15V Tribut
SCE75N1200MT4PB 30mΩ 75A 15 V/18 V TO-247-4
SCE75N1200MT4SPB 30mΩ 75A 15 V/18 V TO-247-4
SCE75N1200MT4SX 30mΩ 75A 15 V/18 V TO-247-4
SCE75N1200MT4X 30mΩ 75A 15 V/18 V TO-247-4
SCER30N1200MD03X 30mΩ 75A 15 V/18 V TOLT
SCER30N1200MD04X 30mΩ 75A 15 V/18 V QDPAK
SCE60N1200MT3 45 mΩ 60A 18 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE60N1200MT4 45 mΩ 60A 18 V TO-247-4
SCE60N1200MT4i 45 mΩ 60A 18 V TO-247-4
SCE60N1200MT4S 45 mΩ 60A 18 V TO-247-4
SCE60N1200MT7 45 mΩ 60A 18 V TO-263-7
SCER45N1200MD02 45 mΩ 60A 18 V Tribut
SCER45N1200MD03 45 mΩ 60A 18 V TOLT
SCER50N1200MD88 50MΩ 60A 18 V PDFN8*8
SCE30N1200MT3 80 mΩ 32A 18 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE30N1200MT4 80 mΩ 32A 18 V TO-247-4
SCE30N1200MT7 80 mΩ 32A 18 V TO-263-7
SCER80N1200MD02 80 mΩ 30A 18 V Tribut
SCER80N1200MD88 80 mΩ 30A 18 V PDFN8*8
SCE20N1200MT3PB 160 mΩ 20A 15V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE20N1200MT4PB 160 mΩ 20A 15V TO-247-4
SCE20N1200MT7PB 160 mΩ 20A 15V TO-263-7
SCER160N1200MD02PB 160 mΩ 20A 15V Tribut
SCER160N1200MD88PB 160 mΩ 20A 15V PDFN8*8
1500V
Produkt-Artikelnummer R DS(on) @25℃ W D V Gs Verpackung
SCE30N1500MT4 60 mΩ 30A 18 V TO-247-4L
SCE30N1500MT4LQ 60 mΩ 30A 18 V TO-247-4L
mit einer Leistung von
Produkt-Artikelnummer R DS(on) @25℃ W D V Gs Verpackung
SCE120N1700MT4L 14 mΩ 120A 15 V/18 V TO-247-4L
SCE120N1700MT4LG 14 mΩ 120A 15 V/18 V TO-247-4L
SCE100N1700MT3 25 mΩ 100A 18 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE100N1700MT4L 26 mΩ 100A 18 V TO-247-4L
SCE100N1700MT4i 25 mΩ 100A 18 V TO-247-4
SCE40N1700MT3 72 mΩ 40A 18 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE40N1700MT4L 72 mΩ 40A 18 V TO-247-4L
SCE5N1700MT3PB 750 mΩ 5A 12 V Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen:
SCE5N1700MT7PB 750 mΩ 5A 12 V TO-263-7
SCE1N1700MF3PB 10000 mΩ 1A 12 V TO-220F
2000 V
Produkt-Artikelnummer R DS(on) @25℃ W D V Gs Verpackung
SCE30N2000MT4PB 88 mΩ 30A 15V TO-247-4
mit einem Stromverbrauch von
Produkt-Artikelnummer R DS(on) @25℃ W D V Gs Verpackung
SCE80N3300MT4 40 mΩ 80A 18 V TO-247-4
SCE20N3300MT4 160 mΩ 20A 18 V TO-247-4

产品系列图(1).png

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