1500A,600V bis 1800V, 436F3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Thyristor/ Diodenmodul , Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt. ，1500Ein ,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
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VRRM,VDRM |
Typ und Gliederung |
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600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V |
MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MTx 1500-8-436F3 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1 |
MFx1500-6-436F3 MFx 1500-8-436F3 MFx1500-10-436F3 MFx1500-12-436F3 MFx1500-14-436F3 MFx1500-16-436F3 MFx1500-18-436F3 |
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MTx steht für art der MTC, MTA, MTK MFx steht für jede Art e von MFC, Außenminister, MFK | ||
Funktionen
Typische Anwendungen
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
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Min |
TYP |
Max |
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IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=70 ℃ |
125 |
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1500 |
Ein |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
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130 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus, |
125 |
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30 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
125 |
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4500 |
103Ein 2s |
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VTO |
Schwellenspannung |
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125 |
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0.80 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
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0.14 |
mΩ |
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VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM=3000A |
25 |
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1.60 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
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1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend |
125 |
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200 |
A/μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA=12V, IA=1A |
25 |
40 |
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200 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
1.0 |
|
3.0 |
V |
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IH |
Haltestrom |
20 |
|
200 |
mA |
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VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
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0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
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0.025 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
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0.018 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
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3000 |
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|
V |
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FM |
Drehmoment der Endverbindung ((M16) |
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20 |
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N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M12) |
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14 |
|
N·m |
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Fernsehen |
Junction-Temperatur |
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-40 |
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125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
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6800 |
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g |
Gliederung |
436F3 |
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