Kurze Einführung 
Thyristor/Diode-Modul, Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt. ,1500A ,Luftkühlung   ,von TECHSEM produziert. 
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VRRM,VDRM     | 
Typ und  Gliederung     | 
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 600V    
800V    
1000V   
1200V   
1400V     
1600V     
1800V     
1800V    
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 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2     
MTx 1500-8-436F3     
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 MFx1500-6-436F3    
MFx 1500-8-436F3  
MFx1500-10-436F3   
MFx1500-12-436F3   
MFx1500-14-436F3   
MFx1500-16-436F3   
MFx1500-18-436F3  
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 MTx steht für art der  MTC,  MTA,  MTK   
MFx steht für jede Art e von  MFC,  Außenminister,  MFK  
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Merkmale 
- Isolierte Montagesockel 3000V~   
 
- Druckkontakttechnologie mit   
 
- Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit   
 
- Platz- und Gewichtseinsparung   
 
Typische Anwendungen 
- AC/DC-Motorantriebe 
 
- Verschiedene Gleichrichter   
 
- Gleichstromversorgung für PWM-Inverter 
 
 
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Symbol  
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Eigenschaften  
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Prüfbedingungen  
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Tj(   ℃ )  | 
Wert     | 
   
Einheit  
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Min     | 
TYP   | 
Max     | 
IT(AV)   | 
Mittlerer Einschaltstrom   | 
 180° halbe Sinuswelle 50Hz    
Einseitig gekühlt, TC=70 ℃  
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125  | 
   | 
   | 
1500  | 
A   | 
Ich bin hier   | 
Wiederholender Spitzenstrom     | 
bei VDRM bei VRRM   | 
125  | 
   | 
   | 
130  | 
mA     | 
ITSM   | 
Überschuss-Einschaltstrom   | 
VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus,   | 
125  | 
   | 
   | 
30  | 
kA     | 
1 t   | 
I2t für Fusionskoordination     | 
125  | 
   | 
   | 
4500  | 
103A 2s   | 
VTO     | 
Schwellenspannung   | 
   | 
   
125 
 | 
   | 
   | 
0.80  | 
V   | 
rT   | 
Einschaltsteigungswiderstand   | 
   | 
   | 
0.14  | 
mΩ   | 
VTM     | 
Spitzeneinschaltspannung   | 
ITM=3000A   | 
25  | 
   | 
   | 
1.60  | 
V   | 
dv/dt   | 
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung     | 
VDM=67%VDRM     | 
125  | 
   | 
   | 
1000  | 
V/μs     | 
di/dt   | 
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms     | 
 Gate-Source 1.5A    
tr ≤0.5μs Wiederholend    
 | 
125  | 
   | 
   | 
200  | 
A/μs     | 
IGT   | 
Gate-Auslöseström   | 
   
VA=12V, IA=1A  
 | 
   
25 
 | 
40  | 
   | 
200  | 
mA     | 
- Ich weiß.   | 
Gate-Auslösespannung   | 
1.0  | 
   | 
3.0  | 
V   | 
IH   | 
Haltestrom   | 
20  | 
   | 
200  | 
mA     | 
VGD   | 
Nicht-auslösende Gate-Spannung   | 
VDM=67%VDRM     | 
125  | 
   | 
   | 
0.20  | 
V   | 
Rth(j-c)     | 
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse   | 
Einseitig gekühlt pro Chip     | 
   | 
   | 
   | 
0.025  | 
℃ /W  | 
Rth(c-h)     | 
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper     | 
Einseitig gekühlt pro Chip     | 
   | 
   | 
   | 
0.018  | 
℃ /W  | 
VISO   | 
Isolationsspannung   | 
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)   | 
   | 
3000  | 
   | 
   | 
V   | 
| 
   
FM  
 | 
Drehmoment der Endverbindung ((M16)   | 
   | 
   | 
   | 
20  | 
   | 
N·m   | 
Das Drehmoment für die Montage ((M12)   | 
   | 
   | 
   | 
14  | 
   | 
N·m   | 
Fernsehen   | 
Junction-Temperatur   | 
   | 
   | 
-40  | 
   | 
125  | 
℃   | 
Tstg   | 
Lagertemperatur     | 
   | 
   | 
-40  | 
   | 
125  | 
℃   | 
Wt   | 
Gewicht   | 
   | 
   | 
   | 
6800  | 
   | 
g     | 
Gliederung     | 
436F3   |