IGBT-Modul GD820HFA75N6HY Starpower

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

820

A

I C

Kollektorstrom @ T K = 95 o C T vj =175 o C

450

A

I CRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp begrenzt von T vjop

1640

A

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T K =65 o C T vj =175 o C

909

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

820

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

I FRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp begrenzt von T vjop

1640

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

d Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

7.3 7.3

mm

d Klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

7.3 4.0

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =680A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.25

1.50

V

I C =680A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.35

I C =680A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.40

I C =820A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.30

I C =820A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.50

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.5

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.51

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.32

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =400V, I C =680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =25 o C

483

nS

t r

Aufstiegszeit

60

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

664

nS

t k

Herbstzeit

67

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

17.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =150 o C

507

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

750

nS

t k

Herbstzeit

125

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.1

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =175 o C

509

nS

t r

Aufstiegszeit

79

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

764

nS

t k

Herbstzeit

139

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

27.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

23.0

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤3μs, V GE =15V,

T j =175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =680A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

I K =680A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.60

I K =680A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.55

I K =820A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.70

I K =820A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =25 o C

12.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

273

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.45

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =150 o C

27.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

319

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.51

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =175 o C

31.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

334

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.26

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R

Nenn Widerstand

T C =0 o C

T C =150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Temperaturkoeffizient nt

0.38

%/K

T Sch

Selbst Heizung

T C =0 o C

I m =0,1...0,3mA

0.4

K/mW

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

5

nH

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stange

R die

Junction -bis zu -Kühlung Wasser (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △ V/ △ t=2,67 L/ min ,T K =65 o C

0.105 0.157

0.121 0.181

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M

G

Gewicht von Modul

220

g