IGBT-Modul GD820HFA75N6HY Starpower

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

ICN

Implementierter Sammler Cu rrent

820

A

IC

Kollektorstrom @ T F =95o C T vj =175o C

450

A

ICRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp eingeschränkt von T vjop

1640

A

PD

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =65o C T vj =175o C

909

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

IFN

Implementierter Sammler Cu rrent

820

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

IFRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp eingeschränkt von T vjop

1640

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

d Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

7.3 7.3

mm

d Durchsichtig

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

7.3 4.0

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=680A,V GE =15V, T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A,V GE =15V, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V GE =15V, T vj =175o C

1.40

IC=820A,V GE =15V, T vj =25o C

1.30

IC=820A,V GE =15V, T vj =175o C

1.50

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=12.9mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C- Die

Ausgangskapazität

1.51

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.32

nF

QG

Gate-Ladung

V CE =400V, IC=680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =25o C

483

nS

t r

Aufstiegszeit

60

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

664

nS

t f

Herbstzeit

67

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

17.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =150o C

507

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

750

nS

t f

Herbstzeit

125

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.1

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =175o C

509

nS

t r

Aufstiegszeit

79

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

764

nS

t f

Herbstzeit

139

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

27.6

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

23.0

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤3μs, V GE =15V,

T j =175o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =680A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

IF =820A,V GE =0V,T vj =25o C

1.70

IF =820A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =25o C

12.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

273

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.45

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =150o C

27.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

319

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.51

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =175o C

31.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

334

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.26

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R

Nenn- Widerstand

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Temperaturkoeffizient nt

0.38

%/K

T Sch

Selbst Heizung

T C=0 o C

Im =0,1...0,3mA

0.4

K/mW

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

5

nH

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stab

R die

Junction – bis – Kühlung Wasser (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △V/ △t=2,67 L/ mINUTE ,T F =65o C

0.105 0.157

0.121 0.181

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M

G

Gewicht aus Modul

220

g