Asymmetrische IGCT-Module, 6500 V, 4000 A
Produktbroschüre:Herunterladen
Kurze Einführung
Asymmetrische IGCT-(A-IGCT-)Module sind leistungsstarke, hochzuverlässige Halbleiterbauelemente, die für fortschrittliche Mittel- und Hochspannungs-Leistungswandlungsanwendungen konzipiert sind. Durch die Kombination der hohen Spannungs- und Stromfähigkeit der GTO-Technologie mit der schnellen Schaltleistung der IGCT-Technologie bieten A-IGCT-Module eine effiziente Lösung für anspruchsvolle industrielle Leistungselektroniksysteme.
Dank fortschrittlicher Wafer-Herstellungstechnologie und optimierter Bauelementstrukturen weisen asymmetrische IGCT-Module geringe Leitungsverluste, hohe Ausschaltfähigkeit, hervorragende thermische Leistung und außergewöhnliche Betriebssicherheit auf. Sie sind darauf ausgelegt, einen stabilen und langfristigen Betrieb unter rauen industriellen Bedingungen zu gewährleisten.
Asymmetrische IGCT-Module werden breit eingesetzt in Hochspannungs-Wechselrichtern, industriellen Gleichrichter-Stromversorgungen, Bergwerksförderanlagen, Schienenfahrzeug-Antrieben, Systemen zur Verbesserung der Netzqualität, großen Motorantrieben sowie Systemen zur Leistungswandlung erneuerbarer Energien.
Wichtige Merkmale:
Hohe Spannungsfähigkeit für mittel- und hochleistungsstarke Anwendungen
Hohe Stromfähigkeit für großskalige Leistungswandlersysteme
Niedrige Leitungsverluste zur Verbesserung der Systemeffizienz
Schnelle Abschaltleistung für eine verbesserte dynamische Reaktion
Hohe Zuverlässigkeit für den kontinuierlichen industriellen Betrieb
Konstruktion mit hoher Leistungsdichte für kompakte Leistungselektroniksysteme
Mit hervorragender elektrischer Leistung und Zuverlässigkeit bieten asymmetrische IGCT-Module eine zentrale Halbleiterlösung für leistungsstarke, hoch effiziente und zuverlässige Leistungselektroniksysteme der nächsten Generation.
YT-ASC40L6500IC
Schlüsselparameter
V DRM |
6500 |
V |
W TGQM |
4000 |
Ein |
W TSM |
26 |
kA |
V Zu |
1.88 |
V |
r T |
0.56 |
mQ |
V DClink |
4000 |
V |
Symbol |
Bedingungen |
M in |
Typisch |
M achse |
|
V DRM |
T Vj =125℃, I D ≤I DRM, t p =10ms |
- |
- |
6500 |
V |
W DRM |
T Vj =125℃, V D =V DRM, t p =10ms |
- |
- |
50 |
mA |
d v /dt |
T Vj =125℃, V D =0.67V DRM |
- |
- |
1000 |
V/μs |
V DClin K |
Dauerhafte Gleichspannung für 100 FIT-Ausfallrate von GCT |
- |
- |
4000 |
V |
V RRM |
\ |
- |
- |
17 |
V |
Einschaltzustandsdaten
Symbol |
Bedingungen |
M in |
Typisch |
M achse |
|
W DC |
T C = 85 ℃, Das ist DC. Doppelseitig gekühlt |
- |
- |
2000 |
Ein |
|
W TSM W 2t |
T Vj = 125 ℃, sünde cE halbwelle , 10 ms, V D =V R =0 |
- - |
- - |
26 338 |
KA 104Ein 2 s |
V TM |
T Vj = 125℃, I T =4000A |
- |
3.75 |
4.11 |
V |
|
V Zu r T |
T Vj = 125℃, I T = 1000... 4000A |
- |
- |
1.88 0.55 |
V m ω |
Einschalt-Daten
Symbol |
Prüfbedingungen |
M in |
Typisch |
M achse |
|
di T /dt |
TVJ = 125 ℃, IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz |
- |
- |
5000 |
A/ μ s |
t ich bin nicht der Richtige. |
T Vj = 125 ℃, ich T = 5000A, V D = 4000V, di /dt = V D /Lw , w CL =20μF, L w = 3μH, L CL = 0.3μH |
- |
- |
3 |
μ s |
t donSF |
- |
- |
7 |
μ s |
|
t r |
- |
- |
1 |
μ s |
|
E bei |
- |
- |
3.3 |
J |
Ausschalt-Daten
Symbol |
Bedingungen |
M in |
Typisch |
M achse |
|
W TGQM |
T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D = 4000V, L CL = 0.3μH, C CL = 20μF, R S = 0. 4ω ,f=0..300Hz D VWD = D CL = Geschäftsjahr B 1100-60 |
- |
- |
4000 |
Ein |
t doff |
T Vj = 125℃, W TGQ = 4000A, V D =4000V, V Dm ≤ V DRM , C CL = 20 μF, R S = 0.4 ω, L w =3μH, L CL = 0.3μH D VWD = D CL = FYB 1100-60 |
- |
- |
8 |
μ s |
t doffSF |
- |
- |
7 |
μ s |
|
t f |
- |
- |
1 |
μ s |
|
E aus |
- |
442.5 |
46.3 |
J |
Thermaldaten
Symbol |
Prüfbedingungen |
M in |
Typisch |
M achse |
|
|
T Vj T Stg |
/ |
0 -40 |
- |
125 60 |
℃ ℃ |
|
R thJC R thCH |
Doppelseitig gekühlt |
- - |
- - |
8.5 3 |
K/kW K/kW |
Gate-Einheit
Symbol |
Prüfbedingungen |
M in |
Typisch |
M achse |
|
V GIN RMS |
Gleichspannung oder Quadratwellenamplitude (15 kHz - 100 kHz). Keine galvanische Isolation für den Stromkreis. |
28 |
- |
40 |
V |
P GIN Max |
/ |
- |
- |
130 |
W |
W GIN MIN |
Min. Strom, der benötigt wird, um die Gate-Einheit zu betreiben |
2 |
- |
- |
Ein |
W GIN MAX |
Durchschnittlicher Korrekturstrom, begrenzt durch den gate-Einheit |
- |
- |
8 |
Ein |
Optischer Steuerungseingang/-ausgang
|
t ein(min) t aus(min) |
/ |
40 40 |
- - |
- - |
μ s μ s |
|
P ein CS P O ff CS P ein SF P aus SF |
Gültig für 1mm Kunststoff-Optikfaser (POF) |
-15 - -19 - |
- - - - |
-1 -45 -1 -50 |
dBm dBm dBm dBm |
|
t STÖRUNG t rücktrigger |
Max. Pulsbreite ohne Reaktion / |
- 700 |
- - |
400 1100 |
nS nS |
CS |
Agilent ,Typ: HFBR-2521 |
||||
SF |
Agilent ,Typ: HFBR-1521 |
||||

Unser professionelles Verkaufsteam wartet auf Ihre Anfrage.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.