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Asymmetrischer IGCT (A-IGCT)

Asymmetrischer IGCT (A-IGCT)

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Asymmetrisches IGCT-Gerät, YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#

Asymmetrische IGCT-Module, 6500 V, 4000 A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#
Appurtenance:

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  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung

Asymmetrische IGCT-(A-IGCT-)Module sind leistungsstarke, hochzuverlässige Halbleiterbauelemente, die für fortschrittliche Mittel- und Hochspannungs-Leistungswandlungsanwendungen konzipiert sind. Durch die Kombination der hohen Spannungs- und Stromfähigkeit der GTO-Technologie mit der schnellen Schaltleistung der IGCT-Technologie bieten A-IGCT-Module eine effiziente Lösung für anspruchsvolle industrielle Leistungselektroniksysteme.

Dank fortschrittlicher Wafer-Herstellungstechnologie und optimierter Bauelementstrukturen weisen asymmetrische IGCT-Module geringe Leitungsverluste, hohe Ausschaltfähigkeit, hervorragende thermische Leistung und außergewöhnliche Betriebssicherheit auf. Sie sind darauf ausgelegt, einen stabilen und langfristigen Betrieb unter rauen industriellen Bedingungen zu gewährleisten.

Asymmetrische IGCT-Module werden breit eingesetzt in Hochspannungs-Wechselrichtern, industriellen Gleichrichter-Stromversorgungen, Bergwerksförderanlagen, Schienenfahrzeug-Antrieben, Systemen zur Verbesserung der Netzqualität, großen Motorantrieben sowie Systemen zur Leistungswandlung erneuerbarer Energien.

Wichtige Merkmale:

Hohe Spannungsfähigkeit für mittel- und hochleistungsstarke Anwendungen
Hohe Stromfähigkeit für großskalige Leistungswandlersysteme
Niedrige Leitungsverluste zur Verbesserung der Systemeffizienz
Schnelle Abschaltleistung für eine verbesserte dynamische Reaktion
Hohe Zuverlässigkeit für den kontinuierlichen industriellen Betrieb
Konstruktion mit hoher Leistungsdichte für kompakte Leistungselektroniksysteme

Mit hervorragender elektrischer Leistung und Zuverlässigkeit bieten asymmetrische IGCT-Module eine zentrale Halbleiterlösung für leistungsstarke, hoch effiziente und zuverlässige Leistungselektroniksysteme der nächsten Generation.

YT-ASC40L6500IC

Schlüsselparameter

V DRM

6500

V

W TGQM

4000

Ein

W TSM

26

kA

V Zu

1.88

V

r T

0.56

mQ

V DClink

4000

V

Sperrdaten

Symbol

Bedingungen

M in

Typisch

M achse

V DRM

T Vj =125℃, I D ≤I DRM, t p =10ms

-

-

6500

V

W DRM

T Vj =125℃, V D =V DRM, t p =10ms

-

-

50

mA

d v /dt

T Vj =125℃, V D =0.67V DRM

-

-

1000

V/μs

V DClin K

Dauerhafte Gleichspannung für 100 FIT-Ausfallrate von GCT

-

-

4000

V

V RRM

\

-

-

17

V

Einschaltzustandsdaten

Symbol

Bedingungen

M in

Typisch

M achse

W DC

T C = 85 , Das ist DC. Doppelseitig gekühlt

-

-

2000

Ein

W TSM

W 2t

T Vj = 125 , sünde cE halbwelle , 10 ms,

V D =V R =0

-

-

-

-

26

338

KA

104Ein 2 s

V TM

T Vj = 125℃, I T =4000A

-

3.75

4.11

V

V Zu

r T

T Vj = 125℃, I T = 1000... 4000A

-

-

1.88

0.55

V

m ω

Einschalt-Daten

Symbol

Prüfbedingungen

M in

Typisch

M achse

di T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ s

t ich bin nicht der Richtige.

T Vj = 125 , ich T = 5000A, V D = 4000V,

di /dt = V D /Lw , w CL =20μF, L w = 3μH, L CL = 0.3μH

-

-

3

μ s

t donSF

-

-

7

μ s

t r

-

-

1

μ s

E bei

-

-

3.3

J

Ausschalt-Daten

Symbol

Bedingungen

M in

Typisch

M achse

W TGQM

T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D = 4000V, L CL = 0.3μH,

C CL = 20μF, R S = 0. 4ω f=0..300Hz

D VWD = D CL = Geschäftsjahr B 1100-60

-

-

4000

Ein

t doff

T Vj = 125, W TGQ = 4000A, V D =4000V,

V Dm V DRM , C CL = 20 μF, R S = 0.4 ω,

L w =3μH, L CL = 0.3μH

D VWD = D CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t doffSF

-

-

7

μ s

t f

-

-

1

μ s

E aus

-

442.5

46.3

J

Thermaldaten

Symbol

Prüfbedingungen

M in

Typisch

M achse

T Vj

T Stg

/

0

-40

-

125

60

R thJC

R thCH

Doppelseitig gekühlt

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

Gate-Einheit

Symbol

Prüfbedingungen

M in

Typisch

M achse

V GIN RMS

Gleichspannung oder Quadratwellenamplitude (15 kHz - 100 kHz). Keine galvanische Isolation für den Stromkreis.

28

-

40

V

P GIN Max

/

-

-

130

W

W GIN MIN

Min. Strom, der benötigt wird, um die Gate-Einheit zu betreiben

2

-

-

Ein

W GIN MAX

Durchschnittlicher Korrekturstrom, begrenzt durch den

gate-Einheit

-

-

8

Ein

Optischer Steuerungseingang/-ausgang

t ein(min)

t aus(min)

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

P ein CS

P O ff CS

P ein SF

P aus SF

Gültig für 1mm Kunststoff-Optikfaser (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t STÖRUNG

t rücktrigger

Max. Pulsbreite ohne Reaktion

/

-

700

-

-

400

1100

nS

nS

CS

Agilent Typ: HFBR-2521

SF

Agilent Typ: HFBR-1521

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