MFC55, Qaynaq Thyristor düzəldici modulu, Hava soyutma

VRRM,VDRM

Növ & Kontur

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MFC55-08-224H3

MFC55-10-224H3

MFC55-12-224H3

MFC55-14-224H3

MFC55-16-224H3

MFC55-18-224H3

سیمبول

XƏBƏRDARLIQ

یازیقلار

Tj( °C )

Qiymət

Vahid

Min

NÖV

Maks.

IT(AV)

Orta açıq vəziyyət cərəyanı

180° yarım sinus dalğası 50Hz

Tək tərəfli soyudulmuş, TC=85 °C

125

55

A

IT(RMS)

RMS aktiv vəziyyət cərəyanı

86

A

Idrm Irrm

Təkrarlanan pik cərəyan

vDRM-də VRRM-də

125

15

ma

ITSM

Dalğalanma açıq vəziyyət cərəyanı

VR=60%VRRM,,t= 10ms yarım sinus,

125

1.7

kA

1 2 t

Birləşmə koordinasiyası üçün I2t

125

14.5

103A2s

VTO

آستانا ولتاژ

125

0.75

V

rT

Açıq vəziyyət meyl müqaviməti

4.05

mΩ

VTM

Zirvə açıq vəziyyət gərginliyi

ITM= 170A

25

1.60

V

dv/dt

Off-dövlət gərginliyinin kritik artım sürəti

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

یاشاییش حالتینده جریانین تنقیدی آرتیش سرعتی

Qapı mənbəyi 1.5A

tr ≤0.5μs Təkrarlanan

125

200

A/μs

IGT

Qapı tetik cərəyanı

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

ma

Vgt

Qapı tetikleme gərginliyi

0.6

2.5

V

IH

Saxlama cərəyanı

10

250

ma

IL

Qapanma cərəyanı

1000

ma

VGD

Tetiklənməyən qapı gərginliyi

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termal müqavimət Kəsişmədən qutuya

1800 sinusda. Tək tərəfli soyudulmuş hər çip üçün

0.470

°C /W

Rth(c-h)

İstilik müqaviməti qutudan istilik yayma cihazına

1800 sinusda. Tək tərəfli soyudulmuş hər çip üçün

0.150

°C /W

VISO

İzolyasiya gərginliyi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Terminal bağlantı torku(M5)

2.5

4.0

N·m

Montaj torku (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Birlik temperaturu

-40

125

°C

TSTG

Saxlanma temperaturu

-40

125

°C

Wt

Çəki

100

g

Kontur

224H3