Qısa Tanıtım:
CRRC tərəfindən istehsal olunan yüksək gərginlikli, tək açar IGBT modulları. 3300V 1200A.
Xüsusiyyətlər
- SPT+çip dəsti ultra aşağı açma itkiləri üçün
- Aşağı VCE sat
- Aşağı sürücülük gücü
- Yüksək güc dövrü qabiliyyəti üçün AlSiC əsas plitəsi
- آلن سبستري آز حرارتي مقاومت اوچون
Tipik tətbiq
- Traction rives
- DC çopper
- Orta gərginlik inverterləri/konvertorları
- Orta gərginlik UPS sistemi
- Külək enerjisi sistemi
Maksimum qiymətləndirilmiş dəyərlər
Parametr |
سیمبول |
Şərtlər |
M içində |
M ax |
Vahid |
کلکتور-ایمیتر ولتاژ |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
V |
DC kollektor Cərəyanı |
IC |
TC =80 °C |
|
1200 |
A |
پيك كولكتور آخينليغي |
ICM |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
A |
Qapı emitter gərginliyi |
VGE |
|
-20 |
20 |
V |
Cəmi güc itkisi |
Ptot |
TC =25°C, hər açar(IGBT) |
|
10500 |
W |
DC irəliləyici cərəyan |
İF |
|
|
1200 |
A |
اوج جلو جریان |
IFRM |
tp = 1 ms |
|
2400 |
A |
سورونج جریان |
IFSM |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, yarım sinus dalğası
|
|
9000 |
A |
IGBT Qısa Dövr SOA |
tpsc |
VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
µs |
İzolyasiya gərginliyi |
ویزول |
1 dəq, f = 50 Hz |
|
10200 |
V |
Birlik temperaturu |
Tvj |
|
|
150 |
°C |
Birlik işləmə temperaturu |
Tvj(op) |
|
-50 |
125 |
°C |
Kasa temperaturu |
TC |
|
-50 |
125 |
°C |
Saxlama temperaturu |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
|
Quraşdırma torkları
|
M s |
Əsas istilik yayma, M6 vintlər |
4 |
6 |
Nm
|
MT1 |
Əsas terminallar, M8 vintlər , |
8 |
10 |
MT2 |
Köməkçi terminallar, M6 vintlər |
2 |
3 |
IGBT xarakteristikası
Parametr |
سیمبول |
Şərtlər |
min |
نوع |
maks. |
Vahid |
Kollektor (- emitter) qırılma gərginliyi |
V ((BR) CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
V
|
Kollektor-emitter doymuş gərginlik |
VCE sat
|
C = 1200 A, VGE= 15 V
|
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
V |
Kollektor kəsilmə cərəyanı |
ICES |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V
|
Tvj=25°C |
|
|
12 |
ma |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
ma |
گئچمیش قایناق آخینلیغی |
IGES |
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C
|
-500 |
|
500 |
nA
|
Qapı-Emitter Hədd Voltajı |
VGE ((th) |
IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
قاپی باج |
ق ق |
IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V |
|
12.1 |
|
µC |
ورگين قابليت |
سیز |
VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
187 |
|
nF |
خروجی ظرفیت |
کوس |
|
11.57 |
|
nF |
گئری گئری یۆکسله مه قابلیتلییی |
کریس |
|
2.22 |
|
nF |
تورن-توقتیش واختی |
بـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ
|
VCC = 1800 V, IC = 1200A,
RG = 3.9Ω ,VGE =±15V
L σ = 280nH, induktiv yük
|
Tvj=25°C |
|
750 |
|
ns |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
ns |
یوکسلیش واختی |
t |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
ns |
Tvj=125°C |
|
470 |
|
ns |
د خاموش کولو ځنډ وخت |
td ((آفلای) |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
ns |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
ns |
پاييز زاماني |
tf |
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
ns |
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
ns |
Açma - keçid itkiləri |
EON
|
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
mJ |
Bağlama açma itkisi enerjisi |
EOFF
|
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
mJ |
Qısa devir cürün |
آی.اس.سی
|
VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, induktiv yük |
|
5000
|
|
A
|
Diodun xarakteristikası
Parametr |
سیمبول |
Şərtlər |
min |
نوع |
maks. |
Vahid |
اوزاغ ولتاژ |
VF
|
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
V |
Tərs Bərpa Cərəyanı |
ایری
|
VCC= 1800 V, IC= 1200 A,
RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH, induktiv yük
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
A |
آلدیغی باج |
قصر
|
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
µC |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
µC |
Tərs Bərpa Zamanı |
trr
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
ns |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
ns |
انرژی یئنی دن آلینماسی |
اريك
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
mJ |
EN
