IGBT modulu YMIF250-65, Yüksək gərginlik, tək IGBT,CRRC

Parametr

سیمبول

Şərtlər

min

maks.

Vahid

جمع ائدن-صادر ائدن gərginlik

V CES

V ژئروژنیک =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

DC kollektor cərəyanı

I C

T C =80°C

250

A

پيك كولكتور آخينليغي

I SM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

گئچمه-پریشان ولتاژ

V GES

-20

20

V

Ümumi güc dissipation

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC irəliləyici cərəyan

I F

250

A

Zirvə irəliləyici cürrent

I FRM

tP=1ms

500

A

IGBT qısa dÖNGƏ SOA

t psc

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V ژئروژنیک ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ s

İzolyasiya gərginliyi

V izol

1min,f=50Hz

10200

V

Birlik temperaturu

T vj

125

°C

Birlik işləmə temperaturu

T vj(op)

-50

125

°C

Kasa temperaturu

T C

-50

125

°C

Saxlama temperaturu

T sTG

-50

125

°C

Quraşdırma torkları

Ms

4

6

Nm

M T1

8

10

Parametr

سیمبول

Şərtlər

Min

nÖV

maks.

Vahid

کلکسیونر (- emitter) qırılma gərginliyi

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

جمع ائدن-صادر ائدن doyma gərginlik

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

کلکسیونر kəsilmə cərəyanı

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

ma

Tvj=125°C

50

ma

Qapı لیکج جریان

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی gərginlik

V GE(TH)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

تورن-توقتیش واختی

t د ((د))

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

i̇nsani yük

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

Yüksəlmək vaxt

t

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

د خاموش کولو ځنډ وخت

t d ((آف))

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

پاييز زاماني

t f

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

Açma keçid itki enerjisi

EON

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

ایستیقلال itki enerjisi

E آفلای

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

قیساجا dövrə cərəyanı

I SC

tpsc ≤ 10μ s, V ژئروژنیک

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A