المقدمة الفنية
لقد تطورت ترانزستورات التأثير الميداني (FETs) ذات البوابة المستوية من الجيل الأول إلى ترانزستورات MOSFET ذات الخندق (Trench) شبه الموصلة للطاقة ذات الجهد المنخفض. وتُحسِّن هذه الأجهزة قناة التوصيل الأفقية عبر الانتقال إلى قناة توصيل عمودية، مما يجعل من الممكن تخفيض مساحة الخلية الوحدة بشكل أكبر. وفي الوقت نفسه، تُستخدم طبقة إبيتاكسية ذات تركيز ضعيف من الشوائب لتوفير تحمل كافٍ للجهد، وبتغيير تركيز الشوائب وسمك الطبقة الإبيتاكسية، يمكن الحصول بسهولة على أجهزة ذات تصنيفات جهد مختلفة. ورغم ضمان أن يحقِّق جهد انهيار الجهاز المتطلبات المطلوبة، فإن اتجاه التطوير المهم لأجهزة الطاقة ذات الخندق يتمثَّل في تصغير حجم الخلية الوحدة وزيادة كثافة الخلايا الوحدة، ما يساعد على خفض مقاومة التشغيل لكل وحدة مساحة.
سلسلة ترانزستورات MOSFET ذات الخندق (Trench) متوسطة ومنخفضة الجهد المنتجات تشمل نطاقات جهد تتراوح بين 20 فولت (N/P) و100 فولت. وتُستخدم خطط تصميم مختلفة لتلبية متطلبات الأداء المحددة لمختلف التطبيقات. التطبيق الحقول، مما يضمن أداءً ممتازًا في كل تطبيقٍ منها.
مزايا المنتج وتنافسيته
المجالات الرئيسية للتطبيق
محولات التيار المتردد
أجهزة الشحن والمحولات
حماية بطاريات الليثيوم
محركات الموتور
تصحيح متزامن
مفاتيح التحميل
المخطط التخطيطي لترانزستور MOSFET المستوي
كتالوج ترانزستورات MOSFET
-- ترانش موسفيت (Trench MOSFET)
| رقم الجزء |
التوصيل الكهربائي ID (A)
25℃
|
المقاومة عند التشغيل RDS(ON) (مللي أوم)
(VGs = ١٠ فولت) |
المقاومة عند التشغيل RDS(ON) (مللي أوم)
(VGs = ٤٫٥ فولت) |
Qg(nC)
(Vcs=10 فولت) |
Qg(nC)
(VGs = ٤٫٥ فولت) |
VGs
(فولت) |
VGs(ع)
(فولت) |
الحزمة |
| -أجل |
الأعلى. |
-أجل |
الأعلى. |
-أجل |
-أجل |
-أجل |
|
مستوى الجهد ：30V
|
| LNNO3R040WE |
80 |
2.95 |
4 |
4.6 |
6.8 |
54 |
-- |
±20 |
1.0-2.5 |
DFN5*6 |
| LNNO3R050WE |
50 |
4.2 |
5 |
-- |
-- |
33.7 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN5*6 |
| LNNE03R078WE |
30 |
6.4 |
7.8 |
9.8 |
13 |
18.3 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN3*3 |
|
|
مستوى الجهد ：40V
|
| LNC04R050 |
110 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
إلى 220 |
| LNN04R050 |
80 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
DFN5*6 |
| LNN04R065WE |
55 |
4.8 |
6.5 |
6.8 |
9.5 |
54 |
-- |
±20 |
1.1-2.2 |
DFN5*6 |
| LNC04R075 |
60 |
5.6 |
7.5 |
-- |
-- |
51.2 |
-- |
±20 |
1.5 |
إلى 220 |
| LNND04R120 |
20 |
7.5 |
12 |
9.5 |
16 |
25 |
-- |
±20 |
1.5 |
DFN5*6 |
|
|
مستوى الجهد ：60 فولت
|
| LNE06R079 |
90 |
6 |
.5 7 |
.9 7.6 |
9.5 |
69 |
-- |
20 |
1.3 |
TO-263 |
|
|
مستوى الجهد ：70V
|
| LNG07R085H |
70 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
±20 |
3 |
TO-252 |
| LNE07R085H |
85 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
20 |
3 |
TO-263 |
الأسئلة الشائعة
ق : أنا مُصنِّع لمعدات كهربائية، كيف يمكنني اختيار منتجاتكم؟
ج: يُعَدُّ اختيار المنتج المناسب أمرًا بالغ الأهمية لجميع المستخدمين. ويجب أن تُحدِّد لي بدقة مجال تطبيقك والمواصفات الأساسية لمفتاح الترانزستور العازل الميداني (IGBT) الذي تحتاجه. وسأوصي لك بعد ذلك بالمنتجات المناسبة وفقًا لمتطلباتك، وأرسل لك ورقة مواصفات المنتج للتحقق من صحة هذه المواصفات.
س: أنا مالك علامة تجارية، هل يمكنكم تصنيع منتجات حسب طلبي (OEM)؟
ج: نعم، يمكنك اختيار النموذج الذي تريده من نطاق منتجاتنا الكامل لتصنيعه وفق طلبك (OEM). أما بالنسبة للمنتجات غير المدرجة في كتالوجنا، فإن مهندسينا سيقومون بتصميمها وفقًا لمتطلباتك الفنية.
ثم وقِّع عقد التصنيع.
يمكنك توكيلنا بطباعة شعارك على منتجك، أو يمكنك إنجاز الطباعة بنفسك. وبالطبع، إذا رغبت في توكيل شركتنا بطباعة شعارك، فسيتعيَّن عليك إصدار وكالة رسمية لنا.
س: كيف تضمنون جودة منتجاتكم؟
ج: تتمتَّع مصنعنا للتصنيع بنظامٍ كاملٍ لإدارة الجودة ومختبرٍ رائدٍ لفحص الجودة. ونقوم بإجراء فحوصات جودة على المنتجات شبه المُنتهية عند النقاط الحرجة خلال عملية الإنتاج، كما نُجري فحصًا عشوائيًّا نهائيًّا قبل الشحن. كما نُصدر تقارير الفحص وشهادات الجودة.
س: كيف تضمنون أن المنتجات التي تزودونها أصليةٌ وحقيقيةٌ؟
ج: (1) سيوقِّع مصنعنا خطاب ضمانٍ يؤكد أصالة المنتجات.
(2) يرافق كل شحنةٍ نصدِّرها شهادة منشأ صادرة عن الجمارك الصينية. س.
نحن نركّز على تطبيقات منتجات الترانزستورات ثنائية القطب ذات البوابة العازلة (IGBT). واستنادًا إلى تطبيقات هذه الترانزستورات، وسّعنا نطاق منتجاتنا ليشمل تصنيع وحدات الطاقة عالية الأداء حسب الطلب، وفي الوقت نفسه، توسع نشاطنا ليشمل مجال منتجات التحكم الآلي، ومن بينها محولات التماثلية إلى الرقمي/الرقمية إلى التماثلية (ADC/DAC)، ودوائر التنظيم الخطي منخفضة الانحراف (LDO)، والمضخمات القياسية، والمرحلات الكهرومغناطيسية، ومرحلات الفوتوموس (PhotoMOS)، وترانزستورات تأثير المجال المعدنية-أكسيديّة (MOSFET).
وبهذه الطريقة، يمكننا التعاون مع أبرز الشركات المصنّعة الصينية في مجالات خبرتنا لتوفير منتجات موثوقة وفعّالة من حيث التكلفة لعملائنا.
تأسسنا على مبادئ الابتكار والتميز، ونقف في طليعة حلول أشباه الموصلات البديلة والتكنولوجيا.
رؤيتنا هي تزويد حلول بديلة لعملائنا، وتحسين الأداء التكاليفي لحلول تطبيقاتهم، وضمان أمن سلسلة التوريد الخاصة بهم من خلال الصنع في الصين.
مستخدمنا
EN
