مقدمة موجزة
موديول ثريستور/دايوود، MTx 820 الـ MFx 820 MT 800，820أ ,تبريد الهواء ，تم إنتاجه بواسطة TECHSEM .
VRRM ,VDRM |
نوع & مخطط |
|
600V |
MTC820-06-416F3 |
MFC820-06-416F3 |
800 فولت |
MTC820-08-416F3 |
MFC820-08-416F3 |
1000V |
MTC820-10-415F3 |
MFC820-10-416F3 |
1200 فولت |
MTC820-12-416F3 |
MFC820-12-416F3 |
1400V |
MTC820-14-416F3 |
MFC820-14-416F3 |
1600V |
MTC820-16-416F3 |
MFC820-16-416F3 |
1800V |
MTC820-18-416F3 |
MFC820-18-416F3 |
1800V |
MT820-18-416F3G |
|
المميزات
التطبيقات النموذجية
|
الرمز |
الخصائص |
ظروف الاختبار |
Tj(℃) |
القيمة |
وحدة |
||
دقيقة |
نوع |
ماكس |
|||||
(IT)) |
متوسط تيار الحالة النشطة |
180درجة نصف موجة 50هرتز تبريد من جانب واحد، Tc=85℃ |
135 |
|
|
820 |
أ |
IT ((RMS) |
تيار الحالة RMS |
180。نصف موجة الصين 50 هرتز |
|
|
1287 |
أ |
|
Idrm Irrm |
تيار الذروة المتكرر |
عند VDRM عند VRRM |
135 |
|
|
120 |
م.أ. |
ITSM |
تيار الحالة النشطة المفاجئ |
10 ميس نصف موجة الصين ، VR = 0V |
135 |
|
|
20.1 |
kA |
أنا 2ت |
I2t لتنسيق الفيوز |
|
|
2020 |
أ 2s* 10 3 |
||
VTO |
الجهد الحدودي |
|
135 |
|
|
0.81 |
الخامس |
rT |
مقاومة ميل الحالة النشطة |
|
|
0.24 |
مΩ |
||
VTM |
جهد الذروة في الحالة النشطة |
ITM= 1500A |
25 |
|
|
1.38 |
الخامس |
dv/dt |
معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي |
مصدر البوابة 1.5A tr ≤0.5μs متكرر |
135 |
|
|
200 |
A/μs |
tgd |
وقت التأخير المسيطر عليه من البوابة |
IG= 1A dig/dt= 1A/μs |
25 |
|
|
4 |
ميكروثانية |
tq |
زمن إيقاف الدائرة المحولة |
ITM=800A، tp=2000μs، VR =50V dv/dt=20V/μs ، di/dt=-10A/μs |
135 |
|
250 |
|
μs |
إيه جي تي |
تيار تحفيز البوابة |
VA= 12V، IA= 1A |
25 |
30 |
|
250 |
م.أ. |
Vgt |
جهد تحفيز البوابة |
0.8 |
|
3.0 |
الخامس |
||
IH |
تيار الاحتفاظ |
10 |
|
300 |
م.أ. |
||
إيل |
تيار التثبيت |
IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us |
25 |
|
|
1500 |
م.أ. |
VGD |
جهد البوابة غير المحفز |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
0.25 |
الخامس |
إد. |
تيار غير محفز |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
5 |
م.أ. |
Rth(j-c) |
المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة |
تبريد من جانب واحد لكل شريحة |
|
|
|
0.047 |
°C/W |
Rth(c-h) |
مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد |
تبريد من جانب واحد لكل شريحة |
|
|
|
0.015 |
°C/W |
فيزو |
فولتاج العزل |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
الخامس |
|
فم |
عزم ربط الطرف (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
ن·م |
عزم التركيب (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
ن·م |
|
تيفي |
درجة حرارة الوصلة |
|
|
-40 |
|
135 |
℃ |
TSTG |
درجة حرارة التخزين |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
و |
الوزن |
|
|
|
1410 |
|
g |
المخطط |
416F3 |
||||||
فريق المبيعات المحترف لدينا ينتظر استشارتك.
يمكنك متابعة قائمة منتجاتهم و طرح أي أسئلة تهمك
EN
