وحدة IGBT
يمثل وحدة IGBT (الترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة) تطوراً مهماً في إلكترونيات القدرة، حيث تجمع بين أفضل ميزات تقنيات MOSFET والترانزستورات الثنائية القطبية. تعمل هذه الوحدة كمكوّن أساسي في تطبيقات التحكم بالقدرة الحديثة، حيث تقدم قدرات تبديل استثنائية وإدارة فعالة للقدرة. تتكون الوحدة من عدة رقائق IGBT مرتبة بتكوينات مختلفة، إلى جانب ديودات مضادة متصلة على التوازي وتعبئة خاصة صُمّمت لإدارة حرارية مثلى. تعمل وحدات IGBT على ترددات تتراوح بين 1 كيلوهرتز إلى 100 كيلوهرتز، ويمكنها التعامل مع جهود كهربائية تتراوح بين 600 فولت إلى 6500 فولت والتيارات حتى آلاف الأمبير. تتميز هذه الوحدات في التطبيقات التي تتطلب قدرة عالية على تحمل الجهد والتيار، مما يجعلها ضرورية في أنظمة محركات المصانع، وأنظمة الطاقة المتجددة، ووحدات الدفع في المركبات الكهربائية. تضمن دمجها مع دائرة تحكم البوابة المتقدمة التحكم الدقيق في عملية التبديل، بينما توفر الميزات المحمية المدمجة حماية ضد حالات التيار الزائد والدوائر القصيرة ودرجات الحرارة العالية. كما تتضمن الوحدات الحديثة من IGBT حلولا متقدمة لإدارة الحرارة، مثل الركائز النحاسية المربوطة مباشرة (DCB) وأنظمة تبريد متطورة، مما يمكّن من التشغيل الموثوق حتى في الظروف الصعبة.