الجزء رقم H76KPU-KT60dT
كتيب المنتج:تحميل
(IT)) | 1000أ |
VDRM، VRRM | 8000V 8500V |
الميزات ：
التطبيقات النموذجية ：
الرمز |
الخصائص |
ظروف الاختبار | Tj(°C ) | القيمة |
وحدة | |||
دقيقة | نوع | ماكس | ||||||
(IT)) | متوسط تيار الحالة النشطة | 180درجة نصف موجة جيبية 50Hz تبريد مزدوج الجوانب |
TC=70 ℃ |
115 |
|
|
1000 |
أ |
Idrm Irrm | تيار الذروة المتكرر | عند VDRM tp= 10ms عند VRRM tp= 10ms | 115 |
|
| 600 | م.أ. | |
ITSM | تيار الحالة النشطة المفاجئ | 10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM |
115 |
|
| 10.5 | kA | |
I2t | I2t لتنسيق الفيوز |
|
| 551 | 103A2s | |||
VTO | الجهد الحدودي |
|
115 |
|
| 1.38 | V | |
rT | مقاومة ميل الحالة النشطة |
|
| 0.90 | mΩ | |||
VTM | جهد الذروة في الحالة النشطة | ITM= 1500A، F=32kN | 25 |
|
| 2.80 | V | |
dv/dt | معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف | VDM=0.67VDRM | 115 |
|
| 2000 | V/μs | |
di/dt | معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي | VDM=67%VDRM، نبضة البوابة tr ≤0.5μs IGM= 1.5A | 115 |
|
| 200 | A/μs | |
قصر | رسوم الاسترداد | ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V | 115 |
| 3800 |
| ميكروسانتيرول | |
إيه جي تي | تيار تحفيز البوابة |
VA= 12V، IA= 1A |
25 | 40 |
| 300 | م.أ. | |
Vgt | جهد تحفيز البوابة | 0.8 |
| 3.0 | V | |||
IH | تيار الاحتفاظ | 25 |
| 200 | م.أ. | |||
VGD | جهد البوابة غير المحفز | VDM=67%VDRM | 115 |
|
| 0.3 | V | |
Rth(j-c) | المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة | تبريد من الجانبين قوة الفك 32 كilon |
|
|
| 0.011 |
℃ /W | |
Rth(c-h) | مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد |
|
|
| 0.003 | |||
فم | قوة التركيب |
|
| 27 | 32 | 34 | كيلو نيوتن | |
تيفي | درجة حرارة الوصلة |
|
| -40 |
| 115 | ℃ | |
TSTG | درجة حرارة التخزين |
|
| -40 |
| 140 | ℃ | |
و | الوزن |
|
|
| 1140 |
| g | |
المخطط | KT60dT | |||||||
فريق المبيعات المحترف لدينا في انتظار استشارتك.
يمكنك متابعة قائمة منتجاتهم و طرح أي أسئلة تهمك
EN
