Усі категорії

EN

IGCT зворотного блокування (RB-IGCT)

IGCT зворотного блокування (RB-IGCT)

Головна сторінка/Продукція/Модуль IGCT/IGCT зі зворотним блокуванням (RB-IGCT)

IGCT зворотного блокування (RB-IGCT)

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

YT-RBC60Y4500IC, модулі зворотного блокування IGCT,

4500 В, 6000 А

Brand:

YT

Spu:

YT-RBC60Y4500IC

Appurtenance:

Брошура про товар:Завантажити

Вступ
Контур

Вступ

YT-RBC60Y4500IC

Ключові параметри

В DRM	4500	В
І TGQM	6000	А
І TSM	57.6	KA
В До	1.31	В
*прут* _t	0.209	х о
В DClink	2800	В

Застосування

Розрив постійного струму
Обладнання для запобігання відмовам при комутації

Особливості

Висока витривалість до струму
Можливість чорного запуску
Режим короткого замикання при відмові

Данні блокування

Символ	Параметр	Умови	Хв.	Тип.	Макс.	ОДИНИЦЯ
В DRM	Поповнюється піковое напруження без стану	TVJ = 100 °C, ID ≤ IDRM, tp = 10 мс	—	—	4500	В
І DRM	Повторюваний піковий струм у вимкненому стані	TVJ = 100 °C, VD = VDRM, tp = 10 мс	—	—	100	mA
d в /dt	Критична швидкість зростання анодної напруги	TVJ=100℃ , VD=0,8 В DRM			1000	V/μs
В DClink	Проміжна постійна напруга	Проміжна постійна напруга, допустима для частоти відмов 100 FIT	—	—	2800	В
В РРМ	Зворотна напруга	/	—	—	20	В

微信图片_20260620071013_867_2.png

Контур

Пов’язаний товар

YT3000SW4, 4500 В 3000 А

YT3000SW4, 4500 В 3000 А

Y76ZKG, Діод швидкого відновлення

Y76ZKG, Діод швидкого відновлення

JGC-5379M 0,3 А/±80 В Чотири звичайно відкриті виходи (4 А) Фото МОС-реле для оборони, авіації та космосу, автоматичного керування, керування запалюванням

JGC-5379M 0,3 А/±80 В Чотири звичайно відкриті виходи (4 А) Фото МОС-реле для оборони, авіації та космосу, автоматичного керування, керування запалюванням

JZC-200MY(T), 5 А, 28 В постійного струму

JZC-200MY(T), 5 А, 28 В постійного струму

CM614X,1.5A, низький рівень шуму, LDO з швидкою реакцією на перехідні процеси

CM614X,1.5A, низький рівень шуму, LDO з швидкою реакцією на перехідні процеси

Серія SiC MOSFET

Серія SiC MOSFET

Є питання щодо будь-яких продуктів?

Наша професійна команда продажів чекає на ваші консультації.
Ви можете слідкувати за їхнім списком продуктів і задавати будь-які питання, які вас цікавлять.