Короткий огляд
Продукти серії IGCT
Наша компанія надає високопродуктивні інтегровані тиристори з керованим вимиканням за допомогою затвора (IGCT) продукти для застосувань у потужних та середньонапружених системах силової електроніки. IGCT поєднує переваги технології тиристорів та передової технології комутації за допомогою затвора, маючи високу напругу пробою, надзвичайно високу здатність до витримування струму, низькі втрати при провідності, чудові показники перемикання та виняткову надійність.
Асортимент продуктів IGCT включає дві основні серії:
1. IGCT зі зворотною провідністю (RC-IGCT)
IGCT зі зворотною провідністю об’єднує IGCT та діод вільного ходу в єдину напівпровідникову структуру, забезпечуючи компактне рішення з чудовими показниками перемикання та спрощеним проектуванням системи. Цей тип широко підходить для застосувань у середньонапружених приводах, перетворювачах та потужних інверторних системах.
2. Асиметричний IGCT (A-IGCT)
Асиметричний IGCT оптимізований для застосування у високовольтних комутаційних системах і забезпечує чудову здатність до вимикання, низькі втрати при провідності та високу щільність струму. Він розроблений для вимогливих застосувань, що потребують максимальної потужності, зокрема для перетворювачів середньої напруги, промислових приводів та систем високопотужного перетворення енергії.
Завдяки передовій напівпровідниковій технології та надійному пресованому корпусуванню наші продукти IGCT забезпечують ефективні й надійні рішення для систем HVDC, перетворення енергії від відновлюваних джерел, промислових двигунів, тягових систем та інших високопотужних застосувань
Застосування
Конвертер високої потужності
Моторна привідна техніка
Гнучка система передачі
Особливості
З автозаключальною здатністю
Малі операційні втрати
Підходить для застосування у серії
Ключ Параметри
V DRM |
4500 |
V |
Я TGQM |
5000 |
А |
Я TSM |
35 |
kA |
V До |
1.22 |
V |
прут T |
0.28 |
mΩ |
V DClink |
2800 |
V |
Блокування Дані
Символ |
Стан |
Мін |
Тип |
Макс. |
Одиниця |
V DRM |
TVJ = 125 ℃ , I D ≤ I DRM, tp = 10 мс |
- |
- |
4500 |
V |
I DRM |
TVJ = 125 ℃ , VD = V DRM, tp = 10 мс |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
TVJ = 125 ℃ , VD = 0,67 V DRM |
|
|
1000 |
В/мкс |
VDClink |
середнє значення постійної напруги на шині, допустиме при інтенсивності відмов 100 FIT |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
На стані Дані
Символ |
Стан |
Мін |
Тип |
Макс. |
Одиниця |
Я T(RMS) |
TC = 85 ℃ , Синусоїдна напівхвиля, охолодження з обох сторін |
- |
- |
3000 |
А |
|
Я TSM
Я 2t
|
TVJ = 125 ℃ , Синусоїдна напівхвиля, 10 мс, VD = VR = 0 |
-
-
|
-
-
|
35
545
|
kA
104А 2s
|
V TM |
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 А |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V До
прут T
|
TVJ = 125 ℃, IT = 1000…5000 А
|
-
-
|
-
-
|
1.22
0.28
|
V мОм |
Вмикнення Дані
Символ |
Стан |
Мін |
Тип |
Макс. |
Одиниця |
diT/dt |
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 А, VD = 2800 В, f = 0…500 Гц |
- |
- |
5000 |
А/мкс |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF
tr
|
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 А, VD = 2800 В, di/dt = VD/Li, CCL = 20 мкФ, RS = 0,4 Ом, Li = 3 мкГн, LCL = 0,3 мкГн |
-
-
|
-
-
|
8
1
|
μs
μs
|
Е на |
|
- |
- |
1.8 |
J |
Дані вимкнення
Символ |
Стан |
Мін |
Тип e |
Макс. |
Одиниця |
|
Я TGQM
|
TVJ = 125 ℃, VDM ≤ VDRM, VD = 2800 В, LCL = 0,3 мкГн, CCL = 20 мкФ, RS = 0,4 Ом, f = 0…300 Гц
DFWD = DCL = SF8.FYB2000-45
|
-
|
-
|
5000
|
А
|
|
t doff
t doffSF
t f
E OFF
|
TVJ = 125 ℃, ITGQ = 5000 А, VD = 2800 В, VDM ≤ VDRM, CCL = 20 мкФ, RS = 0,4 Ом
L i = 4μH, L CL = 0,3μH
DFWD = DCL = SF8.FYB2000-45
|
-
-
-
-
|
-
-
-
28
|
8
10
1
33
|
μs
μs
μs
J
|
EN
