Від Alibaba

CRRC TG1000HF17H1-S300 Модуль IGBT 1700В Інвертори Конвертори Приводи Оригінальний Новий Вітрові Турбіни Дискретні Модулі Напівпровідників

CRRC TG1000HF17H1-S300 Модуль IGBT 1700В Інвертори Конвертори Приводи Оригінальний Новий Вітрові Турбіни Дискретні Модулі Напівпровідників

Вступ

Профіль компанії

Beijing World E To Technology Co., Ltd. — це технологічна компанія з правом імпорту та експорту, заснована на принципах інноваційності та відмінності, яка стоїть на передовій лінії альтернативних розв'язань та технологій у сфері напівпровідників, спеціалізуючись на дизайну напівпровідникових продуктів, контрактному зміцнюванні та дистрибуції. Ми маємо строгі вимоги до вибору партнерів з співробітництва, ми співпрацюємо лише з технологічними компаніями та виробниками з першокласним дизайном та технологіями виробництва. Оптимізація автоматичних ліній передач заводу є іншим важливим елементом нашого контрактного виробництва.

Наш продукти

1	IGBT модуль та водій
2	IGCT модуль та водій
3	Ядро інвертора
4	Діодний модуль
5	Модуль триаків
6	Датчик струму
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Система накопичення енергії
10	Промислові роботи та ключові деталі
11	Цивільні безпілотні літальні апарати та ключові частини

Опис продукту

Особливості

(1) AISiC Базова плита для високої потужності циклів
(2) Cu Базова пластина
(3) Висока здатність до термічного циклу
(4) Висока щільність струму

(5) Забезпечення короткого замикання тривалістю 10μs
(6) Низьке VCEsat

Типові застосування

(1) Приводи двигунів
(2) Високовольтні перетворювачі
(3) Вітрові турбіни
(4) Висока надійність Інвертор

TG1000HF17H1-S300

1700В/1000А Півмост IGBT

Ключові параметри

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В _CES		1200	В
В _{CE (Сі)}	Тип.	1.85	В
Я _C	Макс.	1000	A
IC ((RM)	Макс.	2000	A

Абсолютні максимальні параметри( Tcase = 25°C, якщо інше не вказано )

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В _CES	Напруження колектора-еміттера	1700	В
В _ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я _C	Ток колектора @ Tcase = 90 °C	1000	A
Я _{C ((PK)}	Піковий ток колектора, tp=1мс, Tcase = 110 °C	2000	A
P _макс	Макс. розсип потужності транзистора, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Я ²т	Діод I ²t ,V _R=0V, T _P= 10мс, T _vj= 150°C	144	кА ²с
В _ізоль	(З'єднані термінали з базовою пластинкою), AC RMS, 1 хв, 50Гц	4000	В
Я _Ф	Прямий струм діоду, DC	1000	A
Я _ФРМ	Максимальний прямий струм діоду, tp=1мс	2000	A
Монометри монтажу	Монтаж – M5	6	Нм
	Монтаж – M5	6
		Електричні з'єднання – M8		10

Електричні характеристики

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

тип

Макс.

Значення

Одиниця

В _Ф

Диодний напрям вперед

Я _Ф=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

Я _Ф=1000A, V _ГЕ= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Я _Ф=1000A, V _ГЕ= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Я _ФРМ

Пикова провідна струма диоду

т _P= 1мс

2000

Я _Ф

Прямий струм діоду,

1000

Irr

Зворотний діод
отримання потоку

ЯКЩО =1000A,
VCE = 900V,
- dI/dt = 7200A/мкс
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

620

655

Qrr

Зворотний діод
заряд відновлення

285

мК

315

340

E _{рекомендації}

Енергія відходу від диоди

IФ =900A,
VCE = 600V,
- dI/dt = 6800A/мкс
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

235

240

Електричні характеристики

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В _{CE (sat)}	Напруження насичення колектора-еміттера	В _ГЕ=15В, I _C= 900А,T _vj= 25°C		1.75	2.15	В
				В _ГЕ=15В, I _C= 900А,T _вj= 125°C			2.1	2.5
				В _ГЕ=15В, I _C= 900А,T _vj= 150°C			2.2	2.6
Я _CES	Ограничений струм колектора	В _ГЕ=15В, I _C= 900А,Tvj= 25°C			1	mA
				В _ГЕ=15В, I _C= 900А,Tvj= 125°C				10
				В _ГЕ=15В, I _C= 900А,Tvj= 150°C				20
Я _ГЕС	Течія витоку через шлюзи	В _СЕ=0В, V _ГЕ= ±20В,			4	μA
В _{GE (TH)}	Порожнє напруження шлюзового випромінювача	Я _C= 40mA, V _ГЕ= V _СЕ	5.0	6.0	7.0	В
т _d(on)	Час затримки включення @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(ВИКЛ) = 1,8Ом, LS = 20нГн, dv/dt =3000V/мкс (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		n
								1410
								1440
td ((заключено)	Час затримки вимикання @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(ВИКЛ) = 1,8Ом, LS = 20нГн, dv/dt =3000V/мкс (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		n
								470
								450
Я _SC	Коротке замикання струму	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, В _ГЕ≤15V, tp≤10μs, В _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
Ці	Вхідна емкості	В _СЕ= 25V, V _ГЕ= 0V, f = 100kHz		147		нФ
Крес	Обертальна передача емкості	В _СЕ= 25V, V _ГЕ= 0V, f = 100kHz		1.5		нФ
Qg	Зарахування за ворота	±15В		11.4		мК
E _{увімкнено}	Втрата енергії при включенні @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	ЯКЩО =1000A, VCE = 900V, - dI/dt = 7200A/мкс (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _{зВІЛЕНО}	Енергія втрати при вимкненні @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - dI/dt = 7200A/мкс (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Чому вибрати нас

1. Ми розповсюджуємо продукцію тільки від китайських виробників з першокласною технологією. Це наш ключовий показник.
2. Ми маємо строгі вимоги до вибору виробників.
3. Ми можемо пропонувати клієнтам альтернативні рішення з Китаю.
4. У нас є відповідальна команда.

Упаковка продукту