Модуль IGBT 1700V

Символ

Опис

В значення

Одиниці

ВСЕ

Напруження колектора-еміттера

1700

В

VGES

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

Ic

Колекторний струм @ TC=25°C

Колекторний струм @ TC=80°C

5200

A

3600

ICM(1)

Імпульсний колекторний струм tp= 1мс

7200

A

IF

Диодний постійний поток

3600

A

IFM

Максимальний прямий струм діода при TC=80℃

7200

A

ПД

Максимальна потужність розсіювання @ Tj=175℃

20

кВт

Tj

Максимальна температура перетину

175

℃

ТСТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

℃

Визо

Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1min

4000

В

Монтаж

Світовий термінальний викруток:M4

1.8 до 2.1

Викрутка на терміналі потужності:M8

8.0 до 10

Н.М

Крутяний момент

Монограф: М6

4,25 - 5,75

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

V ((BR) CES

Колектор-Емітер

Напруга зламу

Tj=25℃

1700

В

ICES

Ограничений струм колектора

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Витік шлюзового емітера

Текуче

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

НА

VGE (і)

Порог шлюзового випромінювача

Напруга

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

В

ВЦЕ (Сітат)

Збирач до випускача

Насичення напруги

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

В

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

2.40

2.85

Qg

Зарахування за ворота

VGE=-15…+15V

42.0

МК

RGint

Внутрішній резистор шлюзу

Tj=25℃

0.4

О

td ((on)

Час затримки включення

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25°C

730

n

tr

Час підйому

205

n

td ((заключено)

Час затримки вимикання

1510

n

TF

Час осені

185

n

ЕОН

Втрати при вмиканні

498

mJ

Еоф

Вимкнення втрати перемикання

1055

mJ

td ((on)

Час затримки включення

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125°C

785

n

tr

Час підйому

225

n

td ((заключено)

Час затримки вимикання

1800

n

TF

Час осені

325

n

ЕОН

Втрати при вмиканні

746

mJ

Еоф

Вимкнення втрати перемикання

1451

mJ

Ці

Вхідна емкості

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

317

НФ

Коес

Вихідна ємність

13.2

НФ

Крес

Обратний перевод

Кваліфікація

10.5

НФ

Isc

Дані SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

14000

A

LCE

Індуктивність відхилення

10

nH

RCC+EE

Опір виводу модуля, термінал до чіпа

0.12

mΩ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В Ф

Диод наперед

Напруга

Я Ф =3600A

т j =25 ℃

1.80

2.20

В

т j =125 ℃

1.90

2.30

Q R

Відшкодований заряд

Я Ф =3600A,

В R = 900 В,

R Гон =0.4Ω,

В ГЕ =-15В

т j =25 ℃

836

МК

т j =125 ℃

1451

Я RM

Обертаний відновлення Текуче

т j =25 ℃

2800

A

т j =125 ℃

3300

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

т j =25 ℃

590

mJ

т j =125 ℃

1051