GD50PIX170C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Опис

Значення

Одиниця

V CES

Напруження колектора-еміттера

1700

V

V ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

V

Я C

Струм колектора @ T C =25o C @ T C =100o C

100

50

А

Я CM

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

100

А

P D

Максимальна потужність розсіювання @ T j =175o C

384

Ш

Символ

Опис

Значення

Одиниця

V РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1700

V

Я F

Діод Безперервний прямий Cu rrent

50

А

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

100

А

Символ

Опис

Значення

Одиниця

V РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1600

V

Я O

Середній вихідний струм 5 0Гц/60Гц, синусоїда

50

А

Я ФСМ

Піковий передній струм V Прут =0V,T p =10мс,Т j =45o C

850

А

Я 2t

Я 2t-значення,V Прут =0V,T p =10m s,T j =45o C

3610

А 2s

Символ

Опис

Значення

Одиниця

V CES

Напруження колектора-еміттера

1700

V

V ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

V

Я C

Струм колектора @ T C =25o C @ T C =100o C

100

50

А

Я CM

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

100

А

P D

Максимальна потужність розсіювання @ T j =175o C

384

Ш

Символ

Опис

Значення

Одиниця

V РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1700

V

Я F

Діод Безперервний прямий Cu rrent

50

А

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

100

А

Символ

Опис

Значення

Одиниця

T jmax

Максимальна температура сполучення (інвертор, тормоз) Максимальна температура сполучення (прямувач)

175

150

o C

T джоп

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

o C

T СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

o C

V ISO

Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

V CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

Я C =50A,V ГЕ =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C =50A,V ГЕ =15В, T j =125o C

2.25

Я C =50A,V ГЕ =15В, T j =150o C

2.35

V ГЕ (th)

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C =2.0mA ,V СЕ =V ГЕ , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Колекціонер Розрізаний -ЗВІЛЕНО Поточний

V СЕ =V CES ,V ГЕ =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Поточний

V ГЕ =V ГЕС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нА

Прут Гінт

Внутрішня відстань воріт танці

9.5

о

C ies

Вхідна емкості

V СЕ =25V, f=1MHz, V ГЕ =0V

6.02

нФ

C res

Обратний перевод Кваліфікація

0.15

нФ

Q Г

Зарахування за ворота

V ГЕ =-15 …+15В

0.47

мК

t d (у )

Час затримки включення

V CC = 900 В,I C =50A, Прут Г =9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =25o C

163

n

t прут

Час підйому

44

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

290

n

t f

Час осені

347

n

Е у

Вмикнення Перемикання Потерпіла

12.7

mJ

Е зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

7.28

mJ

t d (у )

Час затримки включення

V CC = 900 В,I C =50A, Прут Г =9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =125o C

186

n

t прут

Час підйому

51

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

361

n

t f

Час осені

535

n

Е у

Вмикнення Перемикання Потерпіла

17.9

mJ

Е зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

11.1

mJ

t d (у )

Час затримки включення

V CC = 900 В,I C =50A, Прут Г =9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =150o C

192

n

t прут

Час підйому

52

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

374

n

t f

Час осені

566

n

Е у

Вмикнення Перемикання Потерпіла

20.0

mJ

Е зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

12.0

mJ

Я SC

Дані SC

t P ≤10μs, V ГЕ =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700В

200

А

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

V F

Диод наперед Напруга

Я F =50A,V ГЕ =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F =50A,V ГЕ =0V,T j =125o C

1.95

Я F =50A,V ГЕ =0V,T j =150o C

1.90

Q прут

Відшкодований заряд

V Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =25o C

11.8

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

48

А

Е рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

6.08

mJ

Q прут

Відшкодований заряд

V Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =125o C

20.7

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

52

А

Е рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.4

mJ

Q прут

Відшкодований заряд

V Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =150o C

23.7

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

54

А

Е рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

13.1

mJ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

V F

Диод наперед Напруга

Я F =50A, V ГЕ =0V, T j =150o C

1.14

V

Я Прут

Зворотний струм

T j =150o C,V Прут =1600V

3.0

mA

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

V CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

Я C =50A,V ГЕ =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C =50A,V ГЕ =15В, T j =125o C

2.25

Я C =50A,V ГЕ =15В, T j =150o C

2.35

V ГЕ (th)

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C =2.0mA ,V СЕ =V ГЕ , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Колекціонер Розрізаний -ЗВІЛЕНО Поточний

V СЕ =V CES ,V ГЕ =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Поточний

V ГЕ =V ГЕС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нА

Прут Гінт

Внутрішній опір воріт

9.5

о

C ies

Вхідна емкості

V СЕ =25V, f=1MHz, V ГЕ =0V

6.02

нФ

C res

Обратний перевод Кваліфікація

0.15

нФ

Q Г

Зарахування за ворота

V ГЕ =-15 …+15В

0.47

мК

t d (у )

Час затримки включення

V CC = 900 В,I C =50A, Прут Г =9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =25o C

163

n

t прут

Час підйому

44

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

290

n

t f

Час осені

347

n

Е у

Вмикнення Перемикання Потерпіла

12.7

mJ

Е зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

7.28

mJ

t d (у )

Час затримки включення

V CC = 900 В,I C =50A, Прут Г =9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =125o C

186

n

t прут

Час підйому

51

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

361

n

t f

Час осені

535

n

Е у

Вмикнення Перемикання Потерпіла

17.9

mJ

Е зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

11.1

mJ

t d (у )

Час затримки включення

V CC = 900 В,I C =50A, Прут Г =9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =150o C

192

n

t прут

Час підйому

52

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

374

n

t f

Час осені

566

n

Е у

Вмикнення Перемикання Потерпіла

20.0

mJ

Е зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

12.0

mJ

Я SC

Дані SC

t P ≤10μs, V ГЕ =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700В

200

А

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

V F

Диод наперед Напруга

Я F =50A,V ГЕ =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F =50A,V ГЕ =0V,T j =125o C

1.95

Я F =50A,V ГЕ =0V,T j =150o C

1.90

Q прут

Відшкодований заряд

V Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =25o C

11.8

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

48

А

Е рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

6.08

mJ

Q прут

Відшкодований заряд

V Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =125o C

20.7

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

52

А

Е рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.4

mJ

Q прут

Відшкодований заряд

V Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =150o C

23.7

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

54

А

Е рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

13.1

mJ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

Прут 25

Намінальна опірність

5.0

kΩ

∆R/R

Відхилення з Прут 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Потужність

Витрати

20.0

мВт

B 25/50

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/50(1/T) 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/80(1/T) 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/100(1/T) 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

Л СЕ

Індуктивність відхилення

60

nH

Прут CC+EE Прут Aa ’+CC ’

Опір виводу модуля nce, Термінал до Чипа

4.00 2.00

mΩ

Прут thJC

З'єднання -до -Кейс (наIGBT -інвертор ) З'єднання-до-Корпусу (на ДІОД-інвертор ер) З'єднання сполучення з корпусом (на діод-прямувач) ер) З'єднання -до -Кейс (наIGBT -гальмо )

З'єднання сполучення з корпусом (на діод-перекидач) ак)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

К/В

Прут thCH

Кейс -до -Радіатор (наIGBT -інвертор )Корпус до радиатора (на діод-інвертор) р) Корпус-до-радіатора (на діод- прямівник) Кейс -до -Радіатор (наIGBT -гальмо )

Корпус-до-радіатора (на Діо д-тормоз) Категорія до теплового раковини (на Модуль)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

К/В

М

Монометричний момент; Шруб:M5

3.0

6.0

Н.М

Г

Вага з Модуль

300

г