GD50PIX170C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В CES

Напруження колектора-еміттера

1700

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

IC

Струм колектора @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

IСм

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

100

A

PD

Максимальна потужність розсіювання @ T j =175o C

384

Ш

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1700

В

IF

Діод Безперервний прямий Cu rrent

50

A

IЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

100

A

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1600

В

IO

Середній вихідний струм 5 0Гц/60Гц, синусоїда

50

A

IФСМ

Піковий передній струм V Прут =0V,T p =10мс,Т j =45o C

850

A

I2t

I2t-значення,V Прут =0V,T p =10m s,T j =45o C

3610

A2с

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В CES

Напруження колектора-еміттера

1700

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

IC

Струм колектора @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

IСм

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

100

A

PD

Максимальна потужність розсіювання @ T j =175o C

384

Ш

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1700

В

IF

Діод Безперервний прямий Cu rrent

50

A

IЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

100

A

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

T jmax

Максимальна температура сполучення (інвертор, тормоз) Максимальна температура сполучення (прямувач)

175

150

o C

T джоп

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

o C

T СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

o C

В ISO

Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

IC=50A,V ГЕ =15В, T j =25o C

1.85

2.20

В

IC=50A,V ГЕ =15В, T j =125o C

2.25

IC=50A,V ГЕ =15В, T j =150o C

2.35

В ГЕ (th)

Порог шлюзового випромінювача Напруга

IC=2.0mA ,В СЕ =В ГЕ , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

В

ICES

Колекціонер Розрізаний —ЗВІЛЕНО Струм

В СЕ =В CES ,В ГЕ =0V, T j =25o C

5.0

mA

IГЕС

Витік шлюзового емітера Струм

В ГЕ =В ГЕС ,В СЕ =0V, T j =25o C

400

нА

Прут Гінт

Внутрішня відстань воріт танці

9.5

о

Cies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V

6.02

нФ

Cres

Обратний перевод Кваліфікація

0.15

нФ

П G

Зарахування за ворота

В ГЕ =-15 …+15В

0.47

мК

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=50A, Прут G=9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =25o C

163

n

t прут

Час підйому

44

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

290

n

t f

Час осені

347

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

12.7

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

7.28

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=50A, Прут G=9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =125o C

186

n

t прут

Час підйому

51

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

361

n

t f

Час осені

535

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

17.9

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

11.1

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=50A, Прут G=9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =150o C

192

n

t прут

Час підйому

52

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

374

n

t f

Час осені

566

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

20.0

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

12.0

mJ

ISC

Дані SC

t P≤10μs, В ГЕ =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, В CEM ≤ 1700В

200

A

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед Напруга

IF =50A,V ГЕ =0V,T j =25o C

1.80

2.25

В

IF =50A,V ГЕ =0V,T j =125o C

1.95

IF =50A,V ГЕ =0V,T j =150o C

1.90

П прут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =25o C

11.8

мК

IRM

Вертикальний пік

Отримання потоку

48

A

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

6.08

mJ

П прут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =125o C

20.7

мК

IRM

Вертикальний пік

Отримання потоку

52

A

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.4

mJ

П прут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =150o C

23.7

мК

IRM

Вертикальний пік

Отримання потоку

54

A

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

13.1

mJ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед Напруга

IF =50A, В ГЕ =0V, T j =150o C

1.14

В

IПрут

Зворотний струм

T j =150o C,V Прут =1600V

3.0

mA

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

IC=50A,V ГЕ =15В, T j =25o C

1.85

2.20

В

IC=50A,V ГЕ =15В, T j =125o C

2.25

IC=50A,V ГЕ =15В, T j =150o C

2.35

В ГЕ (th)

Порог шлюзового випромінювача Напруга

IC=2.0mA ,В СЕ =В ГЕ , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

В

ICES

Колекціонер Розрізаний —ЗВІЛЕНО Струм

В СЕ =В CES ,В ГЕ =0V, T j =25o C

5.0

mA

IГЕС

Витік шлюзового емітера Струм

В ГЕ =В ГЕС ,В СЕ =0V, T j =25o C

400

нА

Прут Гінт

Внутрішній опір воріт

9.5

о

Cies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V

6.02

нФ

Cres

Обратний перевод Кваліфікація

0.15

нФ

П G

Зарахування за ворота

В ГЕ =-15 …+15В

0.47

мК

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=50A, Прут G=9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =25o C

163

n

t прут

Час підйому

44

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

290

n

t f

Час осені

347

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

12.7

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

7.28

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=50A, Прут G=9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =125o C

186

n

t прут

Час підйому

51

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

361

n

t f

Час осені

535

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

17.9

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

11.1

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=50A, Прут G=9.6Ω,V ГЕ =±15В, T j =150o C

192

n

t прут

Час підйому

52

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

374

n

t f

Час осені

566

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

20.0

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

12.0

mJ

ISC

Дані SC

t P≤10μs, В ГЕ =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, В CEM ≤ 1700В

200

A

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед Напруга

IF =50A,V ГЕ =0V,T j =25o C

1.80

2.25

В

IF =50A,V ГЕ =0V,T j =125o C

1.95

IF =50A,V ГЕ =0V,T j =150o C

1.90

П прут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =25o C

11.8

мК

IRM

Вертикальний пік

Отримання потоку

48

A

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

6.08

mJ

П прут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =125o C

20.7

мК

IRM

Вертикальний пік

Отримання потоку

52

A

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.4

mJ

П прут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В T j =150o C

23.7

мК

IRM

Вертикальний пік

Отримання потоку

54

A

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

13.1

mJ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

Прут 25

Намінальна опірність

5.0

kΩ

∆R/R

Відхилення з Прут 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Потужність

Витрати

20.0

мВт

B 25/50

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/50(1/T) 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/80(1/T) 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

Значення B

Прут 2=R 25екп [B 25/100(1/T) 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

LСЕ

Індуктивність відхилення

60

nH

Прут CC+EE Прут Aa ’+CC ’

Опір виводу модуля nce, Термінал до Чипа

4.00 2.00

mΩ

Прут thJC

З'єднання —до —Випадок (наIGBT —інвертор ) З'єднання-до-Корпусу (на ДІОД-інвертор ер) З'єднання сполучення з корпусом (на діод-прямувач) ер) З'єднання —до —Випадок (наIGBT —гальмо )

З'єднання сполучення з корпусом (на діод-перекидач) ак)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

К/В

Прут thCH

Випадок —до —Радіатор (наIGBT —інвертор )Корпус до радиатора (на діод-інвертор) р) Корпус-до-радіатора (на діод- прямівник) Випадок —до —Радіатор (наIGBT —гальмо )

Корпус-до-радіатора (на Діо д-тормоз) Категорія до теплового раковини (на Модуль)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

К/В

М

Монометричний момент; Шруб:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Вага з Модуль

300

g