GD50PIX170C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Опис

Значення

Одиниця

В CES

Напруження колектора-еміттера

1700

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

Я C

Струм колектора @ T C =25 o C @ T C =100 o C

100

50

A

Я CM

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

100

A

P Д

Максимальна потужність розсіювання @ T j =175 o C

384

W

Символ

Опис

Значення

Одиниця

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1700

В

Я Ф

Діод Безперервний прямий Cu rrent

50

A

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

100

A

Символ

Опис

Значення

Одиниця

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1600

В

Я O

Середній вихідний струм 5 0Гц/60Гц, синусоїда

50

A

Я ФСМ

Піковий передній струм V R =0V,T p =10мс,Т j =45 o C

850

A

Я 2т

Я 2t-значення,V R =0V,T p =10m s,T j =45 o C

3610

A 2с

Символ

Опис

Значення

Одиниця

В CES

Напруження колектора-еміттера

1700

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

Я C

Струм колектора @ T C =25 o C @ T C =100 o C

100

50

A

Я CM

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

100

A

P Д

Максимальна потужність розсіювання @ T j =175 o C

384

W

Символ

Опис

Значення

Одиниця

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1700

В

Я Ф

Діод Безперервний прямий Cu rrent

50

A

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

100

A

Символ

Опис

Значення

Одиниця

Т jmax

Максимальна температура сполучення (інвертор, тормоз) Максимальна температура сполучення (прямувач)

175

150

o C

Т джоп

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

o C

Т СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

o C

В Iso

Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

В CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

Я C =50A,V ГЕ =15В, Т j =25 o C

1.85

2.20

В

Я C =50A,V ГЕ =15В, Т j =125 o C

2.25

Я C =50A,V ГЕ =15В, Т j =150 o C

2.35

В ГЕ (tH )

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C =2.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , Т j =25 o C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, Т j =25 o C

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Текуче

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, Т j =25 o C

400

нА

R Гінт

Внутрішня відстань воріт танці

9.5

о

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V

6.02

нФ

C res

Обратний перевод Кваліфікація

0.15

нФ

Q G

Зарахування за ворота

В ГЕ =-15 …+15В

0.47

мК

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C =50A, R G =9.6Ω,V ГЕ =±15В, Т j =25 o C

163

n

т r

Час підйому

44

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

290

n

т ф

Час осені

347

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

12.7

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

7.28

mJ

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C =50A, R G =9.6Ω,V ГЕ =±15В, Т j =125 o C

186

n

т r

Час підйому

51

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

361

n

т ф

Час осені

535

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

17.9

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

11.1

mJ

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C =50A, R G =9.6Ω,V ГЕ =±15В, Т j =150 o C

192

n

т r

Час підйому

52

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

374

n

т ф

Час осені

566

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

20.0

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

12.0

mJ

Я SC

Дані SC

т P ≤10μs, В ГЕ =15В,

Т j =150 o C,V CC =1000V, В CEM ≤ 1700В

200

A

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

В Ф

Диод наперед Напруга

Я Ф =50A,V ГЕ =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

В

Я Ф =50A,V ГЕ =0V,T j =125 o C

1.95

Я Ф =50A,V ГЕ =0V,T j =150 o C

1.90

Q r

Відшкодований заряд

В R = 900 В,I Ф =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В Т j =25 o C

11.8

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

48

A

E рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

6.08

mJ

Q r

Відшкодований заряд

В R = 900 В,I Ф =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В Т j =125 o C

20.7

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

52

A

E рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.4

mJ

Q r

Відшкодований заряд

В R = 900 В,I Ф =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В Т j =150 o C

23.7

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

54

A

E рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

13.1

mJ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

В Ф

Диод наперед Напруга

Я Ф =50A, В ГЕ =0V, Т j =150 o C

1.14

В

Я R

Зворотний струм

Т j =150 o C,V R =1600V

3.0

mA

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

В CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

Я C =50A,V ГЕ =15В, Т j =25 o C

1.85

2.20

В

Я C =50A,V ГЕ =15В, Т j =125 o C

2.25

Я C =50A,V ГЕ =15В, Т j =150 o C

2.35

В ГЕ (tH )

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C =2.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , Т j =25 o C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, Т j =25 o C

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Текуче

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, Т j =25 o C

400

нА

R Гінт

Внутрішній опір воріт

9.5

о

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V

6.02

нФ

C res

Обратний перевод Кваліфікація

0.15

нФ

Q G

Зарахування за ворота

В ГЕ =-15 …+15В

0.47

мК

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C =50A, R G =9.6Ω,V ГЕ =±15В, Т j =25 o C

163

n

т r

Час підйому

44

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

290

n

т ф

Час осені

347

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

12.7

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

7.28

mJ

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C =50A, R G =9.6Ω,V ГЕ =±15В, Т j =125 o C

186

n

т r

Час підйому

51

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

361

n

т ф

Час осені

535

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

17.9

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

11.1

mJ

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C =50A, R G =9.6Ω,V ГЕ =±15В, Т j =150 o C

192

n

т r

Час підйому

52

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

374

n

т ф

Час осені

566

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

20.0

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

12.0

mJ

Я SC

Дані SC

т P ≤10μs, В ГЕ =15В,

Т j =150 o C,V CC =1000V, В CEM ≤ 1700В

200

A

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

В Ф

Диод наперед Напруга

Я Ф =50A,V ГЕ =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

В

Я Ф =50A,V ГЕ =0V,T j =125 o C

1.95

Я Ф =50A,V ГЕ =0V,T j =150 o C

1.90

Q r

Відшкодований заряд

В R = 900 В,I Ф =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В Т j =25 o C

11.8

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

48

A

E рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

6.08

mJ

Q r

Відшкодований заряд

В R = 900 В,I Ф =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В Т j =125 o C

20.7

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

52

A

E рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.4

mJ

Q r

Відшкодований заряд

В R = 900 В,I Ф =50A,

-di/dt=850A/μs,V ГЕ =-15В Т j =150 o C

23.7

мК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

54

A

E рекомендації

Обертаний відновлення Енергія

13.1

mJ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

R 25

Намінальна опірність

5.0

kΩ

∆R/R

Відхилення of R 100

Т C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Потужність

Витрати

20.0

мВт

B 25/50

Значення B

R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

Значення B

R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

Значення B

R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

Л СЕ

Індуктивність відхилення

60

nH

R CC+EE R Aa ’+ CC ’

Опір виводу модуля nce, Термінал до Чипа

4.00 2.00

mΩ

R thJC

З'єднання -до -ПРИКЛАД (наIGBT -інвертор ) З'єднання-до-Корпусу (на ДІОД-інвертор ер) З'єднання сполучення з корпусом (на діод-прямувач) ер) З'єднання -до -ПРИКЛАД (наIGBT -гальмо )

З'єднання сполучення з корпусом (на діод-перекидач) ак)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

К/В

R thCH

ПРИКЛАД -до -Радіатор (наIGBT -інвертор )Корпус до радиатора (на діод-інвертор) р) Корпус-до-радіатора (на діод- прямівник) ПРИКЛАД -до -Радіатор (наIGBT -гальмо )

Корпус-до-радіатора (на Діо д-тормоз) Категорія до теплового раковини (на Модуль)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

К/В

М

Монометричний момент; Шруб:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Вага of Модуль

300

g