Усі категорії
Отримати цитату

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Модуль IGBT 1700V

Модуль IGBT 1700V

Головна сторінка/Продукти/Модуль IGBT/Модуль IGBT 1700V

GD100HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

1700V 100A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HFX170C1S
  • Вступ
  • Контур
  • Схема еквівалентного кола
Вступ

Коротке представлення

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER .170100А.

Особливості

  • Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
  • можливість короткого заклику 10 мкм
  • VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
  • Максимальна температура сп'ювання 175
  • Низька індуктивність корпусу
  • Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
  • Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

  • Інвертори для моторного приводу
  • Сервоприводний підсилювач змінного та постійного струму
  • Джерело живлення без перерв

Абсолютно Максимальний Рейтинги T F =25o C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В CES

Напруження колектора-еміттера

1700

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

І C

Струм колектора @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

А

І См

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

200

А

PD

Максимальний Потужність Витрати @ T vj =175o C

666

Ш

Диод

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга вік

1700

В

І F

Діод Безперервний прямий Cu rrent

100

А

І ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

200

А

Модуль

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

T vjmax

Максимальна температура перетину

175

o C

T vjop

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

o C

T СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

o C

В ISO

Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t= 1 хвилина

4000

В

IGBT Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

І C=100A,V ГЕ =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

В

І C=100A,V ГЕ =15В, T vj =125o C

2.25

І C=100A,V ГЕ =15В, T vj =150o C

2.35

В ГЕ (th)

Порог шлюзового випромінювача Напруга

І C=4.0mA ,В СЕ =В ГЕ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

В

І CES

Колекціонер Розрізаний ЗВІЛЕНО Струм

В СЕ =В CES ,В ГЕ =0V, T vj =25o C

5.0

mA

І ГЕС

Витік шлюзового емітера Струм

В ГЕ =В ГЕС ,В СЕ =0V, T vj =25o C

400

нА

Прут Гінт

Внутрішній опір воріт

7.5

о

Cies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V

12.0

нФ

Cres

Обратний перевод Кваліфікація

0.29

нФ

QG

Зарахування за ворота

В ГЕ =-15…+15V

0.94

мК

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=100A, Прут G= 4,7Ω,V ГЕ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =25o C

272

n

t прут

Час підйому

55

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

369

n

t f

Час осені

389

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

28.2

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

16.4

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=100A, Прут G= 4,7Ω,V ГЕ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =125o C

296

n

t прут

Час підйому

66

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

448

n

t f

Час осені

576

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

40.1

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

24.1

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 900 В,I C=100A, Прут G= 4,7Ω,V ГЕ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =150o C

302

n

t прут

Час підйому

69

n

t d(off)

Вимкнення Час затримки

463

n

t f

Час осені

607

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

43.9

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

25.7

mJ

І SC

Дані SC

t P≤10μs, В ГЕ =15В,

T vj =150o C,В CC =1000V

В CEM ≤ 1700В

400

А

Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед Напруга

І F =100A,V ГЕ =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

В

І F =100A,V ГЕ =0V,T vj =125o C

1.90

І F =100A,V ГЕ =0V,T vj =150o C

1.95

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V ГЕ =-15В Ls=60нГ,

T vj =25o C

23.5

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

85

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.5

mJ

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V ГЕ =-15В Ls=60нГ,

T vj =125o C

36.6

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

88

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

18.1

mJ

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 900 В,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V ГЕ =-15В Ls=60нГ,

T vj =150o C

46.2

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

91

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

24.6

mJ

Модуль Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

LСЕ

Індуктивність відхилення

30

nH

Прут CC+EE

Модуль олівцевого опору, Термінал до чіпа

0.65

Прут thJC

З'єднання до Випадок (наIGBT ) З'єднання до корпусу (на D) йод)

0.225 0.391

К/В

Прут thCH

Випадок до Радіатор (наIGBT )Категорія до теплового раковини (p) ер Діод) Категорія до теплового раковини (на Модуль)

0.158 0.274 0.050

К/В

Хв

Термінальний момент підключення, Шруб M5 Монометричний момент; Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вага з Модуль

150

g

Контур

Схема еквівалентного кола

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Пов’язаний товар

Є питання щодо будь-яких продуктів?

Наша професійна команда продажів чекає на ваші консультації.
Ви можете слідкувати за їхнім списком продуктів і задавати будь-які питання, які вас цікавлять.

Отримати цитату

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000