GD1000HFX170P2, Модуль IGBT, Половинний міст IGBT, STARPOWER

Символ

Параметр

Умови випробування

Значення

Одиниця

ВСЕ

Напруження колектора-еміттера

VGE = 0V, TC = 25 °C

1700

В

VGES

Напруження шлюзового випромінювача

TC= 25 °C

± 20

В

IC

Ток колектора-еміттера

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

集电极峰值电流 集电极峰值电流 集电极峰值 集电极峰值 集电极峰值 集电流

Піковий струм колектора

tp=1 мс

2800

A

Pmax

Максимальна розсіювання потужності транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

кВт

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Висоль

Ізоляційне напруження - на модуль

Зазвичайні термінали до базової пластини), RMS, AC,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

В

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

ICES

Ограничений струм колектора

VGE = 0В,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0В, VCE = VCES, TC=125 °C

20

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

mA

IGES

Течія витоку через шлюзи

VGE = ±20В, VCE = 0В

0.5

μA

VGE (TH)

Порожнє напруження шлюзу

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

В

VCE (присутний)

Насичення колектора-емітера напруга

VGE = 15V, IC = 1400A

2.00

2.40

В

VGE = 15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

В

VGE = 15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

В

IF

Диодний поток вперед

DC

1400

A

МРПМ

Пикова провідна струма диоду

tP = 1 мс

2800

A

VF(*1)

Диодний напрям вперед

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

В

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

В

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

В

Isc

Коротке замикання струму

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

Ці

Вхідна емкості

VCE = 25В, VGE = 0В, f = 100kГц

113

нФ

Qg

Зарахування за ворота

±15В

11.7

мК

Крес

Обертальна передача емкості

VCE = 25В, VGE = 0В, f = 100kГц

3.1

нФ

LM

Індуктивність модуля

10

nH

РІНТ

Внутрішній опір транзистора

0.2

mΩ

td ((заключено)

Час затримки вимикання

IC = 1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG ((OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

n

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tF

下降时间 Час осені

Tvj= 25 °C

460

n

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

Еоф

Втрати енергії при вимкненні

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

td ((on)

Час затримки включення

IC = 1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG ((ON) = 1,2Ω, LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

n

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

Час підйому

Tvj= 25 °C

112

n

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

ЕОН

Втрата енергії при включенні

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Зворотний діод

заряд відновлення

IF = 1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

мК

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

Зворотний діод

отримання потоку

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Ерек

Зворотний діод

відновлення енергії

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290