Усі категорії
Отримати цитату

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

IGBT Дискретний

IGBT Дискретний

Головна сторінка/Продукти/Модуль IGBT/Дискретний IGBT

DG25X12T2, IGBT дискретний, STARPOWER

1200В,25А

Brand:
STARPOWER
  • Вступ
Вступ

Милосердне нагадування :F або більше IGBT дискретних, будь ласка, надішліть електронну пошту.

Особливості

  • Низький VCE (присутність) Розкоп IGBT технології
  • можливість короткого заклику 10 мкм
  • Низька втрата перемикання
  • Максимальна температура з'єднання 175oC
  • Низька індуктивність корпусу
  • ВЦЕ (Сітат) з позитивний температура коефіцієнт
  • Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
  • Пакет без свинцю

Типовий Застосування

  • Інвертори для моторного приводу
  • Сервоприводний підсилювач змінного та постійного струму
  • Джерело живлення без перерв

Абсолютно Максимальний Рейтинги T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

І C

Струм колектора @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

А

І См

Імпульсний колекторний струм t p обмежений T jmax

100

А

PD

Максимальна потужність розсіювання @ T j =175o C

573

Ш

Диод

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повернення пікового напруження

1200

В

І F

Диодний постійний поток @ T C= 110o C

25

А

І ЗМ

Диод Максимальний Наперед Струм t p обмежено від T jmax

100

А

Дискретно

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

T джоп

Теплота роботи з'єднання

-40 до +175

o C

T СТГ

Температура зберігання Лінійка

-55 до +150

o C

T С

Температура пайки,1.6мм від корпусу для 10с

260

o C

Хв

Монометричний момент; Гвинт M3

0.6

Н.М

IGBT Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В CE (Сі)

Збирач до випускача

Насичення напруги

І C=25A, В ГЕ =15В,

T j =25o C

1.70

2.15

В

І C=25A, В ГЕ =15В,

T j =125o C

1.95

І C=25A, В ГЕ =15В,

T j =150o C

2.00

В ГЕ (th)

Порог шлюзового випромінювача Напруга

І C=0.63mA ,В СЕ =В ГЕ , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

В

І CES

Колекціонер Розрізаний ЗВІЛЕНО

Струм

В СЕ =В CES ,В ГЕ =0V,

T j =25o C

1.0

mA

І ГЕС

Витік шлюзового емітера Струм

В ГЕ =В ГЕС ,В СЕ =0V, T j =25o C

400

нА

Прут Гінт

Внутрішня ворота опору ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа

0

о

Cies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz,

В ГЕ =0V

2.59

нФ

Cres

Обратний перевод

Кваліфікація

0.07

нФ

QG

Зарахування за ворота

В ГЕ =-15…+15V

0.19

мК

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C=25A, Прут G=20Ω,V ГЕ =±15В, T j =25o C

28

n

t прут

Час підйому

17

n

t d (зВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

196

n

t f

Час осені

185

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

1.71

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

1.49

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C=25A, Прут G=20Ω,V ГЕ =±15В, T j =125o C

28

n

t прут

Час підйому

21

n

t d (зВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

288

n

t f

Час осені

216

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

2.57

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

2.21

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C=25A, Прут G=20Ω,V ГЕ =±15В, T j =150o C

28

n

t прут

Час підйому

22

n

t d (зВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

309

n

t f

Час осені

227

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

2.78

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

2.42

mJ

І SC

Дані SC

t P≤ 10 мкм,В ГЕ =15В,

T j =150o C,V CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В

100

А

Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед

Напруга

І F =25A,V ГЕ =0V,T j =25o C

2.20

2.65

В

І F =25A,V ГЕ =0V,T j = 125o C

2.30

І F =25A,V ГЕ =0V,T j = 150o C

2.25

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 600 В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЕ =-15В T j =25o C

1.43

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

34

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

0.75

mJ

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 600 В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЕ =-15В T j = 125o C

2.4

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

42

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

1.61

mJ

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 600 В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЕ =-15В T j = 150o C

2.6

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

44

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

2.10

mJ

Дискретно Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

Прут thJC

Зв'язок до справи (на IGB) T)

З'єднання до корпусу (на Di) од)

0.262

0.495

К/В

Прут тДЖ

З'єднання з навколишнім середовищем

40

К/В

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Пов’язаний товар

Є питання щодо будь-яких продуктів?

Наша професійна команда продажів чекає на ваші консультації.
Ви можете слідкувати за їхнім списком продуктів і задавати будь-які питання, які вас цікавлять.

Отримати цитату

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000