CM4226, високопродуктивний, біполярний інструвальний підсилювач

Огляд
CM4226 — це програмований багатофункціональний високопродуктивний біполярний інструментальний підсилювач, який забезпечує найкращий у галузі коефіцієнт подавлення синфазного сигналу (CMRR) у широкому діапазоні частот. Традиційні інструментальні підсилювачі демонструють погіршення CMRR на сотнях герців, тоді як CM4226 зберігає високий рівень CMRR понад 80 дБ при коефіцієнті підсилення 1 у смузі пропускання 10 кГц. Його винятковий CMRR дозволяє придушувати широкосмугові перешкоди та гармоніки, значно спрощуючи вимоги до фільтрів.

Завдяки низькій напрузі зсуву, низькому дрейфу зсуву, низькому дрейфу підсилення, високій точності підсилення та високому CMRR, цей чіп ідеально підходить для застосувань, що вимагають оптимальних постійних характеристик, таких як обробка сигналів мостових схем.

Програмований коефіцієнт підсилення забезпечує гнучкість проектування; один зовнішній резистор встановлює коефіцієнт підсилення від 1 до 1000. CM4226 працює від одиночного або подвійного джерела живлення та підтримує вхідні напруги до ±10 В.

Модель CM4226 доступна в корпусах SOP8 та MSOP8 із оптимальним діапазоном робочих температур від −40°C до 85°C. Вона залишається працездатною від 85°C до 125°C з незначним погіршенням характеристик.

Характеристики

• Широкий діапазон напруги живлення: ±2,3 В до ±18 В
• Напруга зсуву входу: 40 мкВ (макс.)
• Температурний дрейф напруги зсуву входу: 0,3 мкВ/°C (максимум)
• Струм зміщення входу: 0,5 нА (макс.)
• Низький шум вхідної напруги: 7 нВ/√Гц (макс.)
• Еквівалентний вхідний рівень шумів: 0,2 мкВpp (типове значення, 0,1 Гц – 10 Гц)
• Коефіцієнт подавлення синфазного сигналу (CMRR): 80 дБ (постійний струм) / 80 дБ (10 кГц) (G = 1)
• Смуга пропускання за малим сигналом (-3 дБ): 1000 кГц (G = 1)
• Швидкість наростання вихідної напруги (Slew Rate): 2,4 В/мкс
• Програмований коефіцієнт підсилення за допомогою одного зовнішнього резистора (G = 1–1000)
• Корпуси SOP8 (4,9 мм × 3,9 мм) та MSOP8 (3 мм × 3 мм)

Застосування

• Прилади
• Схеми обробки сигналів датчиків
• Системи збору даних
• Електромагнітні лічильники витрати
• Медичне обладнання

SOP8

MSPO8

Про нас

Ми зосереджуємося на застосування iGBT та ІС товари . На основі застосування продуктів IGBT та ІС ми розширили асортимент наших товарів до індивідуального виготовлення високотехнологічних силових модулів; одночасно наш бізнес розширився й у сферу продуктів автоматизованого керування, зокрема АЦП/ЦАП, стабілізаторів напруги з низьким падінням (LDO), інструментальних підсилювачів, електромагнітних реле, фототранзисторних реле (PhotoMOS) та транзисторів MOSFET. Таким чином, ми можемо співпрацювати з провідними китайськими виробниками в галузях нашої експертизи, щоб надавати клієнтам надійні та економічно вигідні продукти.
Засновані на принципах інноваційності та досконалості, ми стоїмо на чолі альтернативних напівпровідникових рішень та технологій.
Нашим баченням є надання альтернативних рішень для наших клієнтів, покращення вартості їхніх рішень та забезпечення безпеки ланцюгів поставок за рахунок виробництва в Китаї.

Наші користувачі

1.Лабораторія надійності

Надійність є основою якості продукту й критично важливою характеристикою якості. Наша лабораторія створена відповідно до міжнародних галузевих стандартів і повністю оснащена комплексними випробувальними можливостями. Вона здатна проводити випробування на зростання надійності, кваліфікаційні випробування на надійність, випробування на термін служби, відбіркові випробування та інші оцінки електронних виробів. Також можуть виконуватися спеціалізовані випробування на надійність за вимогами замовника.

• Випробування при високій температурі з подачею напруги на затвор (HTGB)
• Випробування при високій температурі з подачею зворотної напруги (HTRB)
• Випробування терміну зберігання при низькій температурі (LTSL)
• Випробування в автоклаві (PCT)
• Прискорене випробування при високій температурі та високій вологості (H3TRB)
• Випробування терміну служби при переривчастому режимі роботи (IOL)
• Випробування терміну зберігання при високій температурі (HTSL)
• Неполяризоване високоприскорене випробування під навантаженням (uHAST)

2.Лабораторія оцінки продуктів та їх застосування

(1) Випробування та оцінка пристроїв

• Випробування та оцінка різних MOSFET-транзисторів, IGBT-транзисторів, діодів та потужних напівпровідників із широкою забороненою зоною, що охоплює параметри пристроїв до 1700 В / 2000 А
• Пункти випробувань: параметри струм–напруга (I–V), параметри ємність–напруга (C–V), заряд затвора (Qg), опір затвора (Rg), комутаційні характеристики, зворотне відновлення, лавинна стійкість та стійкість до короткого замикання

• Випробування системи живлення

Наші інженери з застосування мають багаторічний досвід у проектуванні джерел живлення та застосуванні потужних компонентів, надаючи клієнтам комплексну технічну підтримку. Пункти випробувань включають:

• Випробування ККД
• Випробування на нагрівання
• Випробування на кондуктивні електромагнітні перешкоди (EMI)
• Випробування на струмові сплески