MTx500 MFx500 MT500,Tyristor/Diode Moduler,Vattenkylning

V RRM ,V DRM

Typ & Översikt

2000 V

MT3 förpackning

MFx500-20-406F3

2200V

MT3 förpackning

MFx500-22-406F3

2500 V

MT5 förpackning

MFx500-25-406F3

2500 V

MT5205-52F3G

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃)

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kylt, THS=55 ℃

125

500

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

785

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

45

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

125

13

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

845

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

0.87

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.60

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=1500A

25

2.15

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

10

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.085

℃/W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.040

℃/W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12

14

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

1580

g

Översikt

406F3