GD300HFX170C6SA,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

600

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1829

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

600

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC=300A,V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=12.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

36.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.88

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff =4.7Ω, LS =66nH,V Generella =± 15 V, T j =25o C

265

n

t r

Uppgångstid

94

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

565

n

t f

Hösttid

326

n

Epå

Tänd Växling Förlust

77.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

52.8

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff =4.7Ω, LS =66nH,V Generella =± 15 V, T j =125o C

302

n

t r

Uppgångstid

104

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

631

n

t f

Hösttid

521

n

Epå

Tänd Växling Förlust

108

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

72.8

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff =4.7Ω, LS =66nH,V Generella =± 15 V, T j =150o C

313

n

t r

Uppgångstid

108

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

645

n

t f

Hösttid

545

n

Epå

Tänd Växling Förlust

119

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

78.4

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V Generella =0V,T j =125o C

1.95

IF =300A,V Generella =0V,T j =150o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs,V Generella =-15V LS =66nH ,T j =25o C

56.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

228

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

38.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2300A/μs,V Generella =-15V LS =66nH ,T j =125o C

89.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

262

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

60.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs,V Generella =-15V LS =66nH ,T j =150o C

102

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

272

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

69.6

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R tJC

Tvättpunkt – till – Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.082 0.121

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.030 0.045 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g