GD300HFX170C2SA,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

600

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

1829

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=300A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=300A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=12.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

36.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.88

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A, R G=2.4Ω, Ls=42nH, V Generella =± 15 V,

T vj =25o C

355

n

t r

Uppgångstid

71

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

473

n

t f

Hösttid

337

n

Epå

Tänd Växling Förlust

89.3

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

46.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A, R G=2.4Ω, Ls=42nH, V Generella =± 15 V,

T vj =125o C

383

n

t r

Uppgångstid

83

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

549

n

t f

Hösttid

530

n

Epå

Tänd Växling Förlust

126

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

68.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A, R G=2.4Ω, Ls=42nH, V Generella =± 15 V,

T vj =150o C

389

n

t r

Uppgångstid

88

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

575

n

t f

Hösttid

585

n

Epå

Tänd Växling Förlust

139

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

73.4

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.95

IF =300A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V Generella =-15V Lärare =42nH ,T vj =25o C

68

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

202

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

34.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V Generella =-15V Lärare =42nH ,T vj =125o C

114

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

211

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

61.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V Generella =-15V Lärare =42nH ,T vj =150o C

136

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

217

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

73.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.082 0.127

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.033 0.051 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g