Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT Discrete

IGBT Discrete

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT Diskret

DG25X12T2, IGBT diskret, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • Introduktion
Introduktion

En vänlig påminnelse. :F eller mer IGBT diskret, skicka ett e-postmeddelande.

Egenskaper

  • Lågt VCE (sat) Gräv IGBT teknologi
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • Låga bytesförluster
  • Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
  • Låg induktanshus
  • VCE (sat) med positiv temperatur koefficient
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Förpackning utan bly

Typisk Användningsområden

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T C=25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

ICm

Pulsad samlarström t p begränsad av T jmax

100

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

573

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framström @ T C= 110o C

25

A

IFM

Diod Maximal Framåt Nuvarande t p begränsad av T jmax

100

A

Diskret

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +175

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-55 till +150

o C

T S

Lödtemperatur,1.6mm fro m hölje för 10s

260

o C

M

Monteringsmoment Skruv M3

0.6

N.M

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=25A, V Generella =15V,

T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=25A, V Generella =15V,

T j =125o C

1.95

IC=25A, V Generella =15V,

T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=0.63mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

2.59

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

0.07

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

0.19

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=25A, R G=20Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

28

n

t r

Uppgångstid

17

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

196

n

t f

Hösttid

185

n

E

Tänd Växling

Förlust

1.71

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

1.49

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=25A, R G=20Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

28

n

t r

Uppgångstid

21

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

288

n

t f

Hösttid

216

n

E

Tänd Växling

Förlust

2.57

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

2.21

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=25A, R G=20Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

28

n

t r

Uppgångstid

22

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

309

n

t f

Hösttid

227

n

E

Tänd Växling

Förlust

2.78

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

2.42

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

100

A

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF =25A,V Generella =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

IF =25A,V Generella =0V,T j = 125o C

2.30

IF =25A,V Generella =0V,T j = 150o C

2.25

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Generella =-15V T j =25o C

1.43

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

34

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

0.75

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Generella =-15V T j = 125o C

2.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

42

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

1.61

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Generella =-15V T j = 150o C

2.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

44

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

2.10

mJ

Diskret Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.262

0.495

K/W

R tJA

Sammanslutning med omgivning

40

K/W

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000