Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Asymmetrisk IGCT (A-IGCT)

Asymmetrisk IGCT (A-IGCT)

Startsida/Produkter/IGCT-modul/Asymmetrisk IGCT (A-IGCT)

Asymmetrisk IGCT-enhet, YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#

Asymmetriska IGCT-moduler, 6500 V, 4000 A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#
Appurtenance:

Produktbroschyr:Ladda ner

  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

Asymmetriska IGCT-moduler (A-IGCT) är halvledarprodukter med hög effekt och hög tillförlitlighet, utvecklade för avancerade mellan- och högspänningskraftomvandlingsapplikationer. Genom att kombinera GTO-teknikens förmåga att hantera hög spänning och hög ström med IGCT-teknikens snabba styrprestanda ger A-IGCT-moduler en effektiv lösning för krävande industriella kraftelektroniksystem.

Med avancerad wafer-tillverkningsteknik och optimerade komponentstrukturer erbjuder asymmetriska IGCT-moduler låga ledningsförluster, hög avstängningsförmåga, utmärkt termisk prestanda och imponerande drifttillförlitlighet. De är konstruerade för att säkerställa stabil och långsiktig drift under hårda industriella förhållanden.

Asymmetriska IGCT-moduler används omfattande i högspänningsomvandlare, industriella likriktarströmförsörjningar, gruvlyftsystem, järnvägstraktion, elkvalitetsförbättringssystem, stordriftsmotordrivsystem och kraftomvandlingssystem för förnybar energi.

Nyckelfunktioner:

Högspänningsförmåga för medelstora och stora effektapplikationer
Högströmsförmåga för storskaliga kraftomvandlingssystem
Låga ledningsförluster för förbättrad systemeffektivitet
Snabb avstängningsprestanda för förbättrad dynamisk respons
Hög tillförlitlighet för kontinuerlig industriell drift
Design med hög effekttäthet för kompakta kraftelektroniksystem

Med utmärkt elektrisk prestanda och tillförlitlighet ger asymmetriska IGCT-moduler en kärnhalvledarlösning för kraftelektroniksystem av nästa generations höga effektivitet och tillförlitlighet.

YT-ASC40L6500IC

Nyckelparametrar

V DRM

6500

V

I TGQM

4000

A

I TSM

26

kA

V Till

1.88

V

r T

0.56

mQ

V DClänk

4000

V

Blockeringsdata

Symbol

Villkor

Mi

Typisk

Max

V DRM

T Vj =125℃, I D≤I DRM, t p =10ms

–

–

6500

V

IDRM

T Vj =125℃, V D=V DRM, t p =10ms

–

–

50

mA

d v /dt

T Vj =125℃, V D=0.67V DRM

–

–

1000

V/μs

V DClin K

Permanent DC-spänning för 100 FIT felaktighetsgrad av GCT

–

–

4000

V

V RRM

\

–

–

17

V

På-lägesdata

Symbol

Villkor

Mi

Typisk

Max

IDC

T C= 85 ℃,DC, Dubbel sida kyld

–

–

2000

A

ITSM

I 2t

T Vj = 125 ℃,sin cE halvbölja , 10ms,

V D=V R =0

–

–

–

–

26

338

KA

104A2 s

V TM

T Vj = 125°C, I T =4000A

–

3.75

4.11

V

V Till

r T

T Vj = 125°C, I T = 1000… 4000A

–

–

1.88

0.55

V

m ω

Påslagdata

Symbol

Testförhållanden

Mi

Typisk

Max

di T /dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

–

–

5000

A/ μ s

t don

T Vj = 125 ℃, Jag T = 5000 A, V D = 4000V,

di /dt = V D/Li , C CL =20μF, L i = 3μH, L CL = 0,3 μH

–

–

3

μ s

t donSF

–

–

7

μ s

t r

–

–

1

μ s

Epå

–

–

3.3

J

Avstängningsdata

Symbol

Villkor

Mi

Typisk

Max

ITGQM

T Vj = 125°C, V Dm ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0,3 μH,

CCL = 20 μF, R S = 0. 4ω ,f=0..300Hz

DFWD = D CL = FY B 1100-60

–

–

4000

A

t doff

T Vj = 125℃,ITGQ = 4000 A, V D= 4000 V,

V Dm ≤ V DRM ,CCL = 20μF, R S = 0,4 ω,

L i =3μH, LCL = 0,3 μH

DFWD = D CL = FYB 1100-60

–

–

8

μ s

t doffSF

–

–

7

μ s

t f

–

–

1

μ s

Eavstängd

–

442.5

46.3

J

Termiska data

Symbol

Testförhållanden

Mi

Typisk

Max

T Vj

T STG

/

0

-40

–

125

60

℃

℃

R tJC

R thCH

Dubbel sida kyld

–

–

–

–

8.5

3

K/kW

K/kW

Gate-enhet

Symbol

Testförhållanden

Mi

Typisk

Max

V GIN RMS

DC-spänning eller AC fyrkantvåg amplitud (15kHz - 100kHz). Ingen galvanisk isolering till kraftkrets.

28

–

40

V

PGIN Max

/

–

–

130

W

IGIN MIN

Min. Ström som behövs för att starta och driva gate-enhet

2

–

–

A

IGIN MAX

Rektifierad genomsnittlig ström begränsad av

gate-enhet

–

–

8

A

Optisk kontroll in/ut

t på(min)

t av(min)

/

40

40

–

–

–

–

μ s

μ s

Ppå CS

POff CS

Ppå SF

Pavstängd SF

Giltig för 1mm plastoptisk fiber (POF)

-15

–

-19

–

–

–

–

–

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t GLITCH

t retrig

Max. pulsbredd utan respons

/

–

700

–

–

400

1100

n

n

CS

Agilent ,Typ: HFBR-2521

SF

Agilent ,Typ: HFBR-1521

Översikt

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000