Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Asymmetrisk IGCT (A-IGCT)

Asymmetrisk IGCT (A-IGCT)

Startsida /  Produkter /  IGCT-modul /  Asymmetrisk IGCT (A-IGCT)

Asymmetrisk IGCT-enhet, YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#

Asymmetriska IGCT-moduler, 6500 V, 4000 A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#
Appurtenance:

Produktbroschyr:LADDA NER

  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

Asymmetriska IGCT-moduler (A-IGCT) är halvledarprodukter med hög effekt och hög tillförlitlighet, utvecklade för avancerade mellan- och högspänningskraftomvandlingsapplikationer. Genom att kombinera GTO-teknikens förmåga att hantera hög spänning och hög ström med IGCT-teknikens snabba styrprestanda ger A-IGCT-moduler en effektiv lösning för krävande industriella kraftelektroniksystem.

Med avancerad wafer-tillverkningsteknik och optimerade komponentstrukturer erbjuder asymmetriska IGCT-moduler låga ledningsförluster, hög avstängningsförmåga, utmärkt termisk prestanda och imponerande drifttillförlitlighet. De är konstruerade för att säkerställa stabil och långsiktig drift under hårda industriella förhållanden.

Asymmetriska IGCT-moduler används omfattande i högspänningsomvandlare, industriella likriktarströmförsörjningar, gruvlyftsystem, järnvägstraktion, elkvalitetsförbättringssystem, stordriftsmotordrivsystem och kraftomvandlingssystem för förnybar energi.

Nyckelfunktioner:

Högspänningsförmåga för medelstora och stora effektapplikationer
Högströmsförmåga för storskaliga kraftomvandlingssystem
Låga ledningsförluster för förbättrad systemeffektivitet
Snabb avstängningsprestanda för förbättrad dynamisk respons
Hög tillförlitlighet för kontinuerlig industriell drift
Design med hög effekttäthet för kompakta kraftelektroniksystem

Med utmärkt elektrisk prestanda och tillförlitlighet ger asymmetriska IGCT-moduler en kärnhalvledarlösning för kraftelektroniksystem av nästa generations höga effektivitet och tillförlitlighet.

YT-ASC40L6500IC

Nyckelparametrar

V DRM

6500

V

Jag TGQM

4000

A

Jag TSM

26

kA

V Till

1.88

V

r T

0.56

mQ

V DClänk

4000

V

Blockeringsdata

Symbol

Villkor

M i

Typisk

M ax

V DRM

T Vj =125℃, I D ≤I DRM, t p =10ms

-

-

6500

V

Jag DRM

T Vj =125℃, V D =V DRM, t p =10ms

-

-

50

mA

d v /dt

T Vj =125℃, V D =0.67V DRM

-

-

1000

V/μs

V DClin K

Permanent DC-spänning för 100 FIT felaktighetsgrad av GCT

-

-

4000

V

V RRM

\

-

-

17

V

På-lägesdata

Symbol

Villkor

M i

Typisk

M ax

Jag DC

T C = 85 , DC, Dubbel sida kyld

-

-

2000

A

Jag TSM

Jag 2t

T Vj = 125 , sin cE halvbölja , 10ms,

V D =V R =0

-

-

-

-

26

338

KA

104A 2 s

V TM

T Vj = 125°C, I T =4000A

-

3.75

4.11

V

V Till

r T

T Vj = 125°C, I T = 1000… 4000A

-

-

1.88

0.55

V

m ω

Påslagdata

Symbol

Testförhållanden

M i

Typisk

M ax

di T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ s

t don

T Vj = 125 , Jag T = 5000 A, V D = 4000V,

di /dt = V D /Ljag , C CL =20μF, L jag = 3μH, L CL = 0,3 μH

-

-

3

μ s

t donSF

-

-

7

μ s

t r

-

-

1

μ s

E

-

-

3.3

J

Avstängningsdata

Symbol

Villkor

M i

Typisk

M ax

Jag TGQM

T Vj = 125°C, V Dm ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0,3 μH,

C CL = 20 μF, R S = 0. 4ω f=0..300Hz

D FWD = D CL = FY B 1100-60

-

-

4000

A

t doff

T Vj = 125, Jag TGQ = 4000 A, V D = 4000 V,

V Dm V DRM , C CL = 20μF, R S = 0,4 ω,

L jag =3μH, L CL = 0,3 μH

D FWD = D CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t doffSF

-

-

7

μ s

t f

-

-

1

μ s

E avstängd

-

442.5

46.3

J

Termiska data

Symbol

Testförhållanden

M i

Typisk

M ax

T Vj

T STG

/

0

-40

-

125

60

R tJC

R thCH

Dubbel sida kyld

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

Gate-enhet

Symbol

Testförhållanden

M i

Typisk

M ax

V GIN RMS

DC-spänning eller AC fyrkantvåg amplitud (15kHz - 100kHz). Ingen galvanisk isolering till kraftkrets.

28

-

40

V

P GIN Max

/

-

-

130

W

Jag GIN MIN

Min. Ström som behövs för att starta och driva gate-enhet

2

-

-

A

Jag GIN MAX

Rektifierad genomsnittlig ström begränsad av

gate-enhet

-

-

8

A

Optisk kontroll in/ut

t på(min)

t av(min)

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

P på CS

P O ff CS

P på SF

P avstängd SF

Giltig för 1mm plastoptisk fiber (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t GLITCH

t retrig

Max. pulsbredd utan respons

/

-

700

-

-

400

1100

n

n

CS

Agilent Typ: HFBR-2521

SF

Agilent Typ: HFBR-1521

Översikt

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000