Кључне предности
Интегрисана способност блокирања реверзног напона за поједностављено пројектовање система;
Високо напон и способност за високу струју за велике апликације конверзије снаге;
Улутра-ниски губици проводности за побољшање енергетске ефикасности;
Способност брзог искључења са одличним перформансима преласка;
Напредни дизајн пакета за штампање са способност двостраног хлађења;
Висока поузданост под електричним, топлинским и механичким условима стреса .
Примене
"Предајни систем" за пренос високонапонске истичаре струје (HVDC);
Флексибилни системи преноса променљивог струја (ФАЦТС);
Средње напон и високо напон преобраћачи;
Системи за покретање железничких теретних снага;
Велики индустријски напони за напон;
Уколико је потребно, могу се користити:
Апликације за складиштење енергије и конверзију велике снаге.
Уколико је потребно, можете користити:
Кључни параметри
V ДРМ |
V |
3300 |
V РРМ |
V |
3300 |
Ја сам ТГКМ |
А |
5200 |
Ја сам ТСМ |
А |
27×103 |
V До |
V |
1.20 |
šipka Т |
mΩ |
0.26 |
V Д |
V |
2000 |
Блокирање Подаци
Simbo л |
Jedinica |
Stanje |
Минимум |
Тип |
Maks. |
V ДРМ |
V |
napajanje vrata , t j =90℃ја Д ≤Ја сам ДРМ ,tp=10 миси |
|
|
3300 |
V РРМ |
V |
napajanje vrata , t j =90℃ја Šipka ≤Ја сам РРМ ,tp=10 миси |
|
|
3300 |
Ја сам ДРМ |
мА |
napajanje vrata , t j =90℃, V Д =В ДРМ ,tp=1 0мс |
|
|
200 |
Ја сам РРМ |
мА |
napajanje vrata , t j =90℃, V Šipka =В РРМ ,tp= 10мс |
|
|
200 |
V Д |
V |
门极单元上电, Т j =90°C, I Д ≤Ја сам ДМ |
|
|
2000 |
Подаци из државе
Simbo л |
Jedinica |
Stanje |
Минимум |
Тип |
Maks. |
Ја сам ТАВ |
А |
Т ц =70℃, 正弦半波 dvostrano hlađenje |
|
1200 |
|
Ја сам Т ((РМС) |
А |
|
2500 |
|
Ја сам ТСМ |
А |
т п =10ms, T j =90℃ 正弦半波
浪涌后 више не додаје електрични притисак
|
|
|
27×103 |
Ја сам 2т |
А 2с |
3.92×106 |
V ТМ |
V |
Ја сам ТМ = 4000А, Т j =90℃ |
|
2.25 |
|
V До |
V |
Т j =90℃
Ја сам Т =1000...7000А
|
|
1.20 |
|
šipka Т |
mΩ |
|
0.26 |
|
Simbo л |
Jedinica |
Stanje |
Минимум |
Тип |
Maks. |
|
ди Т /dt(Цр)
|
А/μс
|
f=0...1000Hz, Т j =25℃ 、 90°C, I Т = 5200А, V Д = 2000В, I ТМ ≤6000А |
|
|
1000
|
т (о) |
мс |
V Д =2000В, Т j =90℃
Ја сам Т = 5200А, ди/дт=В Д /Lја сам Л ја сам =3μH
Ц Цл =10μF, L Цл = 0,3μH Д Цл =Д ФВД
|
|
10 |
|
т d (((on) СФ |
мс |
|
7 |
|
т šipka |
мс |
|
4 |
|
Е на |
J |
|
4 |
|
|
Ја сам ТГКМ
|
А
|
V Д ≤В ДРМ , t j =90℃
V Д =2000В, Р С = 0,35Ω Ц Цл =10μF, L Цл ≤ 0,3μH Д Цл =Д ФВД
|
|
|
5200
|
т д (избаци ) |
мс |
V Д =2000В, Т j =90℃ V Д ≤В ДРМ , Р С = 0,35Ω Ја сам ТГК = 5200А, Л ја сам =3μH Ц Цл =10μF, L Цл = 0,3μH Д Цл =Д ФВД |
|
50 |
|
т d(оврт) СФ |
мс |
|
7 |
|
Е избаци |
J |
|
50 |
|
EN
