ИТ-АСЦ80И6500ИЦ#, асиметричан ИГЦТ Плус

S имбол

Услови

M u

Тип

M аХ

Уинт

V _ДРМ

T ВЈ= 125 ℃ , O D ≤O DRM, t p= 10 мс

-

-

6500

V

O _ДРМ

T ВЈ= 125 ℃ , V D= V DRM, t p= 10 мс

-

-

150

мА

dv/dt

T ВЈ= 125 ℃ , V Д=0,67 V ДРМ

1000

В/ мс

V _ДЦлинк

Промеђудно дицентно напон дозвољено за стофит стопу неуспеха

-

-

4000

V

V _РРМ

/

-

-

20

V

Симбол

Услови

Минус

Тип

Maks.

Уинт

ИТ ((РМС)

T C = 85°C, Синусоидна полуталасна, двострана хлађење

-

-

4290

A

O _ТСМ

O ²t

T Вј = 125°C, Синусоидна полуталасна, 10ms, V D = V Šipka =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

10⁴A ²s

V _ТМ

T Вј = 125°C, I T = 4000А

-

2.52

-

V

V _Na

šipka _T

T Вј = 125°C,

O T = 1000... 4000А

-

-

1.24

0.22

-

-

В мΩ

S имбол

Услови

M u

Тип

M аХ

Уинт

d o _T /dt

ТВЈ = 125 ℃, ИТ = 4000А, ВД = 4000В, Ф=0..500ХЗ

-

-

1000

А/ мс

t _дон

t _donSF

t _šipka

E _na

T Вј = 125℃ , O Т = 4000А, V Д = 4000В, д o /dt = V Д/ L ја, C CL = 20μF,

L i = 3 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

мс

мс

мс

J

S имбол

Услови

M u

Тип

M аХ

Уинт

O _ТГКМ

T VJ = 125 ℃ , V ДМ ≤ V DRM, V Д = 4000В, L CL = 0.3μH, C ЦЛ = 20μF, Šipka S = 0,5Ω

-

-

8000

A

t _доф

t _доффСФ

t _f

E _избаци

T Вј = 125℃ , O ТГК = 8000А, V Д = 4000В, V ДМ ≤ V DRM, C ЦЛ = 20μF, Šipka S = 4 о ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

мс

мс

мс

J