Све категорије
Добијте цитат

Добијте бесплатни цитат

Наш представник ће вас ускоро контактирати.
Е-маил
Име
Име компаније
Порука
0/1000

ИГБТ модул 1700В

ИГБТ модул 1700В

Почетна страница /  Производи /  IGBT modul /  Modul IGBT 1700V

Уколико је потребно, могу се користити и други уређаји.

Модул ИГБТ високе струје, један прекидач, ЦРРЦ

Brand:
ЦРЦЦ
Spu:
YMIF2400-17 / TIM2400ESM17-TSA000 (заједно са другим стандардима)
  • Увод
  • Облик
Увод

Кратко увођење

ИГБТ модул ,Х игг струје модул , IGBT moduli sa jednim prekidačem proizvedeni od strane CRRC. 1700V 2400A.

Кључни параметри

V Ц ES

1700 V

V ЦЕ (Сат)

(тип ) 1.75 V

Ја сам Ц

(макс ) 2400 А

Ја сам Ц(РМ)

(макс ) 4800 А

Типичне примене

  • Тракциони погон
  • Контролери мотора
  • Паметни Мрежа
  • Висок Поузданост Инвертор

Особности

  • АлСиЦ База
  • Аин Стрит
  • Висок Топлотне Бицикл Способност
  • 10μ с Кратко Кола Издржати
  • Ниско V цЕ (седе ) уређај
  • Висок струја плотност

Апсолутно Максимално Рејтинг

(Симбол)

(Параметар)

(Услови испитивања)

(Вредност)

(Единица)

ВцЕС

Напетост колектора-излазника

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

В ГЕС

Напетост излучача капи

± 20

V

И Ц

Ток колектора-излазника

T случај = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

А

I C ((ПК)

Врхунска струја колектора

tp = 1ms

4800

А

Пмакс

Макс. -Макс. дисипација енергије транзистора

Tvj = 150°C, T случај = 25 °C

19.2

кВ

И 2t

Диода I2t

VR = 0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Висол

Изолационо напон по модулу

(заједнички терминали до основне плоче),

ЦА РМС,1 мин, 50 Хц

4000

V

КП ПД

Делимично испуштање по модулу

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

пЦ

Електричне карактеристике

Tcase = 25 °C T case = 25°C osim ako nije drugačije navedeno

(Симбол)

(Параметар)

(Услови испитивања)

(Минимално)

(Тип)

(макс.)

(Единица)

И ЦЕС

Струја за одбијање колектора

Уколико је потребно, додајте:

1

мА

У случају Т = 125 °C

40

мА

У случају Т = 150 °C

60

мА

И ГЕС

Ток пропуста капи

Уколико је потребно, додајте:

1

мА

V ГЕ (ТХ)

Порожни напон ка капије

И Ц = 80мА, В ГЕ = ВЦЕ

5.0

6.0

7.0

V

ВЦЕ (сада)

Сатурација колектора-емитера

напетост

ВГЕ = 15В, ИЦ = 2400А

1.75

V

ВГЕ = 15В, ИЦ = 2400А,Твј = 125 °C

1.95

V

ВГЕ = 15В, ИЦ = 2400А,Твј = 150 °C

2.05

V

И Ф

Диодска испредна струја

ДЦ

2400

А

И ФРМ

Максимална испредна струја диоде

t P = 1 мс

4800

А

ВФ(*1)

Диодско напречење напред

ИФ = 2400А

1.65

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V

Циес

Улазни капацитанс

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

нФ

Главни центар

Наплата за капију

± 15В

19

микрон

Црес

Реверзни преносни капацитанс

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

нФ

Л М

Индуктивност модула

10

нХ

Р ИНТ

Унутрашњи отпор транзистора

110

мΩ

И СЦ

Кратковрстана струја, ИСЦ

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

А

тд (остављено)

Време одлагања искључења

I C = 2400A

VCE = 900V

ЛС ~ 50 нХ

V GE = ±15V

R G ((ON) = 0,5Ω

R G ((ОФФ) = 0,5Ω

2320

n

t ф

Време пада

500

n

Е ОФФ

Утрата енергије при искључивању

1050

мЈ

тд (о)

Време кашњења укључивања

450

n

tr

Време подизања

210

n

ЕОН

Утрата енергије при укључивању

410

мЈ

КВРР

Диод реверз рекуперације

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

микрон

И р

Реверзна рекуперација струје диоде

1000

А

Ерец

Диод реверзна рекуперација енергије

320

мЈ

тд (остављено)

Време одлагања искључења

I C = 2400A

VCE = 900V

ЛС ~ 50 нХ

V GE = ±15V

R G ((ON) = 0,5Ω

R G ((ОФФ) = 0,5Ω

2340

n

t ф

Време пада

510

n

Е ОФФ

Утрата енергије при искључивању

1320

мЈ

тд (о)

Време кашњења укључивања

450

n

tr

Време подизања

220

n

ЕОН

Утрата енергије при укључивању

660

мЈ

КВРР

Диод реверз рекуперације

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

микрон

И р

Реверзна рекуперација струје диоде

1200

А

Ерец

Диод реверзна рекуперација енергије

550

мЈ

тд (остављено)

Време одлагања искључења

I C = 2400A

VCE = 900V

ЛС ~ 50 нХ

V GE = ±15V

R G ((ON) = 0,5Ω

R G ((ОФФ) = 0,5Ω

2340

n

t ф

Време пада

510

n

Е ОФФ

Утрата енергије при искључивању

1400

мЈ

тд (о)

Време кашњења укључивања

450

n

tr

Време подизања

220

n

ЕОН

Утрата енергије при укључивању

820

мЈ

КВРР

Диод реверз рекуперације

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

микрон

И р

Реверзна рекуперација струје диоде

1250

А

Ерец

Диод реверзна рекуперација енергије

620

мЈ

О нама

Фокусирамо се на апликација iGBT производи . На основу примене IGBT, проширили смо наш асортиман производа на прилагођене висококвалитетне силске склопове, уз истовремено проширење пословања на поље производа за аутоматску контролу, укључујући ADC/DAC, LDO, инструментационе појачаваче, електромагнетне релеје, PhotoMOS и MOSFET. На тај начин можемо да сарађујемо са водећим кинеским произвођачима у нашим областима стручности како бисмо својим клијентима пружили поуздане и економичне производе.
Засновани на принципима иновације и изврсности, стојимо на челу алтернативних решења и технологија у полупроводничкој индустрији.
Naša vizija je da pružimo alternativna rešenja našim klijentima, poboljšamo odnos cene i performansi njihovih rešenja za aplikacije i osiguramo bezbednost njihove nabavne lanac proizvodnjom u Kini.

办公场景.png

Облик

image(ec9098f8d8).png

Добијте бесплатни цитат

Наш представник ће вас ускоро контактирати.
Е-маил
Име
Име компаније
Порука
0/1000

СРЕДНИ ПРОДУКТ

Да ли имате питања о било ком производу?

Наш професионални тим за продају чека вашу консултацију.
Можете да пратите њихову листу производа и да постављате сва питања која вас занимају.

Добијте цитат

Добијте бесплатни цитат

Наш представник ће вас ускоро контактирати.
Е-маил
Име
Име компаније
Порука
0/1000

Добијте бесплатни цитат

Наш представник ће вас ускоро контактирати.
Е-маил
Име
Име компаније
Порука
0/1000