TG1800HF17H1-S500,Modul IGBT,Polovina mosta IGBT,CRRC

符号 Симбол

参数名称 Параметри

тест услови

Услови испитивања

数值 Вредност

单位 Јединица

V Tip

集电极 -напон емитера

Napon kolektora-emiter

V Г gE Т Ц = 25 °c

1700

V

V =150 °C

rešetka -напон емитера

Napon između vrata i emitera

Т Ц = 25 °c

± 20

V

Ја сам Ц

集电极电流

Struja kolektora-emiter

Т Ц = 85 °C, Т = 500A, макс = 175°C

1800

А

Ја сам C(PK)

集电极峰值电流

Maksimalna struja kolektora

т П =1 мс

3600

А

П макс

maksimalni gubitak tranzistora

Maks. disipacija snage tranzistora

Т = 500A, = 175°C, Т Ц = 25 °c

9.38

кВ

Ја сам 2т

dijod Ја сам 2т 值 Диод Ја сам 2т

V R =0В, т П = 10 миси, Т = 500A, = 175 °c

551

kA 2с

V изола

绝缘 електрични притисак (模块 )

Изолација напетост - за модул

短接 сви端子,端子与基板间施加电压 ( Povezani terminal до osnovna ploča), ЦА РМС,1 минимум, 50 Хц, Т Ц = 25 °c

4000

V

参数 Симбол

објашњење

Објашњење

值 Вредност

单位 Јединица

раздаљина

Дистанција плесња

терминал -рачитељ

Terminal to хит-синк

36.0

мм

терминал -терминал

Terminal do terminala

28.0

мм

изолациона раздаљина Обезбеђење

терминал -рачитељ

Terminal to хит-синк

21.0

мм

терминал -терминал

Terminal do terminala

19.0

мм

релативни индекс треска иза elektr.leaka

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Симбол

参数名称 Параметри

тест услови

Услови испитивања

最小值 Мино.

典型值 Тип.

максимална вредност Макс. -Макс.

单位 Јединица

R th(j-c) ИГБТ

ИГБТ toplotna otpornost spoja

Топлотне отпор – ИГБТ

16

К / кВ

R th(j-c) Диод

termalna otpornost diode

Топлотне отпор – Диод

33

К / кВ

R th(c-h) ИГБТ

toplotna otpornost kontakta (IGBT)

Топлотне отпор –

slučaj do radijatora (IGBT)

安装力矩 5Nm, termalna pasta 1W/m·K Moment zatezanja 5Nm,

са монтажа маст 1W/m·K

14

К / кВ

R th(c-h) Диод

toplotna otpornost kontakta (Dioda)

Топлотне отпор –

slučaj do radijatora (Dioda)

安装力矩 5Nm, termalna pasta 1W/m·K Moment zatezanja 5Nm,

са монтажа маст 1W/m·K

17

К / кВ

Т ујоп

радња

Radna spojna tačka температура

ИГБТ čip ( ИГБТ )

-40

150

°c

čip dioda ( Dioda )

-40

150

°c

Т сТГ

temperatura skladištenja

Размај температуре складиштења

-40

150

°c

М

安装力矩

Moment zatezanja

za montažu i učvršćivanje – М5 Монтажа – М5

3

6

Nm

za međusobno povezivanje kola – М4

Електричне везе – М4

1.8

2.1

Nm

za međusobno povezivanje kola – М8

Електричне везе – М8

8

10

Nm

符号 Симбол

参数名称 Параметри

тест услови

Услови испитивања

最小值 Мино.

典型值 Тип.

максимална вредност Макс. -Макс.

单位 Јединица

R th(j-c) ИГБТ

ИГБТ toplotna otpornost spoja

Топлотне отпор – ИГБТ

16

К / кВ

R th(j-c) Диод

termalna otpornost diode

Топлотне отпор – Диод

33

К / кВ

R th(c-h) ИГБТ

toplotna otpornost kontakta (IGBT)

Топлотне отпор –

slučaj do radijatora (IGBT)

安装力矩 5Nm, termalna pasta 1W/m·K Moment zatezanja 5Nm,

са монтажа маст 1W/m·K

14

К / кВ

R th(c-h) Диод

toplotna otpornost kontakta (Dioda)

Топлотне отпор –

slučaj do radijatora (Dioda)

安装力矩 5Nm, termalna pasta 1W/m·K Moment zatezanja 5Nm,

са монтажа маст 1W/m·K

17

К / кВ

Т ујоп

радња

Radna spojna tačka температура

ИГБТ čip ( ИГБТ )

-40

150

°c

čip dioda ( Dioda )

-40

150

°c

Т сТГ

temperatura skladištenja

Размај температуре складиштења

-40

150

°c

М

安装力矩

Moment zatezanja

za montažu i učvršćivanje – М5 Монтажа – М5

3

6

Nm

za međusobno povezivanje kola – М4

Електричне везе – М4

1.8

2.1

Nm

za međusobno povezivanje kola – М8

Електричне везе – М8

8

10

Nm

符号 Симбол

参数名称 Параметри

тест услови

Услови испитивања

最小值 Мино.

典型值 Тип.

максимална вредност Макс. -Макс.

单位 Јединица

R 25

nominalna vrednost otpora

Ретификовано опорност

Т Ц = 25 °c

5

kΩ

△R /R

R100 odstupanje

Deviation of R100

Т Ц = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

П 25

disipaciona snaga

Распадање моћи

Т Ц = 25 °c

20

мВт

Б 25/50

Б- 值

B-vrednost

R 2 = R 25екп [Б 25/50(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

Б 25/80

Б- 值

B-vrednost

R 2 = R 25екп [Б 25/80(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

Б 25/100

Б- 值

B-vrednost

R 2 = R 25екп [Б 25/100(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Симбол

参数名称 Параметри

条件

Услови испитивања

最小值 Мино.

典型值 Тип.

максимална вредност Макс. -Макс.

单位 Јединица

Ја сам Tip

集电极截止电流

CES

V Г gE V ЦЕ = V Tip

1

мА

V Г gE V ЦЕ = V Tip , Т = 500A, =125 °C

40

мА

V Г gE V ЦЕ = V Tip , Т = 500A, =175 °C

60

мА

Ја сам =150 °C

极漏电流

Врата проток струје

V Г propuštanje vrata V ЦЕ = 0V

0.5

мА

V Г μA

rešetka -napon praga emiter Порожни напон ка капије

Ја сам Ц = 60mA, V Г = V ЦЕ

5.1

5.7

6.3

V

V ЦЕ (сат) (*1)

集电极 -emiterov saturacijski napon

(*1)

напетост

V Г saturacija kolektora-emiter Ја сам Ц = 1800A

1.70

V

V Г saturacija kolektora-emiter Ја сам Ц = 1800A, Т = 500A, = 150 °c

2.10

V

V Г saturacija kolektora-emiter Ја сам Ц = 1800A, Т = 500A, = 175 °c

2.15

V

Ја сам Ф

direktna DC struja diode Vj

ДЦ

1800

А

Ја сам Dijodna struja napred

ponovna vršna struja diode Диод пик позитивни ток n

т П = 1 мс

3600

А

V Ф (*1)

naponska struja dioda

Диодско напречење напред

Ја сам Ф = 1800A, В Г = 0

1.60

V

Ја сам Ф = 1800A, В Г = 0, Т = 500A, = 150 °C

1.75

V

Ја сам Ф = 1800A, В Г = 0, Т = 500A, = 175 °C

1.75

V

Ја сам СЦ

kratkoročna struja

Кратки прекид струја

Т = 500A, = 175°C, V ЦЦ = 1000V, V Г ≤15V, т п ≤10μs,

V CE(max) = V Tip – Л (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

А

Ц и

инпугут електрична капацитет

Улазни капацитанс

V ЦЕ ulazna kapacitivnost V Г gE ф = 100 кГц

542

нФ

К г

极电荷

= 25V,

napunjenje vrata

23.6

±15V

Ц ре

вратно преносна капацитета

Реверзни преносни капацитанс

V ЦЕ ulazna kapacitivnost V Г gE ф = 100 кГц

0.28

нФ

Л sCE

модул скрета индукција

Modul strašnog indukta nce

8.4

нХ

R ЦЦ ’+Е ’

модулскути резистенцију, терминал -čip М odule vodnik отпорност, terminal-čip

по превицу

po prevođenju

0.20

mΩ

R Гинт

унутрашња врата резистенција

Унутрашња врата резистор

1

о

符号 Симбол

参数名称 Параметри

тест услови

Услови испитивања

最小值 Мино.

典型值 Тип.

максимална вредност Макс. -Макс.

单位 Јединица

т d(off)

kašnjenje isključivanja

Време одлагања искључења

Ја сам Ц =1800A,

V ЦЕ = 900V,

V Г = ±15V, R G(OFF) = 0.5Ω, Л С = 25nH,

д v ∕dt =3800V∕μs (Т = 500A, = 150 °C).

Т = 500A, = 25 °c

1000

n

Т = 500A, = 150 °c

1200

Т = 500A, = 175 °c

1250

т ф

下降时间 Време пада

Т = 500A, = 25 °c

245

n

Т = 500A, = 150 °c

420

Т = 500A, = 175 °c

485

Е Избаци

gubici pri isključenju

Gubitak energije pri isključivanju

Т = 500A, = 25 °c

425

мЈ

Т = 500A, = 150 °c

600

Т = 500A, = 175 °c

615

т d(on)

开通延迟时间

Време кашњења укључивања

Ја сам Ц =1800A,

V ЦЕ = 900V,

V Г = ±15V, R G(ON) = 0.5Ω, Л С = 25nH,

д ја сам ∕dt = 8500A∕μs (Т = 500A, = 150 °C).

Т = 500A, = 25 °c

985

n

Т = 500A, = 150 °c

1065

Т = 500A, = 175 °c

1070

т r

vreme uspona Време подизања

Т = 500A, = 25 °c

135

n

Т = 500A, = 150 °c

205

Т = 500A, = 175 °c

210

Е На

gubitak pri otvaranju

Energija uključivanja губитак

Т = 500A, = 25 °c

405

мЈ

Т = 500A, = 150 °c

790

Т = 500A, = 175 °c

800

К рр

povratni kapacitet dioda Диод обратно

naplata

Ја сам Ф =1800A, V ЦЕ = 900V,

- d ја сам Ф /dt = 8500A∕μs (Т = 500A, = 150 °C).

Т = 500A, = 25 °c

420

±15V

Т = 500A, = 150 °c

695

Т = 500A, = 175 °c

710

Ја сам рр

povratna struja dioda Диод обратно

naplata struje

Т = 500A, = 25 °c

1330

А

Т = 500A, = 150 °c

1120

Т = 500A, = 175 °c

1100

Е rec

gubitak povratne struje dioda Диод обратно

energija naplate

Т = 500A, = 25 °c

265

мЈ

Т = 500A, = 150 °c

400

Т = 500A, = 175 °c

420