Водно хлађење

MTx800 MFx800 MT800, Триститор/Диод модули, Водени хлађај

800А,2000В~2500В,411Ф3

Brand:

TECHSEM

Spu:

Уколико је потребно, уносите улог у износ.

Appurtenance:

Brošura proizvoda: PREUZMI

Uvod
Kontura
Ekvivalentna šema kola

Uvod

Кратко увођење

Тиристор/диод модул е, МТх1000 МФх1000 Уношење ，1000А ,Водно хлађење ，proizvedeno od strane TECHSEM .

VRRM,VDRM

Tip i kontura

2000В

2200V

2500В

МТх0020-411Ф3

МТх00-2-2-411Ф3

МТ2 укупни број

Управо у овом случају, уколико је потребно, уколико је потребно,

МФх800-20-411Ф3

МФх800-22-411Ф3

МФх800-25-411Ф3

МТкс је за сваки тип МТЦ, МТА, МТК

МФкс значи сваки тип МФЦ, МФА, МФК

Karakteristike

Izolovana montažna baza 3000V~
Tehnologija pritisnog kontakta sa
Povećanom sposobnošću cikliranja snage
Ušteda prostora i težine

Tipične Aplikacije

АЦ/ДЦ мотори
Različiti ispravljači
ЦЦ снабдевање за ПВМ инверт

Симбол	Karakteristika	Testni uslovi	Tj( ℃ )	Vrednost			Jedinica
Симбол	Karakteristika	Testni uslovi	Tj( ℃ )	Min	Tip	Maks	Jedinica
IT ((AV)	Srednji strujni tok u aktivnom stanju	180° polu sinusni talas 50Hz Однострано хладно, ТХС=55 ℃	125			800	А
IT(RMS)	RMS struja u stanju uključenja	180° polu sinusni talas 50Hz Однострано хладно, ТХС=55 ℃	125			1256	А
Идром Идром	Ponovljeni vršni trenutni	pri VDRM pri VRRM	125			50	мА
ITSM	Prekoračenje struje u aktivnom stanju	VR=60%VRRM, t=10ms полусинус	125			16.0	kA
I2t	I2t za koordinaciju fuzije	VR=60%VRRM, t=10ms полусинус	125			1280	10³А ²s
VTO	Пресни напон		125			0.98	V
rT	Otpor nagiba u aktivnom stanju		125			0.35	mΩ
VTM	Vršna naponska vrednost u aktivnom stanju	ИТМ=2400А	25			2.35	V
dv/dt	Kritična brzina porasta napona u isključenom stanju	VDM=67%VDRM	125			1000	В/μs
ди/т	Критична стопа повећања струје у стању	Izvor vrata 1.5A tr ≤0.5μs Ponovljivo	125			200	А/μс
ИГТ	Struja okidanja kapije	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	мА
Вгг.	Napon okidača			0.8		3.0	V
ИХ	Držna struja			10		200	мА
IL	Zadržavajuća struja					1000	мА
VGD	Napon okidača bez okidanja	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Toplotna otpornost spojnice do kućišta	Hlađenje sa jedne strane po čipu				0.050	℃ /W
Rth(c-h)	Toplotna otpornost kućišta do hladnjaka	Hlađenje sa jedne strane po čipu				0.024	℃ /W
Визо	Napon izolacije	50 Хц, Р.М.С., т=1 мин, ИСО:1 мА ((MAX)		3000			V
ФМ	Тоцк за терминалну везу ((M12)			12		16	Н·м
ФМ	Укључивање на кочни момент (М8)			10		12	Н·м
ТВј	Temperatura spoja			-40		125	℃
ТСТГ	Temperatura skladištenja			-40		125	℃
Wt	Težina				3230		g
Kontura	411Ф3