иГБТ модул
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modul predstavlja revolucionarni napredak u oblasti energetske elektronike, kombinujući najbolje osobine tehnologija MOSFET i bipolarnih tranzistora. Ovaj sofisticirani poluprovodnički uređaj predstavlja ključnu komponentu u savremenim aplikacijama upravljanja snagom, nudeći izuzetne mogućnosti prekidanja i efikasno upravljanje snagom. Modul se sastoji od više IGBT čipova poredanih u raznim konfiguracijama, uz dodatak antiparalelnih dioda i specijalnog pakovanja koje je projektovano za optimalno upravljanje toplotom. Radeći na frekvencijama između 1 kHz i 100 kHz, IGBT moduli mogu da izdrže napone od 600 V do 6500 V i struje do nekoliko hiljada ampera. Ovi moduli ističu se u aplikacijama koje zahtevaju visoke naponske i strujne kapacitete, što ih čini nezamenljivima u industrijskim pogonima motora, sistemima obnovljivih izvora energije i elektromotorima električnih vozila. Integracija naprednih kola za kontrolu upravljačkog signala omogućava preciznu kontrolu prekidanja, dok ugrađene zaštitne funkcije štite od prekomerne struje, kratkog spoja i previsoke temperature. Moderni IGBT moduli takođe uključuju sofisticirana rešenja za upravljanje toplotom, kao što su podloge sa direktno vezanim bakrom (DCB) i napredni sistemi hlađenja, koji omogućavaju pouzdano funkcionisanje u zahtevnim uslovima.