YT-ASC80Y6500IC#, Asimetriskais IGCT Plus

S simbols

Apstākļi

M uz

Simbols

M ass

Vienība

V _DRM

T VJ = 125 ℃ , T D ≤T DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

T _DRM

T VJ = 125 ℃ , V D= V DRM, t p = 10 ms

-

-

150

mA

dv/dt

T VJ = 125 ℃ , V D = 0,67 V DRM

1000

V/ μs

V _DClink

Vidējā līdzstrāvas sprieguma vērtība, kas atbilst 100FIT kļūdu biežumam

-

-

4000

V

V _RRM

/

-

-

20

V

Sīkāku informāciju

Apstākļi

Min

Simbols

Maks.

Vienība

IT ((RMS)

T C = 85 ℃, pusviltņa sinusoidāla forma, divpusēja dzesēšana

-

-

4290

A

T _TSM

T ²t

T Vj = 125 ℃, pusviltņa sinusoidāla forma, 10 ms, V D = V Stienis =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

10⁴A ²s

V _TM

T Vj = 125 ℃, I T = 4000 A

-

2.52

-

V

V _Pret

stienis _T

T Vj = 125 ℃,

T T = 1000…4000 A

-

-

1.24

0.22

-

-

V mΩ

S simbols

Apstākļi

M uz

Simbols

M ass

Vienība

d t _T /dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 Hz

-

-

1000

A/ μs

t _don

t _donSF

t _stienis

E _par

T Vj = 125℃ , T T = 4000 A, V D = 4000 V, d t /dt = V D/ L i , C CL = 20 μF,

L i = 3 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

J

S simbols

Apstākļi

M uz

Simbols

M ass

Vienība

T _TGQM

T VJ = 125 ℃ , V DM ≤ V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, Stienis S = 0,5 Ω

-

-

8000

A

t _dff

t _doffSF

t _f

E _izslēgt

T Vj = 125℃ , T TGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V DM ≤ V DRM, C CL = 20 μF, Stienis S = 4 ω ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

J