YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Augstsprieguma IGBT Modulis Tīkls ar intelektu CRRC Hobijs Inverteris/Konverters Vingrinājumi

Uzņēmuma profils

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ir tehnoloģiju balstīta uzņēmuma ar importa un eksporta kvalifikācijām, kas dibināta uz inovāciju un izcilības principiem, stājoties semikonduktoru alternatīvo risinājumu un tehnoloģiju priekšgalā. Mēs specializējamies semikonduktoru produktu dizainā, līgumā pielāgotā ražošanā un distribūcijā. Mums ir strikti prasību saraksts saistībā ar sadarbības partneru izvēli. Sadarbojamies tikai ar tehnoloģiju uzņēmumiem un ražotājiem, kuriem ir pirmoklasējoši dizaina un ražošanas tehnoloģijas. Ražotnes automātiskās pārvades līniju optimizācijas ir vēl viena nozīmīga mūsu līgumā ražošanas daļa.

Mūsu produkti

1	IGBT modulis un vadītājs
2	IGCT modulis un vadītājs
3	Invertora kodols
4	Diodes modulis
5	Tiristoru modulis
6	Strāvas sensors
7	Kondensatora
8	Pretestība
9	Tīkls ar tālredzību
10	Rupju roboti un galvenie daļi
11	Civiltie aviapgādes līdzekļi un galvenie daļi

Produktu apraksts

Iespējas

(1) AISiC pamatplate
(2) AIN substrāti
(3) Augsta termiskā ciklēšanas spēja
(4) 10μs īss līdzeklis pret strāva ietekmi

(5) Zems Vce(sat) ierīces

(6) Augsta strāvas blīvuma

Tipiskas lietošanas metodes

(1) Vilces piedziņas
(2) Motoru kontrolieri
(3) Gudrā tīkls
(4)Augstas uzticamības inverteris

YMIF1500-33-I1-01

3300V/1500A Viens Vilkšanas IGBT

Galvenie parametri

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips		3300	V
V _{CE (sat)}	Tips.	2.40	V
I _C	Max.	1500	A
I _C(RM)	IC ((RM)	3000	A

Absolūtās maksimālās vērtības

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips	Sildītājs-izsildītājs	V _ĢEN= 0V, T _C= 25 °C	3300	V
V _{=150 °C}	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	T _C= 25 °C	±20	V
I _C	Kolektors-izsūknis strāvas	T _C= 75°C	1500	A
I _C(PK)	Sildītāja maksimālais strāvas daudzums	t _P=1ms	3000	A
P _max	Maks. tranzistora jaudas izmešana	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	15600	Platums
I ²t	Dioda I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	720	kA ²s
Visol	Izolācijas spriegums – pa moduļa	(Kopējo termināļu savienojums ar pamatni), AC RMS,1 min, 50Hz,T _C= 25 °C	6000	V
Q _PD	Daļējs izplūdis – pa moduļa	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50HzRMS	10	pC

Termiskie un mehāniskie dati

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Max.	Vērtību		Drošības un drošības politika
R _{th(J-C) IGBT}	Termiskā pretestība – IGBT			8	K / kW		°C
R _{th(J-C) Diods}	Termiskā pretestība – Diods			16	K / kW		°C
R _{th(C-H) IGBT}	Tērmiskā pretestība – korpuss uz siltuma izkliedētāju (IGBT)	Montāžas griezes moments 5Nm, ar montāžas smērvielu 1W/m·°C		6	K / kW		°C
T _vj	Darbības savienojuma temperatūra	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Darbības savienojuma temperatūra			Dioda	-40	150	°C
M	Skrūves griezes moments	Pielikums M6		5	nm
				Elektriskie savienojumi –M4		2	nm
				Elektriskie savienojumi –M8		10	nm

Elektriskās īpašības

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
I _Tips	Kolektors ir pārklāts ar strāvu	V _ĢEN= 0V,V _CE= V _Tips			1	mA
				V _ĢEN= 0V, V _CE= V _Tips, T _C=			90	mA
				V _ĢEN= 0V, V _CE= V _Tips, T _C=125 °C			150	mA
I _{=150 °C}	Izplūdes strāvas	V _ĢEN= ±20V, V _CE= ±20V,			1	μA
V _{DŽ (TD)}	Izmantošanas ātrums	I _C= 40mA, V _ĢEN= V _CE	5.0	6.1	7.0	V
V _{CE (sat)}	Kolektora-emisijas piesātinājuma spriegums	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		2.40	2.90	V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		2.95	3.40	V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		3.10	3.60	V
I _F	Dioda virsma uz priekšu	DC		1500		A
I _{Diodes uzpriekšējā strāva}	Diodes maksimālā priekšējā strāva	t _P= 1ms		3000		A
V _F	Dioda priekšējā spriegums	I _F= 250A, V _ĢEN= 0		2.10	2.60	V
				I _F= 250A, V _ĢEN= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.70	V
				I _F= 250A, V _ĢEN= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.70	V
I _SC	Maizes un dārzeņu maisījumi	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _ĢEN≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _Tips–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		5800		A
Cies	Ies	V _CE= 25V, V _ĢEN= 0V, f = 100kHz		260		mHz
Qg	NF	±15		25		μC
Cres	Apgādes pārneses kapacitāte	V _CE= 25V, V _ĢEN= 0V, f = 100kHz		6.0		mHz
Garums _M	Moduļa induktivitāte			10		nH
R _INT	Iekšējā tranzistora pretestība			110		mΩ

T kĻŪDA = 25°C, ja nav citādi norādīts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min

Simbols

Max

Drošības un drošības politika

t _d(izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

I _C= 2400A
V _CE= 900V
Garums _S~ 50nH
V _ĢEN= ±15V
R _{G ((ON)}= 0.5Ω
R _{G (OFF)}= 0.5Ω

2100

ns

E _Izslēgt

Izslēgšanas enerģijas zudumi

2400

mJ

t _{d ((on)}

Slēgšanas kavējuma laiks

750

ns

E _Ieslēgta

Ieslēgšanas enerģijas zudums

1450

mJ

Q _r

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

I _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

1150

μC

I _r

Diodes reversās atgūšanas strāva

1250

A

E _rec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

1550

mJ

T kĻŪDA = 150°C, ja nav citādi norādīts