TIM500GDM33-PSA011 Jauns Oriģināls CRRC IGBT Enerģijas Modulis Diskreti Pārvades Tranzistori Šopēri Inverteri/Konvertieri Trakcijas

Uzņēmuma profils

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ir tehnoloģiju balstīta uzņēmuma ar importa un eksporta kvalifikācijām, kas dibināta inovāciju un izcilības principos, stāvot semikonduktoru alternatīvo risinājumu un tehnoloģiju priekšgalā. Mūsu specializācija ir semikonduktoru produktu dizains, līgumainais pielāgošanas un sadalījums. Mums ir strikti prasības saistībā ar sadarbības partneru izvēli, mēs sadarbojamies tikai ar tehnoloģiju uzņēmumiem un ražotājiem, kuriem ir pirmoklasējošas dizaina un ražošanas tehnoloģijas. Faktoriju automātisku pārvadājumu līniju optimizācijas pielāgošana ir vēl viena svarīga daļa no mūsu līgumražošanas.

Mūsu produkti

1	IGBT modulis un vadītājs
2	IGCT modulis un vadītājs
3	Invertora kodols
4	Diodes modulis
5	Tiristoru modulis
6	Strāvas sensors
7	Kondensatora
8	Pretestība
9	Tīkls ar tālredzību
10	Rupju roboti un galvenie daļi
11	Civiltie aviapgādes līdzekļi un galvenie daļi

Produktu apraksts

Iespējas

(1) AISiC pamatplate augstas jaudas ciklēšanas spējas
(2) AIN substrāti zema termiskā pretestība
(3) Augsta termiskā ciklēšanas spēja
(4) Augsta strāvas blīvuma

(5) 10μs īslaicīgais cirkuits
(6) Zems VCEsat

Tipiskas lietošanas metodes

(1) Vilces piedziņas
(2) Motoru kontrolieri
(3) Čoperaatori
(4) Vidējās sprieguma invertori/konvertori

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Augstsprieguma IGBT moduļi

Galvenie parametri

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips		3300	V
V _{CE (sat)}	Tips.	2.4	V
I _C	Max.	500	A
I _CM	ICRM	1000	A

Absolūtās maksimālās vērtības

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips	Sildītājs-izsildītājs	3300	V
V _{=150 °C}	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I _C	Kolektora strāva @ T _C=100℃	500	A
I _CM	Pulsveida kolektora strāva, tp=1ms, Tc=140°C	1000	A
P _tot	Kopējā spēja, TC=25°C, par vilcienu (IGBT)	5200	Platums
I ²t	Dioda I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V _izoli	1 min, f=50 Hz	6000	V
t _pSc	IGBT īssavienojuma SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
I _F	DC priekšējā strāva	500	A
I _{Diodes uzpriekšējā strāva}	Maksimālais priekšmetīgais strāva ,tp=1ms	1000	A
Q _PD	Daļējs izcirtums,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Montāžas griezes momenti	M _SMontāža – M6	5	Nm
		M _T1Elektriskie savienojumi M4		2
		M _T2Elektriskie savienojumi M8		8

Diodes raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	simbols	Max.	Vērtību		Drošības un drošības politika
V _F	Uz priekšu spriegums IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		°C
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		°C
				Tvj = 150°C		2.25	2.7	V		°C
I _r	Atpakaļgaitas atjaunošanas strāva I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _r	Atgūstamā nodeva I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		μC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _rec	Atgriezeniska atgūšanas enerģija I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

IGBT raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
_{V _CEsat}	Kolektora-emitenta satura spriegums.I _C=500A,V _ĢEN=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
I _{=150 °C}	Izplūdes strāvas	V _CE=0V, V _ĢEN=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{DŽ (TD)}	Vārsta-emisijas sliekšņa spriegums	I _C=40mA, V _CE=V _ĢEN, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
I _Tips	Kolektora-emitenta satura spriegums.V _CE=3300V, V _ĢEN=0V	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
I _SC	Maizes un dārzeņu maisījumi	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
I _{Diodes uzpriekšējā strāva}	Diodes maksimālā priekšējā strāva	t _P= 1ms		500		A
t _{d ((on)}	Slēgšanas kavējuma laiks	Tvj = 25 °C		650		ns
				Tvj = 125 °C		630		ns
				Tvj = 150 °C		620		ns
t _d(izslēgt)	Izslēgšanas kavējuma laiks	Tvj = 25 °C		1720		ns
				Tvj = 125 °C		1860		ns
				Tvj = 150 °C		1920		ns
I _SC	Maizes un dārzeņu maisījumi	t _pSc≤ 10μs, V _ĢENkolektora-emiteru piesātinājums T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
Cies	Ies	V _CE=25V,V _ĢEN=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		mHz
Qg	NF	C=500A,V _CE=1800V,V _ĢEN=-15V…15V		5.0		μC
Cres	Apgādes pārneses kapacitāte	V _CE=25V,V _ĢEN=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		mHz
E _ieslēgta	Ieslēgšanas pārejas zudumu enerģija Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3,0Ω RG(OFF)=4,5Ω,C _ĢEN=100nF,V _ĢEN=±15V Garums _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _izslēgt	Izslēgšanas pārejas zudumu enerģija Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Kāpēc izvēlēties mūs

1. Mēs tikai pārdodam produktus no kīniešu ražotājiem ar pirmoklasīgu tehnoloģiju. Tas ir mūsu galvenais kritērijs.
2. Mums ir strikti prasības attiecībā uz ražotāju izvēli.
3. Mēs esam spējīgi nodrošināt klientiem alternatīvas risinājumus no Krievijas.
4. Mums ir atbildīgs komands.

Produkta iepakojums