No Alibaba

TIM250PHM33-PSA011 IGBT moduļa tranzistora choppers inverteram Jauns un oriģināls CRRC IGBT jaudas modulis

TIM250PHM33-PSA011 IGBT moduļa tranzistora choppers inverteram Jauns un oriģināls CRRC IGBT jaudas modulis

Ievads

Uzņēmuma profils

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ir tehnoloģiju balstīta uzņēmuma ar importa un eksporta kvalifikācijām, kas dibināta uz inovāciju un izcilības principiem, stājoties semikonduktoru alternatīvo risinājumu un tehnoloģiju priekšgalā. Mēs specializējamies semikonduktoru produktu dizainā, līgumā pielāgotā ražošanā un distribūcijā. Mums ir strikti prasību saraksts saistībā ar sadarbības partneru izvēli. Sadarbojamies tikai ar tehnoloģiju uzņēmumiem un ražotājiem, kuriem ir pirmoklasējoši dizaina un ražošanas tehnoloģijas. Ražotnes automātiskās pārvades līniju optimizācijas ir vēl viena nozīmīga mūsu līgumā ražošanas daļa.

Mūsu produkti

1	IGBT modulis un vadītājs
2	IGCT modulis un vadītājs
3	FRD modulis
4	Diodes modulis
5	Tiristoru modulis
6	Strāvas sensors
7	Kondensatora
8	Pretestība
9	Tīkls ar tālredzību
10	Rupju roboti un galvenie daļi
11	Civiltie aviapgādes līdzekļi un galvenie daļi

Produktu apraksts

Iespējas

(1) AISiC pamatplate
(2) AIN substrāti
(3)Augsta termiskā ciklēšanas spēja
(4) 10μs īss līdzeklis pret strāva ietekmi

Tipiskas lietošanas metodes

(1) Trakcijas palīglīdzekļi
(2) Motoru kontrolieri
(3) Čoperaatori
(4)Augstas uzticamības inverteris

TIM250PHM33-PSA011

3300V/250A Pusi mosta IGBT

Galvenie parametri

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips		3300	V
V _{CE (sat)}	Tips.	2.5	V
I _C	Max.	250	A
I _C(RM)	IC ((RM)	500	A

Absolūtās maksimālās vērtības

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips	Sildītājs-izsildītājs	3300	V
V _{=150 °C}	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I _C	Kolektora strāva @ T _C=100℃	250	A
I _C(PK)	Impulsu kolektora strāva t _p=1ms	500	A
P _max	Maks. tranzistora jaudas izmešana Tvj = 150°C, TC = 25 °C	2600	Platums
I ²t	Dioda I ²t V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj = 150 °C	20	kA ²s
V _izoli	Izolācijas spriegums – uz moduli (Kopoti termināli pie pamatplāksnes), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	Platums
Q _PD	Daļēja izlāde – uz moduli IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	pC

Termiskie un mehāniskie dati

Sīkāku informāciju	Izskaidrojums	Vērtību	Drošības un drošības politika
Izolācijas attālums	Termināls līdz Heatsink	33.0	mm
Izolācijas attālums		Termināls uz terminālu	33.0	mm
Brīva vieta	Termināls līdz Heatsink	20.0	mm
Brīva vieta		Termināls uz terminālu	20.0	mm
CTI (Salīdzinošais izsekošanas indekss)	Diodes maksimālā priekšējā strāva t _p=1ms	＞600

Termiskie un mehāniskie dati

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Max.	Vērtību		Drošības un drošības politika
R _{th(J-C) IGBT}	Termiskā pretestība – IGBT			48	K / kW		°C
R _{th(J-C) Diods}	Termiskā pretestība – Diods			80	K / kW		°C
R _{th(C-H) IGBT}	Tērmiskā pretestība – korpuss uz siltuma izkliedētāju (IGBT)	Montāžas griezes moments 5Nm, ar montāžas smērvielu 1W/m·°C		18	K / kW		°C

R _{th(C-H) Diods}	Tērmiskā pretestība – korpuss uz siltuma izkliedētāju (Diode)	Montāžas griezes moments 5Nm, ar montāžas smērvielu 1W/m·°C		36	K / kW		V
T _{vj op}	Darbības savienojuma temperatūra	IGBT	-40	150	°C
T _{vj op}	Darbības savienojuma temperatūra			Dioda	-40	150	°C
M	Skrūves griezes moments	Pielikums M6		5	nm
M			Elektriskie savienojumi – M5		4	nm

Elektriskās īpašības

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
I _Tips	Kolektors ir pārklāts ar strāvu	V _ĢEN= 0V,V _CE= V _Tips			1	mA
				V _ĢEN= 0V, V _CE= V _Tips, T _C=			15	mA
				V _ĢEN= 0V, V _CE= V _Tips, T _C=125 °C			25	mA
I _{=150 °C}	Izplūdes strāvas	V _ĢEN= ±20V, V ^CE= ±20V,			1	μA
V _{DŽ (TD)}	Izmantošanas ātrums	I _C= 20mA, V _ĢEN= VCE	5.5	6.1	7.0	V
VCE _(satura)	Kolektora-emisijas piesātinājuma spriegums	VGE = 15V, IC = 250A
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
I _F	Dioda virsma uz priekšu	DC		250		A
I _{Diodes uzpriekšējā strāva}	Diodes maksimālā priekšējā strāva	t _P= 1ms		500		A
V _F	Dioda priekšējā spriegums	I _F= 250A, V _ĢEN= 0		2.10	2.40	V
				I _F= 250A, V _ĢEN= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	V
				I _F= 250A, V _ĢEN= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	V
I _SC	Maizes un dārzeņu maisījumi	T _vj= 150° C, V _CC= 2500V, V _ĢEN≤15V, tp≤10μs, V _CE(maks) = V _Tips– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		A
Cies	Ies	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		mHz
Qg	NF	±15		2.6		V
Cres	Apgādes pārneses kapacitāte	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		mHz
Garums _M	Moduļa induktivitāte			40		nH
R _INT	Iekšējā tranzistora pretestība			0.5		mΩ

Kāpēc izvēlēties mūs

1. Mēs tikai pārdodam produktus no kīniešu ražotājiem ar pirmoklasīgu tehnoloģiju. Tas ir mūsu galvenais kritērijs.
2. Mums ir strikti prasības attiecībā uz ražotāju izvēli.
3. Mēs esam spējīgi nodrošināt klientiem alternatīvas risinājumus no Krievijas.
4. Mums ir atbildīgs komands.

Produkta iepakojums