CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT Modulis 1700V Inverteri Konvertori Draivi Oriģināli Jauni Vējiekavas Diskreti poluprovodnīku moduļi

Uzņēmuma profils

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ir tehnoloģiju balstīta uzņēmuma ar importa un eksporta kvalifikācijām, kas dibināta uz inovāciju un izcilības principiem, stājoties semikonduktoru alternatīvo risinājumu un tehnoloģiju priekšgalā. Mēs specializējamies semikonduktoru produktu dizainā, līgumā pielāgotā ražošanā un distribūcijā. Mums ir strikti prasību saraksts saistībā ar sadarbības partneru izvēli. Sadarbojamies tikai ar tehnoloģiju uzņēmumiem un ražotājiem, kuriem ir pirmoklasējoši dizaina un ražošanas tehnoloģijas. Ražotnes automātiskās pārvades līniju optimizācijas ir vēl viena nozīmīga mūsu līgumā ražošanas daļa.

Mūsu produkti

1	IGBT modulis un vadītājs
2	IGCT modulis un vadītājs
3	Invertora kodols
4	Diodes modulis
5	Tiristoru modulis
6	Strāvas sensors
7	Kondensatora
8	Pretestība
9	Enerģijas uzglabāšanas sistēma
10	Rupju roboti un galvenie daļi
11	Civiltie aviapgādes līdzekļi un galvenie daļi

Produktu apraksts

Iespējas

(1) AISiC pamatplate augstas jaudas ciklēšanas spējas
(2) Cu bāzes plāksne
(3) Augsta termiskā ciklēšanas spēja
(4) Augsta strāvas blīvuma

(5) 10μs īslaicīgais cirkuits
(6) Zems VCEsat

Tipiskas lietošanas metodes

(1) Motoru vadība
(2) Augstas jaudas pārveidotāji
(3) Vēja turbīnas
(4) Augstas uzticamības invertors

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Pusi mosta IGBT

Galvenie parametri

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips		1200	V
V _{CE (sat)}	Tips.	1.85	V
I _C	Max.	1000	A
IC ((RM)	Max.	2000	A

Absolūtie maksimālie rādījumi ( Tcase = 25°C, ja nav citādi norādīts )

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips	Sildītājs-izsildītājs	1700	V
V _{=150 °C}	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I _C	Kolektora straums @ Tcase = 90 °C	1000	A
I _C(PK)	Maks. kolektora straums, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _max	Maks. tranzistora jaudas zudumi, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	Platums
I ²t	Dioda I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V _izoli	(Kopējie termināļi ar pamatplāksni), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V
I _F	Dioda priekšmetīgais dzimums, DC	1000	A
I _{Diodes uzpriekšējā strāva}	Dioda maksimālais priekšmetīgais dzimums, tp=1ms	2000	A
Montāžas griezes momenti	Fiksēšana – M5	6	Nm
	Fiksēšana – M5	6
		Elektriskie savienojumi M8		10

Elektriskās īpašības

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

simbols

Max.

Vērtību

Drošības un drošības politika

V _F

Dioda priekšējā spriegums

I _F=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

I _F=1000A, V _ĢEN= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

I _F=1000A, V _ĢEN= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

I _{Diodes uzpriekšējā strāva}

Diodes maksimālā priekšējā strāva

t _P= 1ms

2000

A

I _F

Dioda priekšmetīgais dzimums,

DC

1000

A

Irr

Dioda atkārtots
atgūšanas strāvas

JA =1000A,
VCE = 900V,
- dJA/dt = 7200A/µs
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

Dioda atkārtots
atgūstamās izmaksas

285

μC

315

340

E _rec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

JA =900A,
VCE = 600V,
- dJA/dt = 6800A/µs
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Elektriskās īpašības

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V _{CE (sat)}	Kolektora-emisijas piesātinājuma spriegums	V _ĢEN=15V, I _C= 900A,T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _ĢEN=15V, I _C= 900A,T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _ĢEN=15V, I _C= 900A,T _vj= 150°C			2.2	2.6
I _Tips	Kolektors ir pārklāts ar strāvu	V _ĢEN=15V, I _C= 900A,Tvj= 25°C			1	mA
				V _ĢEN=15V, I _C= 900A,Tvj= 125°C				10
				V _ĢEN=15V, I _C= 900A,Tvj= 150°C				20
I _{=150 °C}	Izplūdes strāvas	V _CE=0V, V _ĢENvārsta noplūde			4	μA
V _{DŽ (TD)}	Vārsta-emisijas sliekšņa spriegums	I _C= 40mA, V _ĢEN= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _{d ((on)}	Slēgšanas kavējuma laiks @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		ns
								1410
								1440
td (izslēgt)	Izslēgšanas kavējuma laiks @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		ns
								470
								450
I _SC	Maizes un dārzeņu maisījumi	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _ĢEN≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
Cies	Ies	V _CE= 25V, V _ĢEN= 0V, f = 100kHz		147		mHz
Cres	Apgādes pārneses kapacitāte	V _CE= 25V, V _ĢEN= 0V, f = 100kHz		1.5		mHz
Qg	NF	vārsta uzlāde		11.4		μC
E _ieslēgta	Ieslēgšanas enerģijas zudums @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	JA =1000A, VCE = 900V, - dJA/dt = 7200A/µs (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _izslēgt	Izslēgšanas pārejas zudumu enerģija @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - dJA/dt = 7200A/µs (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Kāpēc izvēlēties mūs

1. Mēs tikai pārdodam produktus no kīniešu ražotājiem ar pirmoklasīgu tehnoloģiju. Tas ir mūsu galvenais kritērijs.
2. Mums ir strikti prasības attiecībā uz ražotāju izvēli.
3. Mēs esam spējīgi nodrošināt klientiem alternatīvas risinājumus no Krievijas.
4. Mums ir atbildīgs komands.

Produkta iepakojums