CRRC 1700V 2400A Augstsprieguma IGBT Mods TIM2400ESM17-TSA000 Jauns/Orijināls Smarts Tīkls Spēkmodulis Ķēpji Invertori Konvertori

Uzņēmuma profils

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ir tehnoloģiju balstīta uzņēmuma ar importa un eksporta kvalifikācijām, kas dibināta uz inovāciju un izciluma principiem, stāvot semikonduktoru alternatīvu risinājumu un tehnoloģiju priekšgalā. Mēs specializējamies semikonduktoru produktu dizainā, līdzpiedzīvā pieprasījumā un distribūcijā. Mums ir strikti prasības saistībā ar sadarbības partneru izvēli. Sadarbojamies tikai ar tehnoloģiju uzņēmumiem un ražotājiem, kas piedāvā pirmoklasējošus dizaina un ražošanas tehnoloģijas. Faktuālā automātiskās pārvades līniju optimizācija ir vēl viena svarīga mūsu līdzpiedzīvā ražošanas daļa. .

Mūsu produkti

1	IGBT modulis un vadītājs
2	IGCT modulis un vadītājs
3	Invertora kodols
4	Diodes modulis
5	Tiristoru modulis
6	Strāvas sensors
7	Kondensatora
8	Pretestība
9	Tīkls ar tālredzību
10	Rupju roboti un galvenie daļi
11	Civiltie aviapgādes līdzekļi un galvenie daļi

Produktu apraksts

Iespējas

(1) AISiC pamatplate
(2) AIN substrāti
(3) Augsta termiskā ciklēšanas spēja
(4) 10μs īss līdzeklis pret strāva ietekmi

(5) Zems Vce(sat) ierīces

(6) Augsta strāvas blīvuma

Tipiskas lietošanas metodes

(1) Vilces piedziņas
(2) Motoru kontrolieri
(3) Gudrā tīkls
(4)Augstas uzticamības inverteris

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17(E)

1700V/2400A Viens Vilkšanas IGBT

Galvenie parametri

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips		1700	V
V _{CE (sat)}	Tips.	1.75	V
I _C	Max.	2400	A
I _C(RM)	IC ((RM)	4800	A

Absolūtās maksimālās vērtības

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Vērtību	Drošības un drošības politika
V _Tips	Sildītājs-izsildītājs	V _ĢEN= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _{=150 °C}	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	T _C= 25 °C	±20	V
I _C	Kolektors-izsūknis strāvas	T _C= 75°C	2400	A
I _C(PK)	Sildītāja maksimālais strāvas daudzums	t _P=1ms	4800	A
P _max	Maks. tranzistora jaudas izmešana	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	Platums
I ²t	Dioda I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Visol	Izolācijas spriegums – pa moduļa	(Kopējo termināļu savienojums ar pamatni), AC RMS,1 min, 50Hz,T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Daļējs izplūdis – pa moduļa	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50HzRMS	10	pC

Termiskie un mehāniskie dati

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Max.	Vērtību		Drošības un drošības politika
R _{th(J-C) IGBT}	Termiskā pretestība – IGBT			6.5	K / kW		°C
R _{th(J-C) Diods}	Termiskā pretestība – Diods			13	K / kW		°C
R _{th(C-H) IGBT}	Tērmiskā pretestība – korpuss uz siltuma izkliedētāju (IGBT)	Montāžas griezes moments 5Nm, ar montāžas smērvielu 1W/m·°C		6	K / kW		°C
T _vj	Darbības savienojuma temperatūra	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Darbības savienojuma temperatūra			Dioda	-40	150	°C
M	Skrūves griezes moments	Pielikums M6		5	nm
				Elektriskie savienojumi –M4		2	nm
				Elektriskie savienojumi –M8		10	nm

Elektriskās īpašības

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
I _Tips	Kolektors ir pārklāts ar strāvu	V _ĢEN= 0V,V _CE= V _Tips			1	mA
				V _ĢEN= 0V, V _CE= V _Tips, T _C=			40	mA
				V _ĢEN= 0V, V _CE= V _Tips, T _C=125 °C			60	mA
I _{=150 °C}	Izplūdes strāvas	V _ĢEN= ±20V, V _CE= ±20V,			1	μA
V _{DŽ (TD)}	Izmantošanas ātrums	I _C= 40mA, V _ĢEN= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Kolektora-emisijas piesātinājuma spriegums	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
I _F	Dioda virsma uz priekšu	DC		2400		A
I _{Diodes uzpriekšējā strāva}	Diodes maksimālā priekšējā strāva	t _P= 1ms		4800		A
V _F	Dioda priekšējā spriegums	I _F= 250A, V _ĢEN= 0		1.65		V
				I _F= 250A, V _ĢEN= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				I _F= 250A, V _ĢEN= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
I _SC	Maizes un dārzeņu maisījumi	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _ĢEN≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _Tips–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
Cies	Ies	V _CE= 25V, V _ĢEN= 0V, f = 100kHz		400		mHz
Qg	NF	±15		19		μC
Cres	Apgādes pārneses kapacitāte	V _CE= 25V, V _ĢEN= 0V, f = 100kHz		3.0		mHz
Garums _M	Moduļa induktivitāte			10		nH
R _INT	Iekšējā tranzistora pretestība			110		mΩ

T kĻŪDA = 25°C, ja nav citādi norādīts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min

Simbols

Max

Drošības un drošības politika

t _d(izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

I _C= 2400A
V _CE= 900V
Garums _S~ 50nH
V _ĢEN= ±15V
R _{G ((ON)}= 0.5Ω
R _{G (OFF)}= 0.5Ω

2320

ns

E _Izslēgt

Izslēgšanas enerģijas zudumi

500

mJ

t _{d ((on)}

Slēgšanas kavējuma laiks

1050

ns

E _Ieslēgta

Ieslēgšanas enerģijas zudums

410

mJ

Q _r

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

I _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

I _r

Diodes reversās atgūšanas strāva

1000

A

E _rec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

320

mJ

T kĻŪDA = 150°C, ja nav citādi norādīts