Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 300A.
Īpašības
-
Zema VCE (sat) Grīdas IGBT tEHNOLOĢIJA
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
-
VCE (sat) ar pozitīvs temperatūra koeficients
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipisks Lietojuma jomas
-
T invertors motoru piedziņai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T C =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
648
400
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
800 |
A |
P D |
Maksimālais enerģijas izmešana T =175o C |
2380 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1700 |
V |
T F |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
400 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
800 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
T C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
T C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.25 |
|
T C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.88 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
48.2 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
1.17 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =- 15V...+15V |
|
3.77 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =400A, Stienis G =0.82Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
204 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
38 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
425 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
113 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
97.9 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
84.0 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =400A, Stienis G =0.82Ω,V ĢEN =±15V, T j =125o C
|
|
208 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
50 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
528 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
184 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
141 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
132 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =400A, Stienis G =0.82Ω,V ĢEN =±15V, T j =150o C
|
|
216 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
50 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
544 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
204 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
161 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
137 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 100V, V CEM ≤ 1700V
|
|
1600
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
T F =400A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
T F =400A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
T F =400A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V,I F =400A,
-di/dt=8800A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C
|
|
116 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
666 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
63.8 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V,I F =400A,
-di/dt=8800A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125o C
|
|
187 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
662 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
114 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V,I F =400A,
-di/dt=8800A/μs,V ĢEN =- 15V T j =150o C
|
|
209 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
640 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
132 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
15 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu |
|
0.18 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.063
0.105
|
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)
Izmērs: Modulis)
|
|
0.016
0.027
0.010
|
|
K/W |
|
M
|
Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
1.1
2.5
3.0
|
|
2.0
5.0
5.0
|
N.m.
|
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
