IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD3600SGT170C4S

Vienības

VCES

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

VGES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva@ TC=25℃

Kolektora strāva@ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Impulsu kolektora strāva tp= 1ms

7200

A

IF

Dioda nepārtraukta tālvadība

3600

A

IFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums

7200

A

PD

Maksimālā jauda Izkliede @ Tj= 175℃

19.7

KW

Tj

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

VISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montāža

Signāla termināla skrūve:M4

Jaudas termināla skrūve:M8

1.8 līdz 2.1

8.0 līdz 10

N.m.

Nomākšanas

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ((BR) CES

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

Tj=25°C

1700

V

ICES

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

VGE (viņš)

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

Qg

nF

VGE=- 15…+15V

42.0

μC

RGint

iekšējais vārtu pretests

Tj=25°C

0.5

Ω

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25°C

730

ns

tr

Atkāpšanās laiks

205

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

1510

ns

TF

Nolieku laiks

185

ns

EON

Ieslēgšanas slēgšanas zudums

498

mJ

EOFF

Izslēgšanas slēgšanas zudums

1055

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

ns

tr

Atkāpšanās laiks

225

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

1800

ns

TF

Nolieku laiks

325

ns

EON

Ieslēgšanas slēgšanas zudums

746

mJ

EOFF

Izslēgšanas slēgšanas zudums

1451

mJ

Cies

ies

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

317

MHz

Koši

Izvades jauda

13.2

MHz

Cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

10.5

MHz

ISC

SC dati

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

A

LCE

Neatklāta induktantība

10

nH

RCC’+EE ’

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.12

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

VF

Diode uz priekšu

Spriegums

IF=3600A

Tj=25°C

1.80

2.20

V

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Atgūstamā nodeva

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25°C

836

μC

Tj= 125℃

1451

IRM

Atpakaļgaitas atjaunošanas strāva

Tj=25°C

2800

A

Tj= 125℃

3300

Erec

Atgriezeniska atgūšanas enerģija

Tj=25°C

590

mJ

Tj= 125℃

1051