Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 300A.
Īpašības
-
Zema VCE (sat) Grīdas IGBT tEHNOLOĢIJA
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
-
VCE (sat) ar pozitīvs temperatūra koeficients
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiska Lietojumi
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
I C |
Kolektora strāva @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
493
300
|
A |
I CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
600 |
A |
P D |
Maksimālais enerģijas izmešana T =175o C |
1829 |
Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1700 |
V |
I F |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
300 |
A |
I FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
600 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.25 |
|
I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (ts ) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
I C = 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I Tips |
Kolektors Izgriežts -Izslēgt
Pašreiz
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
I =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
2.5 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
36.1 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
0.88 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
2.83 |
|
μC |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C = 300A, R G =2,4Ω,
V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
204 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
48 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
595 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
100 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
69.3 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
63.3 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C = 300A, R G =2,4Ω
v ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
224 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
55 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
611 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
159 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
96.8 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
99.0 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C = 300A, R G =2,4Ω
v ĢEN =±15V, T j = 150o C
|
|
240 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
55 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
624 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
180 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
107 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
105 |
|
mJ |
|
I SC
|
SC dati
|
t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V
|
|
1200
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V,I F = 300A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C
|
|
55 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
297 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
32.2 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V,I F = 300A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125o C
|
|
116 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
357 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
68.2 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V,I F = 300A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =150o C
|
|
396 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
120 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
81.6 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Garums CE |
Neatklāta induktantība |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu |
|
0.35 |
|
mΩ |
R tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.082
0.129
|
K/W |
|
R tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)
Izmērs: Modulis)
|
|
0.033
0.051
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Svars of Modulis |
|
300 |
|
g |