Visas kategorijas
Iegūt piedāvājumu

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Epasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

IGBT modulis 1700V

IGBT modulis 1700V

Sākumlapa/Produkti/IGBT Modulis/IGBT Modulis 1700V

GD300HFX170C2S,IGBT modulis,STARPOWER

IGBT moduļi, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C2S
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īsa ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 300A.

Funkcijas

  • Zema VCE (sat) Grīdas IGBT tehnoloģijas
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvs temperatūra koeficients
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipisks Lietojumprogrammas

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

Es C

Kolektora strāva @ T C=25o C

@ T C= 100o C

493

300

A

Es Cm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

PD

Maksimālais enerģijas izmešana T =175o C

1829

V

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

V

Es F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

300

A

Es FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE

4000

V

IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

Es C= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.85

2.20

V

Es C= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

2.25

Es C= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

Es C= 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Es Tips

Kolektors Griezts Izslēgt

Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Es =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

36.1

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.88

mHz

J G

NF

V ĢEN =- 15...+15V

2.83

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C= 300A, Stienis G=2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25o C

204

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

48

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

595

ns

t f

Nolieku laiks

100

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

69.3

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

63.3

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C= 300A, Stienis G=2,4Ω

v ĢEN =±15V, T j = 125o C

224

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

55

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

611

ns

t f

Nolieku laiks

159

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

96.8

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

99.0

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C= 300A, Stienis G=2,4Ω

v ĢEN =±15V, T j = 150o C

240

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

55

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

624

ns

t f

Nolieku laiks

180

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

107

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

105

mJ

Es SC

SC dati

t P≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

Es F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Es F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.90

Es F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

1.95

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C

55

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

297

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

32.2

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125o C

116

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

357

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

68.2

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =150o C

396

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

120

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

81.6

mJ

Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

20

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu

0.35

Stienis tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.082

0.129

K/W

Stienis tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g

Kontūra

image(c3756b8d25).png

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Epasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

Saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūt piedāvājumu

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Epasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Epasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000