GD300HFX170C2S,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C

@ T C = 100o C

493

300

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

P D

Maksimālais enerģijas izmešana T =175o C

1829

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.85

2.20

V

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

2.25

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C = 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt

Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

36.1

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.88

mHz

Q G

NF

V ĢEN =- 15...+15V

2.83

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, Stienis G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25o C

204

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

48

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

595

ns

t f

Nolieku laiks

100

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

69.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

63.3

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, Stienis G =2,4Ω

v ĢEN =±15V, T j = 125o C

224

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

55

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

611

ns

t f

Nolieku laiks

159

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

96.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

99.0

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, Stienis G =2,4Ω

v ĢEN =±15V, T j = 150o C

240

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

55

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

624

ns

t f

Nolieku laiks

180

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

107

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

105

mJ

T SC

SC dati

t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

T F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.90

T F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

1.95

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C

55

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

297

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

32.2

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125o C

116

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

357

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

68.2

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =150o C

396

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

120

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

81.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

20

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu

0.35

mΩ

Stienis tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.082

0.129

K/W

Stienis tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g